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鲁年鹏

作品数:6 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学生物学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇生物学

主题

  • 3篇衬底
  • 2篇团簇
  • 2篇纳米硅
  • 2篇纳米硅薄膜
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇硅团簇
  • 1篇氮化
  • 1篇低电阻率
  • 1篇电学
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻率
  • 1篇动态过程
  • 1篇应力
  • 1篇应力分布
  • 1篇绽放
  • 1篇致密
  • 1篇柔性衬底
  • 1篇褶皱
  • 1篇微米
  • 1篇温度系数

机构

  • 6篇中国科学院
  • 3篇浙江理工大学
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇中国计量学院

作者

  • 6篇鲁年鹏
  • 5篇曹则贤
  • 3篇李超荣
  • 3篇纪爱玲
  • 2篇鲁振
  • 2篇高磊
  • 1篇杜允
  • 1篇董文钧
  • 1篇杨虎
  • 1篇叶满萍
  • 1篇徐庆

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇物理
  • 1篇中国科学:物...

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
大温区低电阻率温度系数薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种大温区低电阻率温度系数薄膜材料及其制备方法,大温区低电阻率温度系数薄膜材料的分子式为Cu<Sub>3</Sub>NAg<Sub>x</Sub>,其中,x为0.57~1.00。本发明制备的Cu<Sub>3<...
曹则贤鲁年鹏纪爱玲
文献传递
绽放的奥秘
2011年
植物的花头开始时一般是闭合的结构.随着生长过程的继续,其上应力分布变得严重地不均匀,并在其后的形貌演化过程(包括开裂和种子的散播)中,起着关键的作用.图中所示为利用Ag和SiO2此一无机材料体系获得的花头-花茎结构.
鲁年鹏曹则贤李超荣
关键词:应力分布材料体系SIO2茎结构
纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束沉积方法
本发明公开了一种纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束层积方法,包括:1)将硅酸盐玻璃作为衬底置于PED的真空腔体沉积室的样品台上,衬底与靶材之间的距离为40mm;2)当本底真空度低于10<Sup>-4</Sup>Pa时,通入氩气...
曹则贤鲁年鹏纪爱玲鲁振高磊
文献传递
柔性衬底/刚性薄膜应力褶皱有序结构形成的动态过程被引量:2
2012年
对于柔性衬底/刚性薄膜系统,当应力超过临界值时,通常会产生无序皱褶.本文在PDMS衬底/Pt薄膜系统中,通过预制边界条件实现了皱褶图案的有序化排列,并针对其详细过程进行了系统研究.基于30°C降温至0°C的温差系统,实时观察褶皱有序结构形成与演化动态过程.根据力学原理分析,研究了褶皱起源和生长,缺陷形成和演化规律,以及褶皱波长和振幅随温度的变化情况.其结果对形成大面积高度有序的褶皱花样具有一定的指导意义.
李超荣徐庆鲁年鹏董文钧曹则贤
关键词:褶皱动态过程
In掺杂氮化亚铜薄膜的电学、光学和结构特性研究被引量:1
2013年
采用射频磁控溅射方法,在低功率和低温条件下利用纯氮气作为反应溅射气体制备出不同In含量的三元氮化物CuxInyN薄膜.研究发现In掺杂浓度对薄膜微结构、形貌、表面化学态以及光学特性有灵敏的调节作用.光电子峰、俄歇峰、俄歇参数的化学位移变化从不同角度揭示了不同含量In掺杂引起的原子结合情况的变化.XPS结果显示In含量小于8.2at.%的样品形成了Cu-In-N键.对In含量为4.6at.%的样品进行XRD和TEM结构测试,实验结果肯定了In原子填充到Cu3N的反ReO3结构的体心位置.并且当In含量增至10.7at.%时,薄膜生长的择优取向从之前占主导地位的(001)方向转变为(111)方向.此外,随着In含量的增加,薄膜的R-T曲线从指数形式变为线性.当In含量为47.9at.%时,薄膜趋于大温区恒电阻率材料,电阻温度系数TCR仅为-6/10000.光谱测量结果显示In摻杂使得氮化亚铜掺杂薄膜的光学帯隙从间接帯隙变为直接帯隙.由于Burstein-Moss效应,帯隙发生蓝移,从1.02eV到2.51eV,实现了帯隙连续可调.
杜允鲁年鹏杨虎叶满萍李超荣
关键词:光学特性
纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束沉积方法
本发明公开了一种纳米和微米硅薄膜的脉冲电子束层积方法,包括:1)将硅酸盐玻璃作为衬底置于PED的真空腔体沉积室的样品台上,衬底与靶材之间的距离为40mm;2)当本底真空度低于10<Sup>-4</Sup>Pa时,通入氩气...
曹则贤鲁年鹏纪爱玲鲁振高磊
文献传递
共1页<1>
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