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魏雄邦

作品数:81 被引量:60H指数:4
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”电子科技大学中青年学术带头人培养计划更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 36篇专利
  • 25篇期刊文章
  • 18篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 20篇一般工业技术
  • 14篇电子电信
  • 11篇理学
  • 6篇自动化与计算...
  • 4篇电气工程
  • 3篇化学工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 19篇纳米
  • 19篇感器
  • 19篇传感
  • 19篇传感器
  • 18篇介电
  • 15篇钛酸锶
  • 15篇钛酸锶钡
  • 13篇电性能
  • 13篇氧化钒薄膜
  • 13篇介电性
  • 13篇介电性能
  • 12篇钛酸锶钡薄膜
  • 11篇BST
  • 11篇掺杂
  • 10篇氢气
  • 10篇氢气传感器
  • 9篇电极
  • 9篇BST薄膜
  • 8篇纳米管
  • 8篇溅射

机构

  • 81篇电子科技大学
  • 1篇成都信息工程...
  • 1篇清华大学

作者

  • 81篇魏雄邦
  • 40篇廖家轩
  • 19篇吴双红
  • 17篇陈志
  • 15篇傅向军
  • 15篇张佳
  • 14篇蒋亚东
  • 12篇肖伦
  • 11篇王洪全
  • 11篇吴志明
  • 11篇潘笑风
  • 9篇李世彬
  • 9篇全勇
  • 8篇贾宇明
  • 8篇田忠
  • 8篇徐自强
  • 7篇汪澎
  • 7篇尉旭波
  • 6篇王涛
  • 5篇吴孟强

传媒

  • 11篇稀有金属材料...
  • 4篇材料导报
  • 2篇无机材料学报
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇Chines...
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇压电与声光
  • 1篇中国科学:技...
  • 1篇2007高技...
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇2007高技...
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第十八届全国...
  • 1篇综合电子系统...

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 7篇2017
  • 7篇2016
  • 7篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 7篇2012
  • 4篇2011
  • 4篇2010
  • 7篇2009
  • 12篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2004
81 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氧化钒薄膜的厚度对薄膜电学特性的影响被引量:4
2008年
利用直流反应磁控溅射法在表面覆盖有Si3N4薄膜的S(i100)基片上制备了不同厚度的氧化钒薄膜。用光谱式椭偏仪对薄膜的厚度进行了测试。采用四探针测试系统对制备的薄膜进行了方阻和方阻温度系数的分析,发现薄膜的厚度对薄膜的电学特性有很大的影响。实验结果表明氧化钒薄膜的厚度调整可作为调控氧化钒薄膜性能的一种重要工艺手段。
魏雄邦吴志明王涛许向东唐晶晶蒋亚东
交替中间热处理BST薄膜介电性能研究被引量:4
2009年
用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了三种钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)薄膜:常规的四层薄膜,在逐层制备过程中,对首层薄膜进行中间热处理(Preheat-treatment,PT)的四层薄膜及间隔或交替地对奇数层薄膜进行中间热处理(称为交替中间热处理(Alternate-preheat-treatment,APT))的八层薄膜.用XPS研究薄膜表面成分化学态,用SEM和AFM观察表面形貌及晶化,并进行了介电性能测试.结果表明,常规薄膜介电性能差;经PT,薄膜裂纹和缩孔显著减少,形貌明显改善,表面非钙钛矿结构显著减少,介电性能明显提高;经APT,薄膜形貌进一步改善,平均晶粒大小约30nm,非钙钛矿结构进一步减少,介电损耗明显降低,介电稳定性和介电强度大幅度提高.APT为制备退火温度低及结构均匀致密的纳米晶BST薄膜提供了新方法,可满足低频实用要求.退火温度对薄膜厚度的影响也进行了讨论.
廖家轩魏雄邦潘笑风张佳傅向军王洪全
关键词:钛酸锶钡薄膜介电性能
一种钯负载异质结型复合骨架气凝胶及氢传感器制备方法
一种钯负载异质结型复合骨架气凝胶制备方法,包括如下步骤:步骤1.制备中空SnO<Sub>2</Sub>纳米纤维;步骤2.将中空SnO<Sub>2</Sub>纳米纤维充分研磨后形成TiO<Sub>2</Sub>气凝胶和中空...
魏雄邦陈为廖家轩睢路希邱宇洪龙鑫
PVP添加剂改善溶胶-凝胶法制备BST薄膜表面结构及介电性能被引量:3
2009年
以聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone,PVP)为添加剂采用改善的溶胶凝胶法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,并采用扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面结构与介电性能。结果表明:PVP显著改善了BST薄膜的表面形貌,当PVP:Ti的物质的量比为0.7%时,BST薄膜表面形貌最佳,光滑致密无裂纹无缩孔。X射线光电子能谱(XPS)表明,PVP有助于减少BST薄膜表面非钙钛矿结构。介电性能测试表明,在40V外加电压下BST薄膜的介电调谐率达45%,零偏压下的介电损耗低于0.02。另外,对PVP的作用机理进行了讨论。
张佳廖家轩潘笑风王洪全傅向军魏雄邦
关键词:钛酸锶钡薄膜介电性能
氧化钒薄膜的制备技术及特性研究被引量:2
2007年
采用直流反应磁控溅射法,通过精确控制反应溅射电压优化了氧化钒薄膜的制备工艺。对制备的氧化钒薄膜,利用四探针测试仪检测了薄膜的方阻和方阻温度系数,用X射线光电子能谱(XPS)仪和原子力显微镜(AFM)对薄膜的钒氧原子比和薄膜的微观形貌分别进行了分析和表征。实验结果表明,利用精确控制反应溅射电压法生长出的氧化钒薄膜的性能得到了进一步的提高。
魏雄邦吴志明王涛许庆宪李建峰蒋亚东
关键词:氧化钒薄膜磁控溅射
柠檬酸络合铈掺杂BST纳米粉体的制备及介电性能
2015年
以柠檬酸为络合剂、乙二醇为交联剂、无水乙醇替代去离子水作为助溶剂,通过柠檬酸对有关金属离子的络合作用以及柠檬酸盐与乙二醇的酯化聚合作用,避免了常规柠檬酸法制备铈掺杂BST溶胶因水解而出现沉淀的现象,制备了稳定的铈掺杂BST溶胶及凝胶,经850℃煅烧后得到掺杂浓度为0%~5%、平均晶粒尺寸约为100 nm的高质量粉体。低浓度铈掺杂可获得均匀细小的晶粒,降低损耗,掺杂浓度为2 mol%对应0.003的介电损耗。与纯粉体相比,掺杂粉体的结构及形貌明显改善,综合介电性能显著提高,尤其介电损耗大幅降低,可满足铁电存储器、红外探测器、微波器件等应用需要。
王思哲廖家轩杨函于魏雄邦吴孟强
关键词:铈掺杂柠檬酸钛酸锶钡粉体
一种柔性压力传感器与薄膜晶体管的集成器件及制备方法
一种柔性压力传感器与薄膜晶体管的集成器件及其制备方法,属于传感器领域。包括底层柔性衬底,位于底层柔性衬底之上的栅电极和压力传感器电极,位于栅电极之上的有源层,位于部分栅电极、部分底层柔性衬底、传感器电极之上的敏感层,位于...
魏雄邦全勇肖伦陈志刘腾飞周涛
文献传递
运用有效介质理论模拟氧化钒薄膜的光学特性
氧化钒薄膜由于具有多价态、混合晶相等特征,其光学参数变化较大,且在测量模型选择上存在较大困难。论文采用直流反应磁控溅射法在单晶Si(100)衬底上生长了不同厚度的氧化钒薄膜。利用光谱式椭偏仪,采用基于Bruggeman有...
魏雄邦廖家轩吴志明蒋亚东
文献传递
锂硫电池用层状化合物/Mxene异质结功能化材料
本发明公开了一种锂硫电池用层状化合物/Mxene异质结功能化材料及其制备方法,所述功能化材料为层状金属化合物和Mxene异质结结构,所述异质结结构为二维片层交替插层的结构。制备方法包括如下步骤:步骤1、原位生成氢氟酸刻蚀...
廖家轩张玲召宋尧琛魏雄邦王思哲
一种二元交替掺杂BST薄膜的制备方法
一种二元交替掺杂BST薄膜的制备方法,属于功能材料技术领域,涉及纳米晶BST薄膜的制备方法。本发明采用Mn、Y二元掺杂,即对即对奇数层薄膜进行Mn或Y掺杂,对偶数层薄膜进行Y或Mn掺杂;同时在“冷却”和“晶化”步骤之间增...
廖家轩贾宇明魏雄邦田忠傅向军张佳
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