颜怀跃
- 作品数：5 被引量：6H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 氢化物气相外延生长的GaN厚膜中位错密度计算被引量：1
- 2008年
- 采用两种不同的方法分别确定了在c面蓝宝石上用氢化物气相外延(HVPE)法生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度。首先,利用选择性化学腐蚀方法研究了GaN膜中的晶体缺陷,研究区分了位错的不同类型,发现在HVPEGaN贯通位错占主导地位。由腐蚀后形成的腐蚀坑数量可以直接来确定膜中的位错密度。此外,研究了用特定的X射线衍射峰半峰宽数据计算得到位错密度的方法。结果表明,HVPE生长的六方相的GaN厚膜中的位错密度为109～1010cm-2,而且两种方法所得到的结果相符合。
- 刘战辉修向前张荣谢自力颜怀跃施毅顾书林韩平郑有炓
- 关键词：位错氮化镓氢化物气相外延X射线衍射
- 立式HVPE反应器生长GaN模拟研究
- 利用有限元法对新设计的HVPE系统工艺参数进行了优化,发现衬底与气体入口距离为5厘米时,沉积的均匀性较好。在此基础上,模拟得到了优化的生长参数。模拟的结果还表明重力和浮力对GaN沉积均有影响。
- 赵传阵张荣修向前谢自立刘斌刘占辉颜怀跃郑有炓
- 关键词：氮化镓气相外延流体动力学有限元法
- 文献传递
- Si衬底上GaN厚膜生长及Cr掺杂GaN性质研究
- 近年来，GaN材料以其优异的光电性质和稳定的化学性质在光电信息技术领域越来越受到人们的关注。GaN材料是直接带隙半导体材料，具有禁带宽、电子饱和速率高、击穿电场高、热稳定性好、化学稳定性强等优点。目前，基于GaN及其化合...
- 颜怀跃
- 关键词：CR掺杂半导体材料SI衬底
- 立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究被引量：3
- 2010年
- 利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳距离,在最佳距离位置上,沉积的均匀性最好.在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5cm.在此基础上,模拟得到了优化的生长参数.模拟的结果还表明重力方向与GaCl气体出口方向的夹角的大小,对GaN沉积的速率和均匀性影响很大.重力方向与GaCl气体出口方向相反时得到的计算结果与两者方向相同时得到的计算结果比较,尽管GaN沉积速率有所下降,但是沉积均匀性却得到了极大的改善.此外还讨论了浮力效应对GaN沉积的影响.
- 赵传阵修向前张荣谢自力刘斌刘占辉颜怀跃郑有炓
- 关键词：GAN氢化物气相外延流体动力学
- Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜生长被引量：1
- 2011年
- 在Si(111)衬底上,以MOCVD方法高温外延生长的AlN为缓冲层,使用氢化物气相外延(HVPE)方法外延生长了15μm的c面GaN厚膜。并利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)等技术研究了GaN厚膜的结构和光学性质。分析结果表明,GaN厚膜具有六方纤锌矿结构,外延层中存在的张应力较小,为0.17GPa,在363.7nm处具有很强的GaN带边发光峰,没有黄带出现。AlN缓冲层有效地阻止了Si衬底和反应气体发生非生长的附加反应,并减小了GaN厚膜自身残余应力,有利于Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜的生长。
- 颜怀跃修向前华雪梅刘战辉周安张荣谢自力韩平施毅郑有炓
- 关键词：氢化物气相外延HVPESIGAN
