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韩晓亮

作品数：11 被引量：30H指数：4
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 11篇电子电信

主题

  • 6篇可靠性
  • 4篇NBTI效应
  • 4篇PMOSFE...
  • 3篇亚微米
  • 3篇载流子
  • 3篇深亚微米
  • 3篇热载流子
  • 3篇微米
  • 3篇界面态
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇氧化层
  • 2篇迁移率
  • 2篇晶体管
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇GAAS_P...
  • 2篇超深亚微米
  • 2篇NBTI
  • 1篇氮化
  • 1篇电荷

机构

  • 11篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中华人民共和...
  • 1篇中芯国际集成...

作者

  • 11篇韩晓亮
  • 9篇郝跃
  • 5篇刘红侠
  • 3篇郑雪峰
  • 2篇李培咸
  • 2篇张绵
  • 1篇李跃进
  • 1篇傅俊兴
  • 1篇朱作云
  • 1篇詹永玲
  • 1篇何光
  • 1篇王剑屏
  • 1篇杨银棠
  • 1篇马晓华
  • 1篇刘道广
  • 1篇尚也淳
  • 1篇柴常春
  • 1篇高海霞
  • 1篇张义门
  • 1篇贾护军

传媒

  • 3篇Journa...
  • 3篇西安电子科技...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2005
  • 4篇2004
  • 4篇2003
  • 1篇2002
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaAs PHEMT器件的退化特性及可靠性表征方法被引量：9
2004年
测量了应力前后 Ga As PHEMT器件电特性的退化 ,指出了 Ga As PHEMT阈值电压的退化由两个原因引起 .栅极下 Al Ga As层深能级的空穴积累可以解释阈值电压漂移中暂时性的、可恢复的那部分 ,积累在栅金属与半导体之间界面层的空穴可以解释阈值电压漂移中永久性的漂移 .空穴积累来源于场助作用下电子的退陷和沟道中碰撞电离产生的空穴向栅极流动时被俘获 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系 ,可以对 Ga As
刘红侠郑雪峰郝跃韩晓亮李培咸张绵
关键词：高电子迁移率晶体管阈值电压碰撞电离
超深亚微米P^+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究被引量：4
2003年
本文深入研究了P+ 栅PMOSFET中的NBTI效应 ,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化 ,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制 :即由水分子参与的Si SiO2 界面处的电化学反应 .
郝跃韩晓亮刘红侠
关键词：NBTI效应PMOSFET界面态正氧化层固定电荷
超深亚微米PMOSFET器件的NBTI效应被引量：3
2003年
研究了超深亚微米 PMOS器件中的 NBTI(负偏置温度不稳定性 )效应 ,通过实验得到了 NBTI效应对PMOSFET器件阈值电压漂移的影响 ,并得到了在 NBTI效应下求解器件阈值电压漂移的经验公式 .分析了影响NBTI效应的主要因素 :器件栅长、硼穿通效应和栅氧氮化以及其对器件寿命退化的作用 .给出了如何从工艺上抑制
韩晓亮郝跃
关键词：超深亚微米NBTI效应可靠性
NBTI和HCI混合效应对PMOSFET特性退化的影响被引量：4
2003年
随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展,负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重.研究了负偏置温度不稳定性和热载流子注入共同作用下的PMOSFET的退化问题.首先研究了高温沟道热载流子应力模式下负偏置温度不稳定性与热载流子注入两种效应对器件阈值电压和跨导漂移的影响,这两种效应的共同作用表现为一种负偏置温度不稳定性效应增强的热载流子注入效应;然后给出了这种混合效应的解释.最后提出了一种分解负偏置温度不稳定性和热载流子注入这两种效应的方法.
韩晓亮郝跃
关键词：热载流子注入PMOSFETNBTIHCI可靠性
闪速存储器中的热载流子可靠性研究被引量：2
2004年
提出了一种测量闪速存储器存储单元浮栅电压耦合率的方法.研究了采用负栅源边擦除的存储单元出现的退化现象,认为在擦除过程中源极附近的空穴注入产生界面态和氧化层陷阱,由该界面态和氧化层陷阱形成的应力导致漏电流是引起这种器件退化的最主要的原因.在此基础上描述了应力导致的漏电流退化的3种可能的导电机制,并且分别测量出应力导致的漏电流中瞬态和稳态电流的大小.研究表明,在读操作应力下,可靠性问题主要是由电子通过氧化层隧穿引起的.
郑雪峰郝跃刘红侠李培咸刘道广韩晓亮
关键词：闪速存储器
超深亚微米PMOSFET中的NBTI研究
本文主要针对超深亚微米PMOSFET中的NBTI效应进行了深入研究,首先通过实验分析了NBTI退化行为及其器件和电路寿命的影响;给出了NBTI效应中退化反应的模型和反应动力学,并从反应机理的角度解释了栅氧中的氮对NBTI...
韩晓亮
关键词：负偏压温度不稳定性界面态正电荷热载流子效应
文献传递
深亚微米p^+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用被引量：1
2005年
研究了p+ 栅pMOSFET中的NBTI效应 .通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化 ,研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用 ,并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机制 ,即栅氧中氮形成的Si—N键不易被分解 ,但栅氧中的氮提供了H+ 的陷阱中心 ,导致NBTI效应中氧化层正固定电荷的增加 。
韩晓亮郝跃刘红侠
关键词：NBTI效应界面态
SiC高温半导体器件技术
杨银棠张义门李跃进张玉明柴常春贾护军朱作云汪家友傅俊兴尚也淳高洪福韩晓亮何光詹永玲高海霞
该项目是新型半导体材料和器件技术研究领域重要的前沿研究课题，主要研究成果包括：研制建立了可用于SiC材料生长的常压化学气相淀积系统、研究了SiC材料掺杂技术、研究了SiC材料上氧化层制备技术、在SiC材料上用磁控溅射的方...
关键词：
关键词：SIC
ULSI中铜互连及其可靠性的研究与进展被引量：6
2005年
随着集成电路向高集成度、高可靠性方向的发展,铜互连工艺的可靠性问题逐渐显得重要.分析和比较了铜互连关键工艺,叙述了对铜互连损耗和铜通孔损耗的研究进展,对铜互连基本可靠性单元进行了讨论,指出现在仍然存在的问题,并给出了解决这些关键技术可能的方法.
郝跃邵波涛马晓华韩晓亮王剑屏
关键词：铜互连
一种新的GaAs PHEMT器件可靠性评估方法研究被引量：8
2003年
通过研究应力前后GaAsPHEMT器件电特性的测量 ,分析了GaAsPHEMT退化的原因 ,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系 ,由此可以对GaAsPHEMT器件的电性能和可靠性进行改善和评估 .进一步改进GaAsPHEMT的击穿电压 。
刘红侠郑雪峰韩晓亮郝跃张绵
关键词：高电子迁移率晶体管PHEMT器件可靠性评估GAAS砷化镓晶体管
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