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陈羽

作品数：4 被引量：4H指数：1
供职机构：宁波大学理学院物理系更多>>
相关领域：电子电信化学工程电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇导体
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体陶瓷
  • 2篇陶瓷半导体
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇电容效应
  • 1篇电阻率
  • 1篇性能极限
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸钡
  • 1篇物理性能
  • 1篇边界层电容器
  • 1篇PTC
  • 1篇BATIO
  • 1篇BATIO3

机构

  • 4篇宁波大学

作者

  • 4篇郑振华
  • 4篇陈羽
  • 4篇缪容之

传媒

  • 2篇科学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学（A...

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
BaTiO_3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型被引量：3
1994年
本文分析了BaTiO_3半导体陶瓷的Daniels模型存在的问题,提出了从PTC特性向边界层电容效应过渡的晶界势垒模型,解决了Daniels模型的缺陷,使BaTiO_3半导瓷及其有关器件的物理性能的定量计算成为可能。
郑振华缪容之陈羽
关键词：半导体陶瓷电容效应
半导体陶瓷边界层电容器的性能极限和设计
1995年
半导体陶瓷边界层电容器因其优异的物理性能而受到广泛重视.但自60年代初发明BaTiO3半导瓷边界层电容器以来,边界层电容器的物理性能一直没有定量的理论描述,使得器件的设计和制造始终存在许多问题.由晶界势垒模型对半导体陶瓷边界层电容器的物理性能及其极限作定量分析、对边界层电容器的性能作出设计并对提高性能的方法进行探讨.
郑振华陈羽缪容之
关键词：半导体陶瓷边界层电容器电容器物理性能
半导体陶瓷电阻率的电压效应的定量分析被引量：1
1993年
电压效应是指材料的物理性能随外加电压变化的现象,在半导体陶瓷中这一现象是很普遍的.目前这一现象还没有定量的理论描述.本文由晶界势垒模型得到了半导体陶瓷电阻率的电压效应的定量结果,并探讨了减弱电压效应的方法.半导体陶瓷的电学性能主要是由晶界附近因电子结构不同而形成的晶界高阻层决定的,而晶界高阻层就是晶界附近的势垒层。
郑振华缪容之陈羽
关键词：电阻率陶瓷半导体
BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨晶界势垒模型的应用
1996年
对作者提出的晶界势垒模型作定量分析．由理论模型得到的结果定量解释了ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷从ＰＴＣ特性向边界层电容效应过渡的有关现象；由此对ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷边界层电容器和ＰＴＣ电阻器的性能作出了设计，设计值明显优于目前的实验值；对提高器件性能的方法作了探讨，提出了相应的措施．本文的结果为ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷器件的设计。
郑振华陈羽缪容之
关键词：陶瓷半导体PTC钛酸钡
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