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陈坚令

作品数:4 被引量:1H指数:1
供职机构:厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇发光
  • 2篇带隙
  • 2篇电致发光
  • 2篇光材料
  • 2篇发光材料
  • 1篇电池
  • 1篇电导
  • 1篇电导性
  • 1篇跃迁
  • 1篇阻抗谱
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土化合物
  • 1篇化合物
  • 1篇固溶
  • 1篇固溶体
  • 1篇光电
  • 1篇光电池
  • 1篇光电导性
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱法

机构

  • 4篇厦门大学

作者

  • 4篇陈坚令
  • 2篇吴伯僖
  • 2篇洪秀霞
  • 1篇帅建伟
  • 1篇林友德
  • 1篇杨维坚

传媒

  • 2篇厦门大学学报...
  • 1篇第四届全国发...

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1990
  • 1篇1986
  • 1篇1900
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
光声光谱法研究(Zn,Cd)(S,Se)发光材料的带隙被引量:1
1990年
报道了采用自行设计组装的光声光谱(PAS)测量系统,直接测定无辐射过程,研究Ⅱ-Ⅵ族化合物粉末发光材料特性。测量了[CdS]_(1-x)[CdSe]_x和[ZnS]_(1-x)[CdS]_x 粉末固溶体带隙与材料制备组份重量百分比x的关系,结果表明,上述关系均呈非线性。
陈坚令洪秀霞郑俊辉
关键词:发光材料固溶体光声光谱带隙
电反射法研究n[*+*]-P硅光电池第一和第二间接带隙
报导采用偏光电反射(ER)法测定N[*+*]-P结Si的间接光学带隙。在1.05-1.90ev入射光子能量范围内,观测到两组ER结构。对ER谱采用Aspnes三点调整法计算带间能量,初步确定:室温(293K)Si的第一间...
洪秀霞陈坚令吴伯喜
关键词:半导体材料光电导性跃迁光学带隙
电致发光屏界面的阻抗谱和分形研究
1993年
采用电学方法测量ZnS:Mn,Cu DCEL粉末屏的复阻抗谱,运用多节RC等效电路、逾渗理论和自仿射康托体分形模型,分析EL屏界面和发光区在形成或老化过程的变化,认为逾渗相变形成发光区,发光区导电相分布具有分形特征,发光区内铜离子进一步迁移导致老化,老化屏发光区分维值趋于2。
帅建伟陈坚令洪秀霞吴伯僖
关键词:阻抗谱分形电致发光
掺稀土及过渡元素场致发光材料基本性质的研究
吴伯僖陈坚令林友德杨维坚陈振
该课题的研究内容包括:1.首次利用电调制反射技术研究场致发光材料的形成过程;2.系统研究了DCEL材料形成过程与温度、外加形成电压(场)的关系;3.建立偏振光准布儒斯特角多次内反射技术(PBMR),首次获得ZnS∶正3价...
关键词:
关键词:稀土化合物发光材料电致发光
共1页<1>
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