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郭鸣

作品数:19 被引量:16H指数:2
供职机构:井冈山大学电子与信息工程学院更多>>
发文基金:江西省教育厅科学技术研究项目国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术一般工业技术电子电信理学更多>>

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇自动化与计算...
  • 4篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学

主题

  • 5篇铁电
  • 4篇BI
  • 3篇铁电薄膜
  • 3篇介电
  • 3篇O
  • 3篇V
  • 2篇电解质
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇氧空位
  • 2篇矩阵
  • 2篇计算机
  • 2篇固态
  • 2篇固态电解
  • 2篇固态电解质
  • 2篇钒酸
  • 2篇钒酸铋
  • 1篇导体
  • 1篇等效氧化层厚...
  • 1篇地方本科

机构

  • 11篇华东师范大学
  • 10篇井冈山大学
  • 5篇井冈山学院
  • 1篇同济大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇上海大学
  • 1篇上海贝尔阿尔...

作者

  • 19篇郭鸣
  • 6篇周松华
  • 4篇杨平雄
  • 4篇刘昌鑫
  • 2篇彭宣戈
  • 2篇唐卫东
  • 2篇卜登立
  • 2篇石美荣
  • 2篇褚君浩
  • 1篇张振伦
  • 1篇邓红梅
  • 1篇吴兰英
  • 1篇吴兰英
  • 1篇肖靓
  • 1篇曾小荟
  • 1篇张润曦
  • 1篇魏韡
  • 1篇欧阳春娟
  • 1篇孟祥建
  • 1篇罗志扬

传媒

  • 5篇井冈山大学学...
  • 3篇红外与毫米波...
  • 2篇微计算机信息
  • 2篇钦州学院学报
  • 1篇制造技术与机...
  • 1篇电子学报
  • 1篇分析科学学报
  • 1篇分析测试学报
  • 1篇计算机应用研...
  • 1篇兵器材料科学...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2006
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种基于FM20L08的温度测试仪被引量:1
2007年
采用了一种新型的铁电存储器FM20L08,介绍了它的性能、特点、与现有其他存储器的不同之处,并在此基础上开发了FM20L08温度测试仪,有针对性地给出了硬件和软件的设计细节和流程图。
郭鸣汤亮周松华彭宣戈
关键词:铁电存储器温度测试仪
地方本科院校计算机科学与技术特色专业建设的思考与实践被引量:4
2011年
以井冈山大学计算机科学与技术省级特色专业建设为例,按照计算机科学与技术专业规范的要求,作者从教学目标、课程体系、实践教学、师资队伍和培养质量等方面着手,探索了地方本科院校计算机科学与技术专业应用型人才培养新途径、新措施。经过多年的特色专业建设,本校该专业的教学质量得到了明显提升,学生的实践能力和创新能力有了显著增强。
刘昌鑫郭鸣吴兰英唐卫东
关键词:应用型人才
铁电薄膜SrBi_2Ta_(0.6)Nb_(1.4)O_9的光疲劳特性研究
2006年
用PLD方法在铂金硅衬底制作了高质量的SrB i2Ta0.6Nb1.4O9(SBTN)铁电薄膜样品.研究了SBTN薄膜的电学和光学疲劳特性,分析了其机制.结果显示SBTN铁电薄膜,在电场疲劳下,具有无疲劳特性的优良电学性质;然而,在0.9 V电场下,用200W汞灯疲劳样品,发现光诱导极化疲劳明显,与疲劳前相比,剩余极化下降了51%.这种光诱导剩余极化减小的疲劳,主要机理是光生载流子电畴钉扎.
石美荣郭鸣杨平雄
关键词:铁电
集成铁电器件及研究进展被引量:2
2006年
铁电薄膜与半导体集成技术而发展起来的集成铁电器件受到了众多学者的关注,文章重点介绍了一些常见集成铁电器件:铁电存储器、铁电红外探测器、微波可调器件和铁电集成光电器件的原理,特点,研究发展和应用,指出了集成铁电器件的铁电薄膜研究中需要解决的一些问题.
郭鸣汤亮石美荣吴兰英
关键词:铁电薄膜
不同衬底生长Bi_2VO_(5.5)薄膜及性能研究
2012年
用溶胶-凝胶法分别在LNO/Si(100)和ITO/glass衬底上成功制备了Bi2VO5.5(BVO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的结构和表面形貌。结果表明,两种衬底上生长的BVO薄膜均具有(001)择优取回的单一相结构,晶粒大小均匀,结晶度良好。BVO薄膜介电特性的分析表明,1kHz~1MHz频率范围内,BVO薄膜在ITO衬底上表现出更稳定的介电特性,这主要归因于薄膜择优取向程度、晶粒大小和晶界特点的影响。两种衬底上BVO薄膜中的驰豫过程属于多分散系统的德拜驰豫。BVO薄膜的拉曼光谱研究表明薄膜结构几乎不受衬底影响。
郭鸣罗志扬曾小荟刘昌鑫
关键词:介电特性氧空位拉曼光谱
基于系数矩阵的极性转换方法及其在MPDRM化简中的应用
2013年
针对多输出布尔函数系统混合极性对偶Reed-Muller展开(MPDRM)的极性转换问题,提出了一种基于系数矩阵的极性转换方法。该方法通过分析使用转换矩阵进行极性转换时所需的矩阵运算,进行子矩阵提取并将复杂的矩阵运算简化为子矩阵间的同或运算,提高了极性转换速度。在此基础上,给出了MPDRM精确化简算法,该算法采用格雷码策略使得极性转换发生在相邻极性值的MPDRM之间,并以和项数作为主要化简标准,文字数作为次要化简标准,通过采用穷举策略搜索极性空间求解最小MPDRM。实验结果表明,使用文字数作为次要化简标准能够获得更优化的MPDRM,与基于列表技术的极性转换方法相比,所提出方法能够缩短精确化简过程49.5%的时间。
卜登立魏韡郭鸣
关键词:系数矩阵格雷码
一种基于PWM的CMOS数据接口电路设计
2008年
给出了一个基于0.25m标准CMOS工艺的高速数据接口电路。采用PWM(脉宽调制)技术和PLL(锁相环路)结构,降低了CRC(时钟恢复电路)的复杂程度。系统数据传输速达到400Mbps。适于接口数目有限,时钟恢复电路尽可能简单的电路系统。对实现片上IP核之间、乃至芯片之间的互连有参考意义。
郭鸣张润曦汤亮彭宣戈
关键词:脉宽调制锁相环路时钟恢复
新一代CMOS器件栅介质材料研究进展
2011年
随着微电子技术的飞速发展,按照摩尔定律发展的要求,SiO2的极限厚度已经成为Si基集成电路提高集成度的瓶颈。寻求代替SiO2的其它新一代高k栅介质已成为当今微电子技术发展的必然趋势。文章介绍了几种最有可能成为下一代栅介质的高k材料,并对其研究进展和存在的问题进行了阐述。
郭鸣周松华刘昌鑫
关键词:高介电常数栅介质等效氧化层厚度漏电流
Bi_2Mn_(0.1)V_(0.9)O_(5.35-δ)薄膜的制备与性能研究
2011年
以Bi(NO3)3.5H2O、NH4VO3和Mn(CH3COO)2.4H2O为原料,采用溶胶凝胶法在LaNiO3(LNO)/Si(100)衬底上制备了Bi2Mn0.1V0.9O5.35-δ(BIMNVOX.10)薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的晶体结构和形貌。结果表明,BIMNVOX.10薄膜具有(001)择优取向,晶粒大小均匀,厚度约300 nm。分别用阻抗分析仪和磁测试系统测量薄膜的电学特性和磁特性。BIMN-VOX.10薄膜的I~V曲线表明薄膜漏电流在低场下满足欧姆定律,符合Poole-Frenkel发射机制;而在1.7 V以上的较高场强下符合空间电荷限制传导的Schottky发射机制。低频范围BIMNVOX.10薄膜的介电损耗现象主要来源于氧空位的短程扩散。交流电导符合Jonscher规律,低频范围主要对应几乎与频率无关的直流电导(阱内跃迁);高频范围对应由晶粒响应产生的交流电导(阱间跃迁)。样品主要表现出晶粒电导特性,阻抗谱偏离理想的Debye模型。BIMNVOX.10薄膜中观察到弱铁磁性,5.57×105 A/m(7 kOe)的磁场下剩余磁化强度为8.14×10-7 A/m(1.05×10-4 emu/g),氧空位可能是引起铁磁性的主要原因。
郭鸣杨平雄
关键词:电特性铁磁性氧空位
纳米晶Bi_2Cu_(0.1)V_(0.9)O_(5.35)粉末材料的沉淀法制备和特性研究被引量:1
2011年
采用反向滴定沉淀法合成Bi2Cu0.1V0.9O5.3(5BICUVOX.10)纳米粉体材料。通过热重-差热分析和X射线衍射研究BICUVOX.10粉料的相形成过程和相特性。结果表明,样品在500℃以上4 h退火后已完全形成单一的室温稳定四方γ导电相。用X射线多功能电子能谱对BICUVOX.10粉末的组分分布及化学态进行分析:样品中Bi、V、Cu元素的摩尔比约为20∶9∶1。透射电镜对样品颗粒分散性的研究表明:一定量表面活性剂PEG4000(聚乙二醇4000)的添加可有效提高纳米BICUVOX.10粉体颗粒的分散性;当PEG4000添加量为5%时,BICUVOX.10纳米颗粒产物的分散性最佳。
郭鸣
关键词:团聚
共2页<12>
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