您的位置: 专家智库 > >

郑杰

作品数:2 被引量:4H指数:1
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇低温漂
  • 1篇电压基准
  • 1篇电压基准源
  • 1篇音频
  • 1篇音频放大
  • 1篇音频放大器
  • 1篇折叠共源共栅
  • 1篇转换器
  • 1篇基准源
  • 1篇共源共栅
  • 1篇放大器
  • 1篇放大器设计
  • 1篇NMOS
  • 1篇TRA
  • 1篇CKI
  • 1篇CMOS
  • 1篇MOS
  • 1篇高性能

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇郑杰
  • 2篇朱波
  • 2篇宋文青
  • 1篇李靖
  • 1篇于奇
  • 1篇宁宁
  • 1篇徐双恒
  • 1篇张军
  • 1篇冯纯益
  • 1篇倪春晓

传媒

  • 2篇微电子学

年份

  • 2篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种全MOS低温漂电压基准源的研究被引量:1
2013年
通过利用改进型低压Tracking-VGS结构的栅源电压差ΔVGS,对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,提出一种全MOS低温漂电压基准源结构,获得了电源抑制特性较好的低温漂基准电压。基于2.5V65nm标准CMOS工艺,对电路进行HSPICE仿真验证。结果显示:在-40℃~125℃温度范围内,基准电压为1.1V,温度系数为1.6×10-5/℃,电源抑制比为-51dB。
宋文青于奇冯纯益张军朱波郑杰
关键词:电压基准源
高性能AB类折叠共源共栅CMOS放大器设计被引量:3
2013年
设计了一种高性能AB类折叠共源共栅CMOS音频放大器。该放大器的输入级采用折叠共源共栅结构,可以优化输入共模范围,提高增益;输出级采用AB类推挽结构,实现了全摆幅输出。基于65nm/2.5VCMOS工艺,对整个电路进行Hspice仿真。结果表明,设计的放大器开环增益为140dB,电源抑制比为138dB,共模抑制比为117dB,总谐波失真为-113dB。该放大器已被应用于音频Σ-ΔA/D转换器的设计中。
宁宁倪春晓李靖宋文青朱波徐双恒郑杰
关键词:折叠共源共栅音频放大器
共1页<1>
聚类工具0