袁远
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 基于纳米压印技术制备200nm周期金自支撑透射光栅被引量：1
- 2009年
- 采用纳米压印技术作为制备亚微米周期光栅图案的核心技术,并结合反应离子刻蚀,电子束蒸镀,微电镀,紫外光刻,湿法刻蚀成功制作了面积为5 mm×8 mm、周期为200 nm、占空比近1∶1的大面积金自支撑透射光栅.首先利用紫外光固化纳米压印技术和反应离子刻蚀在高分子胶层上复制出石英模板上的纳米光栅结构,然后用微电镀技术制备出金光栅.为了获得具有较深槽深的光栅图形,采用了纳米压印双层胶工艺体系.此工艺利用了纳米压印技术分辨率高、效率高的优点,并且可以制备出剖面陡直、对比度高的高分辨率纳米光栅线条.最后用紫外光刻,微电镀和湿法腐蚀制作出支撑结构,获得金自支撑透射光栅.
- 袁远顾艳妮李志炜张鉴袁长胜葛海雄陈延峰
- 关键词：纳米压印透射光栅反应离子刻蚀
- 基于纳米压印技术的自支撑透射金属光栅及制备方法
- 本发明涉及一种基于纳米压印技术制备的，用于深紫外线、软X射线和物质粒子衍射的高密度、自支撑透射金属光栅，金属光栅的线密度＞2000条/毫米，光栅无衬底支撑，光栅金属线条间是镂空的，金属线条由足够强度、较大周期(1～40微...
- 袁长胜袁远陈明李志炜葛海雄祝明伟陈延峰
- 文献传递
- 预非晶化硅中的固相外延与杂质激活
- 袁远
- 基于纳米压印技术的自支撑透射金属光栅制备方法
- 本发明涉及一种基于纳米压印技术制备的，用于深紫外线、软X射线和物质粒子衍射的高密度、自支撑透射金属光栅，金属光栅的线密度＞2000条/毫米，光栅无衬底支撑，光栅金属线条间是镂空的，金属线条由足够强度、较大周期(1～40微...
- 袁长胜袁远陈明李志炜葛海雄祝明伟陈延峰
- 文献传递
- 杂质对离子注入射程端缺陷的影响
- 1992年
- 本文研究了注入杂质对预非晶化硅的射程端缺陷的影响.提出:在固相外延时,来自非晶层内的空位与来自射程端的硅间隙原子形成相向扩散流.注入的杂质可以俘获点缺陷,从而影响了点缺陷的相向扩散流,P促进射程末端缺陷的分解,而B促进其聚结.
- 鲍希茂华雪梅袁远袁远
- 关键词：离子注入硅非晶化射程
- 基于纳米压印技术的金属自支撑透射光栅的制备工艺研究
- 随着航空、航天、军工、X射线光谱学、天体物理学等领域的快速发展，亚微米周期金属自支撑透射光栅变得越来越重要。纳米压印技术是一种高效率、低成本、快速的纳米图案转移技术，它已经成功获得了5 nm以下的纳米图案，在亚波长微器件...
- 袁远
- 关键词：纳米压印透射光栅软X射线
