您的位置: 专家智库 > >

蔡维理

作品数:46 被引量:311H指数:9
供职机构:中国科学技术大学化学与材料科学学院材料科学与工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划安徽省优秀青年科技基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 34篇期刊文章
  • 8篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 22篇理学
  • 12篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 16篇纳米
  • 8篇纳米线
  • 8篇发光
  • 7篇氧化铝模板
  • 5篇光致
  • 5篇光致发光
  • 4篇有序阵列
  • 4篇水热
  • 4篇SUB
  • 4篇X
  • 3篇单晶
  • 3篇导体
  • 3篇电沉积
  • 3篇多孔
  • 3篇氧化硅
  • 3篇水热合成
  • 3篇算符
  • 3篇气凝胶
  • 3篇热合成
  • 3篇线阵列

机构

  • 42篇中国科学技术...
  • 3篇安徽大学
  • 3篇中国科学院
  • 3篇安徽工程大学
  • 1篇德克萨斯大学
  • 1篇安徽工程科技...
  • 1篇中国科技大学
  • 1篇中国高等科学...

作者

  • 43篇蔡维理
  • 24篇姚连增
  • 15篇牟季美
  • 9篇李晓光
  • 6篇晋传贵
  • 5篇范洪义
  • 5篇王银海
  • 4篇张涛
  • 4篇王志俊
  • 4篇陶锋
  • 3篇孙宇峰
  • 3篇贾冲
  • 3篇周贵恩
  • 3篇顾根大
  • 3篇李远红
  • 3篇阮耀钟
  • 3篇许彦旗
  • 3篇刘伟丰
  • 2篇石刚
  • 2篇黄大金

传媒

  • 5篇无机材料学报
  • 5篇物理化学学报
  • 5篇大学物理
  • 4篇物理学报
  • 3篇Chines...
  • 2篇科学通报
  • 2篇安徽工程科技...
  • 1篇功能高分子学...
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇材料导报
  • 1篇中国宇航学会...

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2007
  • 5篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 2篇2002
  • 8篇2001
  • 1篇1999
  • 3篇1998
  • 2篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 2篇1992
  • 2篇1991
  • 2篇1990
  • 1篇1987
46 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
纳米ZrO_2/(1-n)SiO_2-nAl_2O_3介孔复合作的制备与光致发光被引量:2
1998年
采用溶胶-凝胶法和超临界干燥技术制备了(1-n)SiO2-nAl2O3(n=0、001、0.1)混合气凝胶体系,并以此作为载体,成功地将纳米ZrO2粒子组装到(1—n)SiO2-nAl2O3介孔体系中,而形成纳米ZrO2/(1—n)SiO2-nAl2O3介孔复合材料.光致发光光谱研究表明,室温下以316um(392eV)波长激发时,纳米ZrO2粒子540um(230eV)荧光峰,在介孔复合体中将蓝移至400um(310eV)左右,蓝移量140um;其光致荧光峰的相对强度亦随Al2O3的掺入量不同而不同.对产生上述光谱性质变化的机理进行了初步探讨.
姚连增牟季美李远红蔡维理
关键词:复合体光致发光氧化锆氧化硅
BSCCO超导单晶的正电子湮没研究被引量:1
1991年
一、引言 正电子是研究固体电子结构,固体缺陷和相变的灵敏探针。对超导体而言,BCS理论预言,Cooper对的形成导致k空间占据态的重新分布,从而引起费米面的模糊。理论预计费米面的模糊将使超导态的正电子寿命增加,湮没辐射Dopper展宽能谱的线形参数S下降。
朱警生周先意龙期威顾根大蔡维理阮耀钟张裕恒
关键词:BSCCO高TC超导体单晶
退火对有序孔洞氧化铝膜荧光性能的影响被引量:9
2001年
用阳极氧化法在草酸溶液或硫酸溶液中制备了有序阵列孔洞的氧化铝膜.研究了在不同温度下、不同气氛中退火对多孔氧化铝膜荧光性能的影响.结果表明,随着退火温度的升高,发光带的强度也随之增强;与此同时,发光带的峰位出现蓝移.当退火温度Ta=500℃时,在草酸中制备的氧化铝膜的发光强度最强;而在硫酸中制备的膜,其发光最强的退火温度为400℃.当 T≤400℃时,氧化铝膜的发光强度基本上与退火气氛无关;当 Ta=500℃时,在草酸中制备的膜在空气中退火后的发光强度高于在真空中退火后的发光强度.在草酸中制备的氧化铝膜的发光带明显比在硫酸中制备的膜强得多.电子自旋共振的实验结果表明,蓝光发光带来自多孔氧化铝膜中的F+心.我们还对多孔氧化铝膜发光特性的机制进行探讨.
陈俊蔡维理牟季美
关键词:阳极氧化氧化铝膜光致发光荧光性能
谐振子产生算符和湮没算符的逆算符被引量:2
1996年
本文引入谐振子产生算符和湮没算符的逆算符,导出了它们在Fock空间的表达式,并给出了一些简单应用.
蔡维理范洪义
关键词:谐振子产生算符逆算符量子力学
高频溅射碳化硅薄膜的退火效应被引量:6
1996年
本文采用高频溅射方法,在抛光Si(111)衬底上制备出碳化硅薄膜,研究了薄膜的高温真空退火效应.实验表明,退火后的薄膜具有较为理想的结晶取向和发光性质.
陈伟王玉霞蔡维理汤洪高石磊卢江胡克良周贵恩赵亚盾钱逸泰
关键词:碳化硅薄膜退火效应
MnS纳米线阵列上MnS花状球的水热合成被引量:2
2010年
通过水热处理的方法,在氧化铝模板表面生成的MnS纳米线阵列上合成了六方相MnS花状球。利用场发射扫描电镜,透射电子显微镜,高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和X射线衍射对制备的样品进行了分析与表征。结果表明MnS花状球是在MnS纳米线阵列上生长的,纳米线的直径为70~80nm,与氧化铝模板的孔径一致且结晶性较好。随着阳极氧化氧化铝模板(AAO)的孔洞长度的减少,MnS花状球的数量快速增加。提出了MnS复合纳米结构可能的生长机制:氧化铝模板和反应中硫脲分解产生的H2S气体对产物的最终形貌有很重要的影响。室温光致发光光谱显示在420nm处存在一个很强的MnS带边发射峰。
陶锋於孝朋王志俊蔡维理姚连增
关键词:晶体生长化学合成微结构
掺Mn^(2+)离子纳米非晶SiO_2发光研究被引量:3
1997年
关于Mn^(2+)离子的发光性质研究已有很多报道,它们一般都集中在无机玻璃中,并对发光机理进行了分析。但对掺Mn^(2+)离子在纳米非晶SiO_2发光行为尚未见报道,本文运用溶胶凝胶法制备出掺Mn^(2+)离子纳米非晶SiO_2,测量其荧光光谱,当激发波长为337nm时,其发射光谱在460nm处有一强而宽的蓝光发光带。并对发光机理和发光强度的变化进行了研究。
李小毛牟季美姚连增蔡维理李远红张立德
关键词:锰离子发光机理纳米材料
Bi-Sr-Ca-Cu-O2212相超导单晶的定向生长被引量:1
1991年
用定向凝固法已成功地生长出Bi-Sr-Ca-O 2212相的超导大单晶,最大的单晶尺寸达到19×3×2mm^3。定向生长的单晶(001)面平行于生长方向,[100]方向为单晶的定向生长方向。劳厄像表明大晶体确为单晶,其质量比其它方法生长的单晶要高。氧气中退火后的单晶电阻测量和交流磁化率测量表明,零电阻温度T_(c(0))=81.5k。
顾根大蔡维理杨培芳王玉霞姚连增黄大金阮耀钟周贵恩程庭柱张裕恒
关键词:超导体单晶
纳米ZnO颗粒在阳极Al_2O_3模板中的强光致发光研究被引量:16
2001年
用金属醇盐水解法在阳极Al2 O3模板的有序孔洞中生长了纳米量级的ZnO颗粒 ,并用扫描电子显微镜 (SEM )和高分辨电子显微镜 (HRTEM )对其形貌进行观察。对纳米ZnO/多孔阳极Al2 O3模板组装体的光致发光谱进行测量 ,将组装体中纳米ZnO颗粒的发光强度与常规方法制备的纳米ZnO颗粒发光强度做了比较 ,就发光强度提高的原因进行了讨论。
石刚牟季美蔡维理张立德
关键词:光致发光金属醇盐水解法氧化锌荧光材料
纳米PbS/SiO_2气凝胶介孔组装体的制备及光学特性被引量:25
2001年
对用自行研制的SCD-I型高压釜制备的SiO2气凝胶与用胶体化学方法制备的PbS纳米粒子的组装体系的光学性质进行了研究.用透射电镜观察了其形貌,用光吸收谱仪及荧光光谱仪测定其光吸收谱及荧光谱.发现样品的光吸收边随退火温度升高由可见逐渐移到红外波段.样品的光致发光强度随退火温度上升先增强直至573K,而后随退火温度上升而减弱.我们认为光吸收边红移是由量子限域效应引起的,而荧光强度变化与PbS表面缺陷及激子的复合几率变化有关.
姚连增叶长辉牟季美蔡维理
关键词:气凝胶量子限域效应纳米级硫化铅光学性能
共5页<12345>
聚类工具0