蔡树芝
- 作品数：4 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中国科学院固体物理研究所更多>>
- 相关领域：理学冶金工程电子电信更多>>
- 纳米硅粉末的制备及红外吸收光谱研究被引量：5
- 1996年
- 纳米硅和多孔硅发光的发现,引起了人们对纳米级半导体材料研究的重视.对这种现象的解释主要归结为以下两点:一是因颗粒尺寸小而引起能带结构的变化,导致跃迁选择定则改变引起发光,即所谓量子尺寸效应;二是在硅小颗粒表面的氢、氧等杂质与硅化合形成缺陷,悬键所引起发光。目前对这两种解释尚无定论。对于后者,弄清楚纳米硅中氢、氧的存在方式与结构的关系对研究纳米硅的发光机理有很重要的意义。红外吸收光谱作为探测硅中的氢、氧等的手段已进行了很多的研究。本文利用激光诱导化学气相沉积法(LICVD)用SiH_4为原料制备了平均粒度为10～12nm的晶态纳米硅粉。并通过红外吸收光谱对纳米硅粉末中的氢和表面氧化所引起的氧的存在情况进行了分析。发现纳米硅粉末由于表面原子活性大,有氧化现象,在其中存在(H_2-Si)。原于团和HSiO两种类型的硅氢结构。前者是一种不稳定结构,退火温度达到600℃时分解,在红外谱上的吸收峰消失;后者是一种稳定结构,随退火温度的升高,氧含量的增多,向高波数方向移动。这主要是由于氧的电负性对H-Si的影响形成的。
- 蔡树芝钟汇才王颖张立德
- 关键词：纳米硅粉末半导体红外吸收光谱
- LICVD制备纳米固体块材装置的研制被引量：8
- 1997年
- ＬＩＣＶＤ制备纳米固体块材装置的研制＊王颖朱震刚蔡树芝王静（中国科学院固体物理研究所合肥２３００３１）０引言激光诱导化学气相沉积（Ｌａｓｅｒ－ＩｎｄｕｃｅｄＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ．简称为：ＬＩＣＶＤ）方法制备超细粉末技术是八十...
- 王颖朱震刚蔡树芝王静
- 关键词：激光化学气相沉积纳米材料超细粉末
- 纳米非晶 Si_3N_4固体结构和键合特征被引量：2
- 1992年
- 本文用 X 射线径向分布函数、电镜观察、X 射线电子能谱和 X 射线衍射图谱较系统地研究了纳米 Si_3N_4固体。结果表明,纳米非晶 Si_3N_4在25—1300℃热处理后颗粒没有明显长大,界面组分仍然占有相当大的比例,保持纳米非晶态基本特征、界面为一种新型短程序,Si—N 键配位严重不足,Si 悬键较多。纳米 Si_3N_4键结构不是典型的共价键。高于400℃退火,氧化明显,试样表面有 SiO_2生成。
- 张立德王涛蔡树芝牟季美
- 关键词：配位氮化硅陶瓷
- 纳米非晶氮化硅块体能态结构的紫外发射谱研究被引量：1
- 1992年
- 用紫外荧光发射谱较系统地研究了纳米非晶氮化硅块体(粒径～10nm)的能态结构,观察到三个发射带,它们分别对应2.0、2.8和3.2eV.随热处理温度升高,峰高增大,低真空下1000℃退火又出现一个新峰,对应3.0eV.分析表明,2.0和3.2eV 发射峰与纳米非晶氮化硅高比例界面中 Si 悬键形成受主型和施主型局域态能级有关.能级2.0eV 和3.2eV 分别对应导带电子与受主型缺陷局域态空穴复合及施主型缺陷局域态电子及价带空穴复合,只有在高温(1000℃)退火才出现的3.0eV 发射带与O-Si-N 生成新的缺陷局域态有关.
- 牟季美张立德蔡树芝李在涛
- 关键词：氮化硅
