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葛蔚明

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇电路
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻值
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇数模
  • 2篇数模混合
  • 2篇数模混合集成...
  • 2篇数字电路
  • 2篇双层多晶硅
  • 2篇阻值
  • 2篇模拟电路
  • 2篇混合集成电路
  • 2篇集成电路

机构

  • 2篇中国科学院上...

作者

  • 2篇王剑峰
  • 2篇陈学良
  • 2篇葛蔚明

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1998
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
双层多晶硅CMOS数模混合集成电路及其制造方法
一种双层多晶硅CMOS数模混合集成电路及其制造方法，系在普通CMOS工艺基础上用双层多晶硅将数字电路与模拟电路同时集成到一块集成电路上，制成所需的电阻值的电阻以及电容的上电极。因此，本发明电路包括半导体基片，该基片基本上...
王剑峰葛蔚明陈学良
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双层多晶CMOS数模混合集成电路及其制造方法
一种双层多晶CMOS数模混合集成电路及其制造方法,系在普通CMOS工艺基础上用双层多晶硅将数字电路与模拟电路同时集成到一块集成电路上,制成所需的电阻值的电阻以及电容的上电极。因此,本发明电路包括半导体基片,该基片基本上是...
王剑峰葛蔚明陈学良
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