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葛梅

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金黑龙江省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇击穿电压
  • 1篇比导通电阻
  • 1篇SOI结构
  • 1篇MOS器件

机构

  • 1篇哈尔滨工程大...

作者

  • 1篇王颖
  • 1篇葛梅

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
浮栅结构SOILDMOS器件的模拟研究被引量：1
2011年
研究了一种具有浮栅结构的SOI LDMOS(FGSOI LDMOS)器件模型,并分析了该结构的耐压机理,通过Silvaco TCAD软件对该结构进行仿真优化。通过仿真验证可知,该结构通过类场板的结终端技术可以调节器件的横向电场,从而得到比普通SOI LDMOS器件更高的耐压并且降低了器件的比导通电阻。仿真结果表明,该结构与普通SOI LDMOS器件结构在相同的尺寸条件下耐压提高了41%,比导通电阻降低了21.9%。
葛梅王颖
关键词：SOI结构比导通电阻击穿电压
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共1页<1>
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