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莫秋燕

作品数:1 被引量:4H指数:1
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院武汉光电国家实验室更多>>
发文基金:教育部留学回国人员科研启动基金湖北省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路模型
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩光电二极...
  • 1篇通信
  • 1篇频率响应
  • 1篇光电
  • 1篇光电二极管
  • 1篇光通信
  • 1篇光通信用
  • 1篇二极管
  • 1篇APD

机构

  • 1篇华中科技大学

作者

  • 1篇莫秋燕
  • 1篇赵彦立

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
光通信用雪崩光电二极管(APD)频率响应特性研究被引量:4
2011年
吸收层、电荷层和倍增层分离结构雪崩光电二极管(SACM-APD),包括InP/InGaAs、InAlAs/InGaAs和Si/GeAPD是光通信领域近年来研究的热点.本文基于电路模型,系统比较了不同外延层厚度、不同材料以及不同结构APD的频率响应特性,重点探讨Si/GeAPD吸收层厚度、光敏面大小、寄生参数等各项参数对带宽的影响,仿真结果与实际器件实验数据相符合.本文的研究成果对SACM-APD的优化设计具有指导意义.
莫秋燕赵彦立
关键词:电路模型频率响应
共1页<1>
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