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胡嘉冕

作品数:8 被引量:0H指数:0
供职机构:清华大学更多>>
相关领域:自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 6篇存储密度
  • 6篇存储器
  • 5篇磁电
  • 4篇随机存储器
  • 4篇铁磁
  • 4篇磁阻
  • 3篇电场
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻变化
  • 2篇形状各向异性
  • 2篇功耗
  • 2篇固定层
  • 2篇磁存储
  • 2篇磁矩
  • 2篇磁性层
  • 2篇磁阻效应
  • 1篇电场作用
  • 1篇电极
  • 1篇数据存储
  • 1篇晶体管

机构

  • 8篇清华大学

作者

  • 8篇南策文
  • 8篇胡嘉冕
  • 8篇李峥
  • 6篇林元华
  • 4篇舒立
  • 4篇陈龙庆
  • 4篇马静
  • 2篇沈洋
  • 2篇王建军
  • 2篇王婧

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
磁电随机存储单元及具有其的磁电随机存储器
本发明提出一种磁电随机存储单元,包括:底电极层;形成在底电极层之上的铁电氧化物层;形成在铁电氧化物层之上的铁磁自由层;形成在铁磁自由层之上的隔离层;和形成在隔离层之上的铁磁固定层,其中,铁磁自由层、隔离层和铁磁固定层构成...
南策文胡嘉冕李峥舒立林元华
磁电随机存储单元及具有该磁电随机存储单元的存储器
本发明公开了一种具有所述磁电随机存储单元的存储器包括:多个磁电随机存储单元;多个分别与所述磁电随机存储单元中的第一电极相连的访问晶体管;多个控制所述访问晶体管的字线;多个分别与所述磁电随机存储单元中的第二电极相连的第一板...
南策文李峥舒立胡嘉冕王婧马静林元华
文献传递
一种电压可调的磁阻变随机存储单元及其随机存储器
本发明提出一种电压可调的磁阻变随机存储单元,包括:底电极层;形成在底电极层之上的铁电氧化物层;形成在铁电氧化物层之上的磁性层,其中,磁性层和底电极层分别作为铁电氧化物层的上下电极而对铁电氧化物层施加电压,其中电压的方向垂...
南策文胡嘉冕李峥陈龙庆
文献传递
一种利用电场写入数据的四态磁存储单元
本发明公开了一种利用电场写入数据的四态磁存储单元。其包括:第一电极层;铁电氧化物层,所述铁电氧化物层形成于所述第一电极层上;第二电极层,所述第二电极层形成于所述铁电氧化物层上;磁性记录层,所述磁记录层形成于所述第二电极层...
南策文王建军李峥胡嘉冕冯明马静陈龙庆林元华沈洋
文献传递
磁电随机存储单元及具有其的磁电随机存储器
本发明提出一种磁电随机存储单元,包括:底电极层;形成在底电极层之上的铁电氧化物层;形成在铁电氧化物层之上的铁磁自由层;形成在铁磁自由层之上的隔离层;和形成在隔离层之上的铁磁固定层,其中,铁磁自由层、隔离层和铁磁固定层构成...
南策文胡嘉冕李峥舒立林元华
文献传递
一种电压可调的磁阻变随机存储单元及其随机存储器
本发明提出一种电压可调的磁阻变随机存储单元,包括:底电极层;形成在底电极层之上的铁电氧化物层;形成在铁电氧化物层之上的磁性层,其中,磁性层和底电极层分别作为铁电氧化物层的上下电极而对铁电氧化物层施加电压,其中电压的方向垂...
南策文胡嘉冕李峥陈龙庆
一种利用电场写入数据的四态磁存储单元
本发明公开了一种利用电场写入数据的四态磁存储单元。其包括:第一电极层;铁电氧化物层,所述铁电氧化物层形成于所述第一电极层上;第二电极层,所述第二电极层形成于所述铁电氧化物层上;磁性记录层,所述磁记录层形成于所述第二电极层...
南策文王建军李峥胡嘉冕冯明马静陈龙庆林元华沈洋
文献传递
磁电随机存储单元及具有该磁电随机存储单元的存储器
本发明公开了一种磁电随机存储单元,包括:铁电氧化物层;形成在所述铁电氧化物层之上的铁磁自由层;形成在所述铁磁自由层之上的隧道阻挡层;形成在所述隧道阻挡层之上的铁磁固定层;和形成在所述铁电氧化物层两侧的第一电极和第二电极,...
南策文李峥舒立胡嘉冕王婧马静林元华
共1页<1>
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