皮彪
- 作品数：22 被引量：20H指数：3
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种微结构阵列光学应变传感器设计及其制造方法
- 本发明公开了一种基于微结构阵列的光学应变传感器设计及制造方法，首先在弹性体基底材料表面进行镀膜，利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列；将制备好的器件固定在被测样品表面，利用光谱仪测量样品在形变前后...
- 兀伟任梦昕皮彪蔡卫张心正许京军
- 文献传递
- 固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析(英文)被引量：1
- 2010年
- 本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附。所得到的模型与现有实验结果匹配较好。该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系,同时也与实验数据相吻合。该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性。
- 曹雪舒永春叶志成皮彪姚江宏邢晓东许京军
- 关键词：INGAPGAAS
- 光学非线性偏振调控元件以及调控入射光波偏振的方法
- 本发明涉及一种光学非线性偏振调控元件，其中，其包括：一绝缘透明基底；一设置于该绝缘透明基底的一表面的金属等离子激元层，所述等离子激元层包括多个周期设置的具有手性的微结构；以及一设置于该金属等离子激元层远离该绝缘透明基底的...
- 任梦昕兀伟皮彪蔡卫张心正许京军
- 文献传递
- AlAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)的反射谱拟合与优化生长被引量：2
- 2005年
- 对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/A lAs反射镜的反射率曲线。利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之间的差异及其产生原因,实现了材料的优化生长,获得了反射率大于99%、中心波长和带宽接近理论计算值的DBR材料。该DBR的反射谱拟合与优化生长研究可应用于VCSEL和VECSEL激光器。
- 张冠杰舒永春皮彪姚江宏林耀望舒强刘如彬王占国许京军
- 关键词：分布布拉格反射镜高反射率
- 调制掺杂GaAs/AlGaAs2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究被引量：4
- 2006年
- 在掺Si的GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)结构中,得到μ2K=1·78×106cm2/(V·s)的高迁移率.在低温(2K)和高磁场(6T)的条件下,对样品进行红光辐照,观察到持久光电导(PPC)效应,电子浓度在光照后显著增加.通过整数量子霍尔效应(IQHE)和Shubnikov-de Haas(SdH)振荡的测量,研究了2DEG的子带电子特性.样品在低温光照后2DEG中第一子带和第二子带的电子浓度同时随电子总浓度的增加而增加;而且电子迁移率也明显提高.同时,通过整数霍尔平台的宽度对光照前后电子的量子寿命变短现象作了理论分析.
- 舒强舒永春张冠杰刘如彬姚江宏皮彪邢晓东林耀望许京军王占国
- 关键词：二维电子气量子霍尔效应
- Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料分子束外延的生长热力学(英文)
- 2011年
- 建立Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料的分子束外延生长热力学模型。该模型与实验材料InGaP/GaAs,InGaAs/InP及已发表的GaAsP/GaAs,InAsP/InP的数据吻合得很好。将晶格应变能△G及脱附对温度敏感这两个因素同时纳入热力学模型中,束流和生长温度直接影响合金组分,晶格应变能是合金组分的函数。热力学模型计算结果反映了束流和生长温度是生长过程中最主要的影响因素。讨论和分析了四元半导体材料InGaAsP/GaAs的热力学生长模型。
- 叶志成舒永春曹雪龚亮皮彪姚江宏邢晓东许京军
- 关键词：半导体材料热力学
- InP外延材料的MBE生长模式
- 2007年
- 采用固态磷源分子束外延技术,在不同的生长条件下生长了InP外延材料,并用原子力显微镜对样品表面形貌进行了系统研究.实验结果表明,样品表面形貌的显著变化与生长模式发生变化有关;二维(2D)生长模式和三维(3D)生长模式之间存在转换的临界工艺条件.通过对实验数据的分析,绘制了InP外延生长模式对应工艺条件的区域分布图;在2D生长区域获得了高质量的InP/InP外延材料.
- 皮彪舒永春林耀望徐波姚江宏邢晓东曲胜春王占国
- 关键词：INP
- 固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和InP/InP外延材料的兼容性研究(英文)被引量：1
- 2005年
- 通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料。在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;我们通过采取合理的工艺方法和生长工艺条件的优化,获得了电子迁移率为1.86×105cm2/Vs(77K)调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和电子迁移率为2.09×105cm2/Vs(77K)δSi掺杂AlGaAs/GaAs结构材料。InP/InP材料的电子迁移率为4.57×104cm2/Vs(77K),该数值是目前国际报道最高迁移率值和最低的电子浓度的InP外延材料。成功地实现了在一个固态源分子束外延设备交替生长高质量的调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和含磷材料。
- 张冠杰舒永春皮彪邢小东林耀望姚江宏王占国许京军
- 关键词：兼容性高电子迁移率分子束外延
- 一种微结构阵列光学位移传感器的制造方法及其用于检测微小位移的方法
- 本发明公开了一种微结构阵列光学位移传感器的制造方法及其用于检测微小位移的方法，所述方法包括：首先在基底材料表面进行镀膜，利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列；将具有微结构阵列的基底固定于被测样品表...
- 兀伟任梦昕皮彪蔡卫张心正许京军
- 文献传递
- 偏振成像系统以及采用该偏振成像系统成像的方法
- 本发明涉及一种偏振成像系统，其包括：一偏振光源、一调控光源、一消光滤波装置、一成像装置以及一光学非线性偏振调控元件；该光学非线性偏振调控元件包括：一绝缘透明基底；一设置于该绝缘透明基底的一表面的金属等离子激元层，所述等离...
- 任梦昕兀伟皮彪蔡卫张心正许京军
- 文献传递
