王建安
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：华中理工大学物理系更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 高温超导体Y-Ba-Cu-O相变的正电子湮没研究
- 1989年
- 在相变温度附近同时测量了电阻、正电子寿命谱和多普勒增宽能谱.发现在相变区域正电子的平均寿命τ_m、多普勒增宽线形参数H、S无规振荡,估计与晶格的不稳定性有关,似乎支持以双极化子理论为主的超导机制.
- 张端明李国元王建安何元金
- 关键词：超导体相变正电子
- 碲镉汞退火过程的电子结构变化的理论模型
- 1991年
- 本文提出了退火过程中碲镉汞电子结构变化的理论模型,并根据此理论模型建立了理论公式.由理论公式经计算得出的理论曲线与实验曲线很好地吻合,从而证明了理论模型的正确性.
- 张端明王建安李国元
- 关键词：碲镉汞退火电子结构电阻
- 碲镉汞电子结构缺陷的正电子湮灭研究被引量：2
- 1991年
- 碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,或称MCT),是60年代问世的一种性能优良的红外探测材料,它的电性能在很大程度上取决于电子结构中的缺陷:自然缺陷(空穴、填隙原子、空位和络化物等);扩散缺陷(位错、晶粒边界、沉积、熔点物和非掺入的杂质等).键稳模型断言,在MCT中,a.缺陷的形成和动态特性是热激活的;b.Hg-Te键很弱,汞空位是主要的自然缺陷;c.大多数扩散缺陷是电激活的.但是,迄今不能清楚地说明缺陷形成的动态过程及其与材料电性能的关系.正电子湮没技术(PAT)对于研究原子尺度的缺陷极其敏感.本文以PAT为手段,研究MCT退火过程中,缺陷浓度与电阻率的关系,以及充分退火后MCT的电阻率与温度的关系.
- 王建安张端明李国元何元金
- 关键词：碲镉汞电子结构正电子湮灭
