王宗畔
- 作品数：38 被引量：126H指数：5
- 供职机构：南开大学信息技术科学学院光电子薄膜器件与技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学一般工业技术更多>>
- Al:Ti合金栅a-Si TFT研究被引量：1
- 1997年
- 本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a－SiTFT中的应用．所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6．6μΩ·cm，与纯铝的相近．Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强，有效地抑制了小丘（Hillock）的产生和阳极氧化时的被腐蚀现象．采用Al∶Ti合金栅和Al2O3／SiNx双层绝缘层的a-SiTFT有着与采用Ta栅和单层SiNx绝缘层的a－SiTFT相近的I－V参数，但前者稳定性明显提高．经+10V栅偏压处理1小时，未见VT漂移．这种双层冗余技术还能有效提高成品率．
- 熊绍珍赵颖王宗畔谷纯芝王丽莉李俊峰周祯华代永平姚伦
- 关键词：硅栅器件TFT
- a-SiGe_x∶H薄膜准分子激光晶化的研究
- 1998年
- 用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a－SiGex∶H样品进行退火。只要激光退火能量密度合适，Ge含量不同的a－siGex∶H薄膜都可以被多晶化；随着Ge含量的增加，激光晶化阈值能量密度降低，耐退火能力也降低；在相同的激光晶化能量密度下，Ge含量越高的薄膜，激光晶化的效果越好，晶粒尺寸长得越大。
- 吴春亚张建军李洪波王庆章王庆章赵颖王宗畔孙钟林
- 关键词：激光退火准分子激光
- 大规模生产中的磁控溅射ZnO/Al复合背电极研究
- 2015年
- 采用直流磁控溅射设备制备ZnO/Al复合非晶硅电池背电极,在实际生产线上研究对比了使用ZnO/Al复合背电极与Al背电极的非晶硅电池性能,实验证明ZnO/Al复合背电极能提高太阳电池的短路电流和最大功率,并通过扩展实验验证了使用ZnO/Al复合背电极电池工艺稳定性较好,适合大规模非晶硅电池生产。
- 邱美艳王宗畔
- 关键词：非晶硅背电极短路电流最大功率
- 一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制备方法
- 一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池，由玻璃衬底、透明导电膜、P<Sub>1</Sub>-I<Sub>1</Sub>-N<Sub>1</Sub>非晶硅电池、P<Sub>2</Sub>-I<Sub>2</Sub>-N<Sub>2...
- 任慧志赵颖张晓丹葛洪王宗畔
- 文献传递
- 一种高稳定性非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及制备方法
- 一种高稳定性非晶硅/微晶硅叠层太阳电池，由衬底、透明导电膜、p型掺杂窗口层P<Sub>1</Sub>、非晶硅/微晶硅过渡区靠近非晶硅的本征层I<Sub>1</Sub>、n型掺杂层N<Sub>1</Sub>、p型掺杂窗口层...
- 任慧志赵颖张晓丹葛洪王宗畔
- 文献传递
- 大面积非晶硅/微晶硅叠层薄膜太阳电池的激光划线研究
- 本文主要对大面积非晶硅/微晶硅薄膜太阳电池的第二道和第三道激光切割进行了研究。针对微晶硅薄膜厚度增加、硅材料也更为致密，从而使得其对激光设备及工艺提出了更高的要求。通过我们对激光切割中的电流、频率以及电池有无背反射ZnO...
- 张德坤任慧志魏长春许盛之王宗畔赵颖张晓丹
- 关键词：非晶硅微晶硅激光切割薄膜太阳电池
- a-Si太阳电池陷光结构的新模型及其优化被引量：5
- 2001年
- 我们在分析陷光结构的表面形貌后 ,对陷光结构提出一个新的模型 ,并用它计算和分析折射率、形貌和膜厚等参数对陷光效果的影响。通过计算 ,我们找出这些参数的最佳值 ,并依此对陷光结构进行优化 。
- 麦耀华李洪波薛俊明杨恢东任慧志张德坤王宗畔耿新华
- 关键词：非晶硅太阳电池陷光结构
- 线列式分室连续PECVD系统制备弱光非晶硅太阳电池的研究
- 2007年
- 从非晶硅太阳电池在弱光条件下工作机理的特点出发,研究了不同工艺条件对电池特性参数的影响,介绍了自主研制的先进的线列式分室连续 PECVD 系统及工艺技术,分析了在该设备上制造出的高质量弱光非晶硅太阳电池的性能.实验结果表明,该工艺技术能够有效提高太阳电池性能质量.
- 王庆章赵庚申许盛之王宗畔耿新华
- 关键词：掺杂
- 一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制备方法
- 一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池，由玻璃衬底、透明导电膜、P<Sub>1</Sub>-I<Sub>1</Sub>-N<Sub>1</Sub>非晶硅电池、P<Sub>2</Sub>-I<Sub>2</Sub>-N<Sub>2...
- 任慧志赵颖张晓丹葛洪王宗畔
- 一种高稳定性非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及制备方法
- 一种高稳定性非晶硅/微晶硅叠层太阳电池，由衬底、透明导电膜、p型掺杂窗口层P<Sub>1</Sub>、非晶硅/微晶硅过渡区靠近非晶硅的本征层I<Sub>1</Sub>、n型掺杂层N<Sub>1</Sub>、p型掺杂窗口层...
- 任慧志赵颖张晓丹葛洪王宗畔
