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潘建海

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇多量子阱
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇分子束外延生...
  • 1篇多量子阱结构
  • 1篇生长温度
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇高温
  • 1篇半导体
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇ALXGA1...
  • 1篇波段
  • 1篇残余应力
  • 1篇衬底

机构

  • 3篇北京大学

作者

  • 3篇潘建海
  • 2篇沈波
  • 2篇黄呈橙
  • 2篇王新强
  • 1篇许福军
  • 1篇岑龙斌
  • 1篇宋杰
  • 1篇苗振林
  • 1篇闫晓东

传媒

  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
AlGaN/GaN多量子阱的分子束外延生长及其子带间跃迁性质的研究
我们利用分子束外延(MBE)的方法在蓝宝石衬底上得到了高晶体质量表面平整的AlN和全组分AlGaN 薄膜。通过从生长动力学以及应力的角度对AlN厚膜的MBE生长进行物性研究，并分析得到了AlN分子束外延生长区间图。
陈广王新强黄呈橙潘建海刘世韬沈波
关键词：分子束外延多量子阱
基于3—5μm波段子带间跃迁的AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的材料生长研究
@@半导体多量子阱结构的子带间跃迁(ISBT)是电子吸收光子从量子阱导带中的基态子带到激发态子带之间的跃迁，其在光探测器，电光调制器和光开关等光电器件方面有巨大的应用前景。
黄呈橙许福军闫晓东宋杰苗振林岑龙斌潘建海王新强沈波
文献传递
蓝宝石衬底上A1N薄膜的高温分子束外延生长
本文采用在蓝宝石衬底上分子束外延AlN薄膜的方法,系统研究了氮化温度、缓冲层、Al/N束流比、生长温度等生长条件对AlN的晶体质量和表面形貌的影响。通过RHEED、XRD、AFM和Raman等实验手段分析了不同的生长条件...
潘建海
关键词：蓝宝石衬底生长温度残余应力
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