湛新星
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
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- 相关领域：化学工程理学更多>>
- 高介Ba (Ti0.86Zr(0.14)) O3基Y5V型陶瓷的制备
- BaTiO3基弛豫铁电体由于其高介电常数、低介电损耗和良好的温度稳定性而被广泛的应用于多层陶瓷电容器(MLCC)和可调式微波元件。Y5V型陶瓷电容器拥有良好的容温特性。通常通过多种组分掺杂对BaTiO3陶瓷的A、B位进行...
- 湛新星
- 关键词：掺杂介电常数介电损耗
- 文献传递
- 锆钛酸钡基Y5V粉体材料及其制备方法
- 本发明公开了一种锆钛酸钡基Y5V粉体材料Ba(Ti<Sub>1-x</Sub>Zr<Sub>x</Sub>)O<Sub>3</Sub>+A，其在1200~1320℃温度范围内烧结形成具有超高介电常数和低介电损耗的Y5V型...
- 崔斌张璐琭马蓉王艳湛新星畅柱国
- 文献传递
- 纳米CuO掺杂(Ba_(0.87)Ca_(0.09)Sr_(0.04))(Ti_(0.90)Zr_(0.04)Sn_(0.06))O_3基Y5V陶瓷的制备与表征
- 2011年
- 目的以纳米CuO作为烧结助剂制备(Ba0.87Ca0.09Sr0.04)(Ti0.90Zr0.04Sn0.06)O3陶瓷(BC-STZS),研究纳米CuO的用量及烧结温度对BCSTZS陶瓷的微观形貌以及介电性能的影响,以期获得低烧Y5V型陶瓷材料。方法采用固相法掺入纳米CuO制备一系列的BCSTZS陶瓷。通过XRD,TEM和SEM对样品进行表征,并测试陶瓷的介电性能。结果在低温烧结时,陶瓷的密度和介电常数随CuO掺杂量的增加而增大,纳米CuO可以将BCSTZS陶瓷的烧结温度降低到1 150℃。当纳米CuO含量为1.5%(质量分数)时,BCSTZS陶瓷材料满足EIA Y5V标准,其εmax=8 690,介质损耗为1.67%,绝缘电阻率为5×1013Ω.cm。结论采用纳米CuO为助烧剂制备的BCSTZS陶瓷具有气孔率小、密度较大,晶粒大小一致且分布均匀的特点,采用该方法可以在低温下得到满足Y5V标准的BSCTZS基陶瓷材料。该研究具有重要的应用前景。
- 湛新星邢祎琳孙芳民畅柱国崔斌张逢星
- 关键词：钛酸钡纳米CUO介电陶瓷
- 高介Ba (Ti<sub>0.86</sub>Zr（0.14）) O<sub>3</sub>基Y5V型陶瓷的制备
- BaTiO3基弛豫铁电体由于其高介电常数、低介电损耗和良好的温度稳定性而被广泛的应用于多层陶瓷电容器(MLCC)和可调式微波元件。Y5V型陶瓷电容器拥有良好的容温特性。通常通过多种组分掺杂对BaTiO3陶瓷的A、B位进行...
- 湛新星
- 关键词：介电常数介电损耗
- 锆钛酸钡基 Y5V粉体材料及其制备方法
- 本发明公开了一种锆钛酸钡基Y5V粉体材料Ba(Ti<Sub>1-x</Sub>Zr<Sub>x</Sub>)O<Sub>3</Sub>+A，其在1200~1320℃温度范围内烧结形成具有超高介电常数和低介电损耗的Y5V型...
- 崔斌张璐琭马蓉王艳湛新星畅柱国
- Y5V型钛酸钡基介质瓷料的研究现状和展望
- 2011年
- Y5V型BaTiO3基介电陶瓷具有介电性能高、温度稳定性好等优点，因此被广泛的应用和研究。本文从Y5V型介电陶瓷研究的现状、制备方法、掺杂改性、低烧等方面进行了综述，并对其发展方向进行了展望。
- 马蓉湛新星畅柱国崔斌
- 关键词：掺杂改性介电性能
