殷志刚
- 作品数：6 被引量：13H指数：2
- 供职机构：河北科技大学化学与制药工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- CdSe纳米棒的制备及光电性能研究
- 本论文采用水热法制备了CdSe纳米棒，并对CdSe纳米棒进行了一系列表征，主要利用光电流作用谱、循环伏安、瞬态光电流等光电化学方法对CdSe纳米棒及不同晶型CdSe纳米棒、聚3-甲基噻吩和3-氯噻吩分别修饰CdSe纳米棒...
- 殷志刚
- 关键词：光电化学聚3-甲基噻吩
- 文献传递
- CdSe纳米棒的制备及光电性能研究被引量：5
- 2006年
- 采用水热法制备了CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征。结果表明,纳米棒直径在100nm左右,长度约300nm;纳米棒具有闪锌矿的结构;将CdSe纳米棒均匀涂在导电玻璃的导电面上,在400℃下煅烧30min后制备成纳米棒膜电极,并进行了光电化学研究,纳米棒膜结构电极最高单色光的光电转换效率(IPCE)可达74%。
- 郝彦忠殷志刚
- 关键词：水热法光电化学
- 聚3-氯噻吩修饰CdSe纳米棒复合膜电极光电化学性能研究被引量：2
- 2007年
- 采用水热法制备了具有闪锌矿和纤维锌矿结构的CdSe纳米棒.纳米棒直径约为100nm,长度约为300nm.当外加电极电势为-0·6V时,经聚3-氯噻吩[Poly(3-chlorothiophene),P3CT]修饰的CdSe纳米棒具有最大光电流,并且CdSe/P3CT复合膜电极最高光电转换效率(IPCE)为13·5%,低于CdSe纳米棒膜电极17·7%的最高IPCE.CdSe/P3CT复合膜电极中存在p-n异质结,p-n异质结的存在使得CdSe/P3CT复合膜电极在长波区(>410nm)的IPCE整体高于CdSe纳米棒薄膜电极的IPCE.
- 郝彦忠殷志刚
- 关键词：光电化学
- S(Se)化合物纳米棒的制备及应用研究被引量：2
- 2006年
- 主要对无机材料纳米棒最新研究进展进行了综述,简要介绍了其化学制备方法中的模板法、溶剂热反应法、电沉积法、化合物热解法等,及纳米棒的性质和纳米棒在光电化学领域的应用,并指出现阶段需要解决的问题。
- 殷志刚马建华郝彦忠
- 关键词：纳米棒
- 不同晶型Cdse纳米棒的制备及光电性能研究被引量：6
- 2007年
- 采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒,并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征．结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒,反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒．并对纳米棒进行了光电性能测定,纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极的光电转换效率(IPCE)优于闪锌矿型CdSe纳米棒膜电极的IPCE．CdSe／PMeT复合膜电极在具有最大光电转换效率时的波长发生了红移．
- 郝彦忠殷志刚
- 关键词：光电化学CDSE/PMET复合膜电极
- 聚3-甲基噻吩修饰CdSe纳米棒复合膜电极光电化学性能研究被引量：1
- 2007年
- 采用水热法制备了具有闪锌矿和纤维锌矿结构的CdSe纳米棒,纳米棒直径约100 nm,长度约300nm。当电极电势为-0.7 V时聚3-甲基噻吩(PMeT)修饰CdSe纳米棒有最大光电流。CdSe纳米棒/PMeT中存在p-n异质结,p-n异质结存在使得CdSe纳米棒/PMeT复合膜电极在长波区光电流高于CdSe纳米棒薄膜电极光电流。
- 郝彦忠殷志刚
- 关键词：光电化学导电聚合物
