段晓峰
- 作品数：65 被引量：105H指数：5
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- 应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究被引量：1
- 2007年
- 本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变。利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)测量了沟道区的压应变和切应变,并讨论了沟道区产生巨大压应变(2%以上)的原因。
- 段晓峰刘海华徐秋霞刘邦贵
- 关键词：应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管
- 电子显微学进展及其在材料科学中的应用被引量：2
- 2008年
- 文章简要介绍了高分辨电子显微学方法和电子能量损失谱的进展.文中特别指出,随着电子显微技术的发展,原子分辨电子显微图像对结构问题的深入研究有重要作用.装备有能量单色器的新一代电子显微镜,可以直接给出高能量分辨率的电子能量损失谱(优于0.1eV).这些先进技术方法的应用,推动了晶体结构学、材料科学、物理学、纳米科学及生命科学的发展,也为解决很多重要结构问题奠定了基础.文章重点讨论了几个典型功能材料体系的结构问题:利用大角度会聚束电子衍射技术,分析了应变硅器件中的应变分布;利用原位电子显微技术,研究了新型电子铁电体LuFe2O4电荷序和物理性能的关系;深入探讨了强关联体系中电子关联效应对电子能量损失谱和电子结构的影响.
- 李建奇段晓峰
- 关键词：电子能量损失谱功能材料
- 一种用于电磁双棱镜偏转电子束的细丝及其制作方法
- 本发明提供一种用于电磁双棱镜的偏转电子束的细丝及其制作方法。该细丝的本体可以是导电的纳米线材，或绝缘的纳米线材，并在绝缘的纳米线材的表面涂敷一层金属涂层，即复合导电丝，其中金属涂层的厚度为5nm～100nm；所述的纳米线...
- 车仁超杨新安段晓峰李建奇
- 文献传递
- (111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察
- 胡桂青孔翔王乙潜万里段晓峰陆沅刘祥林
- 文献传递
- 自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究被引量：5
- 1997年
- 本文报道了关于InAs／GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果．透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和．还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多层耦含量子点的光致发光谱具有高能带尾．
- 王志明邓元明封松林吕振东陈宗圭王凤莲徐仲英郑厚植高旻韩培德段晓峰
- 关键词：量子点自组织生长砷化铟
- (001)SrTiO_3衬底上的Ba_(0.7)Sr(0.3)TiO_3/YBa_2Cu_3O_(7-δ)外延生长薄膜的界面结构研究
- 2004年
- 本文利用透射电子显微学和高分辨电子显微学研究了SrTiO3衬底上的Ba0 7Sr0 3TiO3 YBa2Cu3O7-δ(BST YBCO)外延薄膜的界面结构。结果表明在BST YBCO界面形成了阶梯(step terrace)结构,同时BST外延膜生长良好。在YBCO薄膜表面形成梯形结构后,也可能按照台阶生长(step flow)模型生长出完好的BST薄膜。
- 齐笑迎杨浩孔祥胡桂青段晓峰赵柏儒
- 关键词：结构参数
- 利用自制可加磁场样品台对链状位移型磁畴壁的原位洛伦兹电子显微术研究被引量：4
- 2011年
- 利用自制的可加磁场样品台,结合离焦洛仑兹电子显微术,原位研究了坡莫合金中的一种链状位移型磁畴壁在磁化和反磁化过程中的变化,并据此提出了相应的样品薄膜面内的磁力线分布模型。
- 刘海华车仁超王志峰段晓峰
- 关键词：磁畴坡莫合金
- Ge＿xSi＿（1－x）／Si应变层超晶格的横截面电镜样品中的弹性驰豫被引量：4
- 1995年
- 迭加有样品阴影像的大角度会聚束电子衍射花样可以用来研究样品中局部应变。在本文中作者利用大角度会聚柬电子衍射技术测量并模拟计算了ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变层超品格的横截面电镜样品中的弹性驰豫和样品厚度的关系。
- 段晓峰
- 关键词：应变层超晶格横截面电镜
- AlSb／GaAs异质外延薄膜应变的HRTEM几何相位分析被引量：3
- 2009年
- 用几何相位分析(geometric phase analysis,GPA)方法研究了AlSb/GaAs异质外延薄膜的应变。此方法基于高分辨像的傅里叶变换。通过选择傅里叶变换点分辨率以内的某个强衍射,做反傅里叶变换得到晶格条纹的相对的相位分布,进一步得到应变分布。Bragg滤波条纹像确认了60°和90°失配位错的存在。分析讨论了位错核心区域应变分布差异的可能机制。
- 贺小庆温才卢朝靖段晓峰
- 关键词：异质结失配位错
- 电子辐照诱发固态相变导致的氮化硼纳米结构生长被引量：4
- 2002年
- 报道了N+离子轰击产生的氮化硼 (BN)纳米结构 ,及在电子辐照时结构演化的高分辨透射电子显微镜的原位测定结果 .应当强调的是 ,这种类 富勒烯和发夹结构的演化 ,实际上是电子辐照诱发固态相变的发展 ,观察中发现的一些BN颗粒、卷曲物 ,可以被认为是类 富勒烯等纳米结构形成的前体或早期阶段 .提出了一种类 富勒烯等结构的电子辐照动力学模型 ,并进行了讨论 .
- 王震遐李学鹏余礼平马余刚何国伟胡岗陈一段晓峰
- 关键词：氮化硼电子辐照透射电子显微镜固态相变
