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梁帮立

作品数：8 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 6篇探测器
  • 5篇红外
  • 5篇GAINAS...
  • 4篇红外探测
  • 4篇红外探测器
  • 3篇光电
  • 3篇半导体
  • 3篇GA
  • 3篇Y
  • 3篇X
  • 2篇电器件
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇光电器件
  • 2篇AS
  • 1篇中红外
  • 1篇室温
  • 1篇数值模拟
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇光电子

机构

  • 6篇苏州大学
  • 5篇中国科学院上...
  • 2篇中国科学院
  • 2篇上海科学院

作者

  • 8篇梁帮立
  • 5篇夏冠群
  • 4篇范叔平
  • 2篇杨易
  • 2篇富小妹
  • 2篇陈兴国
  • 2篇程宗权
  • 2篇褚君浩
  • 1篇周咏东
  • 1篇郑燕兰
  • 1篇黄志明
  • 1篇蒋春萍

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子技术
  • 1篇全国第九次光...
  • 1篇全国第九次光...

年份

  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 3篇2000
  • 2篇1999
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)材料的光学常数被引量：2
2001年
报导了用红外椭圆偏振光谱测定的不同组分 GaxIn1－ xAsySb1－ y材料室温光学常数（ n和α） ,并且实验观察到明显的折射率增强效应 ,发现组分在 x=0.2～ 0.3之间折射率峰值随组分 x近似于线性变化。
梁帮立夏冠群范叔平郑燕兰
关键词：光学常数室温光电子材料
2.4μm GaInAsSb红外探测器台面腐蚀研究
2000年
本文提出了适于２．μｍ　ＧａＩｎｓＳｂ台面结构探测器制备的ＨＦ／Ｈ２Ｏ２／ Ｃ４Ｈ６Ｏ６／Ｈ２Ｏ腐蚀液体系，并确定了合适的成分配比。实验结果表明，该腐蚀液 体系对ＧａＩｎＡｓＳｂ材料腐蚀速度适中、侧向腐蚀小、不破坏光刻胶保护、腐蚀面 平整、腐蚀槽齐整、受外延付表面质量影响较小。
梁帮立夏冠群富小妹程宗权
关键词：GAINASSB红外探测器
GaInAsSb中红外探测器的设计与制作
陈兴国杨易程宗权富小妹梁帮立
关键词：GAINASSB红外探测器化合物半导体光电器件
文献传递网络资源链接
用拉曼散射谱与远红外反射谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)四元混晶的长波光学声子被引量：2
2001年
报道了 MBE外延生长的 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的拉曼散射谱与远红外反射谱 ,并从拉曼散射谱中观察到了 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的晶格振动四模行为 ;从实验中还观察到低于 180 cm- 1的若干散射峰 ,提出它们可能是与次近邻原子间相互作用的晶格振动模式有关 ;从拉曼散射谱和红外反射谱中观察到了与 Gax In1 - xAsy Sb1 -
梁帮立梁帮立蒋春萍夏冠群范叔平
关键词：红外探测器
GaInAsSb中红外材料与探测器
本文主要介绍了GaInAsSb材料表征、材料物理与器件物理、器件关键工艺的研究结果，为提高器件性能，对探测器材料与器件结构进行了优化设计，主要工作及得到的结果如下：用红外椭圆偏振光谱测定了不同组分GaInAsSb;材料室...
梁帮立
关键词：探测器
文献传递
中红外GaInAsSb PIN多结光伏探测器设计与数值模拟
2002年
从非平衡载流子的扩散 -复合理论出发 ,提出 PIN多结探测器材料结构 ,并建立了理论模型进行定量计算 ,从理论上解决了不能同时兼顾增大量子效率与光电增益和降低噪声的矛盾。利用该模型对 Ga In As Sb材料体系作了数值模拟 ,单结器件性能的计算值和实测值基本吻合 ,并根据多结器件模拟结果设计了工作于2 .4μm波段的 Ga In As Sb
梁帮立夏冠群周咏东范叔平
关键词：数值模拟光伏探测器
GaInAsSb中红外探测器的设计与制作
陈兴国杨易程宗权富小妹梁帮立
关键词：GAINASSB红外探测器化合物半导体光电器件
红外椭圆偏振光谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)材料的禁带宽度被引量：2
2000年
采用红外椭圆偏振光谱研究了与 Ga Sb衬底近晶格匹配的不同组分 Gax In1 - x Asy Sb1 - y样品位于禁带宽度能量位置之上、附近和之下的室温折射率光谱 .根据禁带宽度能量位置附近的折射率增强效应确定了 Gax In1 - x Asy Sb1 - y样品的禁带宽度 ,并发现在组分 x=0 .2～ 0 .3之间禁带宽度随组分 x近似于线性变化 .
梁帮立夏冠群黄志明范叔平褚君浩
关键词：半导体材料禁带宽度
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