公共文化服务平台

SiC衬底GaN LED生长及器件制备: 半导体发光二极管(LED)是制备半导体照明这一新型光源的核心元器件,具有巨大的市场前景。蓝光GaNLED可采用蓝宝石(Sapphire)与碳化硅(SiC)作为外延衬底材质,并以蓝宝石基板应用较为普遍。SiC与GaN的晶格...; 梁红伟宋世巍张克雄申人升柳阳杜国同

金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED的制备方法: 本发明公开了一种金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED及制备方法。本发明金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED是将发射蓝光的LED和发射红光、黄光或红黄混合光的LED连接在一起，在电流驱动下发射白光。本发明的特点是将两种发射不同...; 申人升梁红伟柳阳杜国同; 文献传递

在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜: 本发明提供一种在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜，在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法包括以下步骤：选取镓系半导体衬底，并清理镓系半导体衬底表面；然后在含有氧分压的气氛中，采用外部能量对镓系半导体衬底...; 夏晓川柳阳申人升梁红伟杜国同胡礼中

铁催化烯烃的硼化反应合成烷基硼酸酯: 烷基硼酸酯是有机合成中一类重要的碳亲核试剂，其中烷基频哪醇硼酸酯化合物对空气和水份都不敏感，可以通过常规的手段纯化、存储。而且，频哪醇硼酸酯易于官能团衍生化，可以转化为相应的醇、醛和胺等化合物。鉴于烷基硼酸酯在有机合成中...; 柳阳; 关键词：合成工艺铁催化剂; 文献传递

400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文): 2013年; 利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED。带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW。此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布。; 王东盛郭文平张克雄梁红伟宋世巍杨德超申人升柳阳夏晓川骆英民杜国同; 关键词：金属有机物化学气相沉积 GAN发光二极管电子阻挡层超晶格

一种基于SiC衬底的垂直结构GaN基紫外LED及其制备方法: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，公开了一种基于SiC衬底的垂直结构GaN基紫外LED及其制备方法，首先在SiC衬底上制备GaN基紫外LED结构；然后在p-GaN层上制备欧姆反射层及金属键合层；其次将制备好金属键...; 梁红伟柳阳杜国同申人升夏晓川; 文献传递

一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法: 本发明属于半导体材料器件制备技术领域，公开了一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、正面刻蚀区、背面刻蚀区、二氧化硅保护层、肖特基接触电极、欧姆接触电极和金引线电极。正面刻蚀区为高阻碳化硅单晶片的上表...; 梁红伟王德煜马浩然柳阳张克雄张振中张贺秋张赫之夏晓川

一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法: 本发明属于半导体器件欧姆接触电极制作技术领域，提供了一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法，步骤如下：步骤1、在氧化镓层上依次预沉积镁层和金层，镁层的厚度为1nm～1mm，金层的厚度为1nm～1mm；步骤2、将上述样品进行热处...; 夏晓川梁红伟张贺秋柳阳; 文献传递

空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜: 本发明提供一种空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜，空穴导电特性氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：将衬底置于密封反应室内的生长托盘上，加热托盘到高于氧化镓膜预期生长温度10-200℃，对衬底进行热处理；将托...; 梁红伟夏晓川柳阳申人升杜国同胡礼中; 文献传递

MOCVD法制备Cu掺杂ZnO薄膜被引量：5: 2011年; 通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,在c-Al2O3衬底上生长本征和Cu掺杂ZnO(ZnO∶Cu)薄膜。X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO和ZnO∶Cu样品都呈现出较好的c轴择优取向生长。X射线光电子能谱(XPS)表明Cu已掺入到ZnO薄膜中。利用光致发光(PL)测试对本征ZnO和ZnO∶Cu进行室温和低温PL测试,在ZnO∶Cu样品的低温PL谱中观察到一个强度很强、范围很广的蓝紫光发射峰(Blue-violet发射峰,BV发射峰),范围在2.8～3.3 eV之间,又进一步通过变温PL测试发现随着温度的升高,BV发射峰峰位发生红移,且80 K时BV发射峰高能边出现自由电子向受主能级(eA0)的跃迁发光,并计算了Cu受主离化能。; 许露梁红伟刘远达李春野柳阳边继明李国兴李万程吴国光杜国同; 关键词：MOCVD 光致发光

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

柳阳