杨戈
- 作品数：11 被引量：12H指数：1
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- 相关领域：电子电信核科学技术一般工业技术更多>>
- p-CZT的钝化处理和C-V特性研究
- 2006年
- 采用NH4F/H2O2作为p-CZT晶片的表面钝化剂,对未钝化与钝化表面处理的p-CZT晶片的C-V特性进行了对比研究。用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分,发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3.1 nm的TeO2氧化层。用Agilent 4294A高精度阻抗分析仪,在1MHz下对未钝化的和钝化的CZT晶片进行C-V测试。对测试结果的计算表明,钝化提高了Au与CZT接触的势垒高度b。未钝化的b为1.393 V,钝化后b变为1.512 V。
- 李强介万奇付莉汪晓芹查刚强杨戈
- 关键词：钝化C-V特性
- 垂直布里奇曼生长炉及炉内温度场优化方法
- 本发明公开了一种垂直布里奇曼生长炉，炉外壳中从下到上依次是隔热板、两组I型加热模块、散热片、一组II型加热模块、两组I型加热模块和炉膛盖，隔热板中心孔是耐火陶瓷棉，五段加热模块中心位置是两段衬管，两段衬管用散热片隔开，衬...
- 介万奇徐亚东王涛刘伟华杨戈张继军
- 文献传递
- 改进的垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体中的成分偏离现象被引量：1
- 2007年
- 采用多种测试方法,对改进的垂直布里奇曼法生长Cd0.96Zn0.04Te晶体中的成分偏离标准化学计量比现象及其对晶体性能的影响进行了研究.X射线能谱成分测试表明,在晶锭的头部即初始结晶位置,(Cd+Zn)/Te比大于1;而在中部及末端,小于1.表明这种方法生长的CZT晶体仍然存在对标准化学计量比的偏离现象,开始结晶是在富Cd熔体中,生长至中后段则是在富Te条件下进行的.PL谱测试表明,富Cd的晶片内存在大量Te空位,严重富Te的晶片内Cd空位及其杂质复合体等引起的缺陷密度显著增加.晶体红外透过率测试结果表明,接近化学计量配比的CZT晶片具有高的红外透过率.
- 王涛杨戈曾冬梅徐亚东介万奇
- 关键词：CDZNTEPL谱红外透过率
- Au/p-CZT晶体的光致发光以及电学性能研究被引量：1
- 2006年
- 对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱,结果表明NH4F/H2O2作为CZT晶体表面钝化剂,钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度,同时减小了与Cd空位复合有关的深能级杂质浓度。用Agilent 4339B高阻仪进行CZT晶片I-V特性测试以及Agilent 4294A高精度阻抗分析仪进行CZT晶片的C-V特性测试,结果表明钝化均能不同程度提高Au/p-CZT接触的势垒高度,减小了漏电流。主要原因是在CZT表面钝化生成的TeO2氧化层增加接触势垒高度,并减小了电荷因隧道效应而穿过氧化层的几率。
- 李强介万奇傅莉汪晓芹查钢强曾冬梅杨戈
- 关键词：PL谱I-V特性C-V特性
- 化合物半导体Cd<,1-x>Zn<,x>Te中的In掺杂及其与Au的接触特性
- Cd<,1-x>Zn<,x>Te晶体具有优异的光电特性，是理想的室温核辐射探测器用材料。尽管对Cd<,1-x>Zn<,x>Te的研究由来已久，但在高电阻Cd<,1-x>Zn<,x>Te晶体制备、大直径Cd<,1-x>Zn...
- 杨戈
- 关键词：光致发光晶体生长化合物半导体接触特性
- Cd0．9Zn0．1Te晶体中的In掺杂研究
- 采用电感耦合等离子质谱仪(ICP-MS)和光致发光的手段研究了 In 在 CdZnTe 晶体中的分布及存在状态．浓度测试结果表明,In 的分凝特性受生长条件影响很大,沿晶体轴向有效分凝因数在0．19到0．5之间变化．对高...
- 王涛徐亚东刘伟华曾冬梅杨戈介万奇
- 关键词：自补偿ICP-MS
- 文献传递
- Au与p-CZT晶体的接触特性及其CZT表面处理状态的影响被引量：1
- 2006年
- 对不同腐蚀、钝化表面处理的CZT晶片与Au接触的I-V特性进行了研究。用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分,发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3.1nm的TeO2氧化层。用Agilent4339B高阻仪进行未腐蚀、腐蚀与腐蚀钝化的CZT晶片I-V特性测试,结果表明腐蚀和腐蚀钝化均能不同程度提高Au/p-CZT接触的势垒高度,相应地减小了漏电流。
- 李强介万奇傅莉汪晓芹查钢强杨戈
- 关键词：钝化
- Cd0.9Zn0.1Te晶体中的In掺杂研究
- 2007年
- 采用电感耦合等离子质谱仪（ICP-MS）和光致发光的手段研究了In在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的分布及存在状态,浓度测试结果表明，In的分凝特性受生长条件影响很大，沿晶体轴向有效分凝因数在0．19到0．5之间变化。对高电阻和低电阻In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶体光致发光强度与温度依赖关系的研究表明，高电阻晶体D^0X峰存在两个热激活能2．8meV和21meV，低电阻晶体A^0X热激活能为3．4meV。分析认为In掺杂导致的自补偿效应是导致掺杂效率低下的原因。
- 王涛徐亚东刘伟华曾冬梅杨戈介万奇
- 关键词：自补偿ICP-MSPL谱
- Cd/_（1-x）Zn/_xTe晶体生长工艺研究及退火掺杂
- Cd/_/(1-x/)Zn/_xTe晶体具有优异的光电性能，是一种非常重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。当x=0.04时，它是红外探测器材料Hg/_/(1-y/)Cd/_yTe的理想外延衬底；当x=0.05～0.2时，它被...
- 杨戈
- 关键词：红外透过率电阻率
- 文献传递
- 垂直布里奇曼生长炉及炉内温度场优化方法
- 本发明公开了一种垂直布里奇曼生长炉，炉外壳中从下到上依次是隔热板、两组I型加热模块、散热片、一组II型加热模块、两组I型加热模块和炉膛盖，隔热板中心孔是耐火陶瓷棉，五段加热模块中心位置是两段衬管，两段衬管用散热片隔开，衬...
- 介万奇徐亚东王涛刘伟华杨戈张继军
- 文献传递
