杨得全
- 作品数：60 被引量：70H指数：4
- 供职机构：中国科学院兰州物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技部专项基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 碲镉汞材料及工艺控制的分析方法
- 1993年
- 随着碲镉汞红外器件的小型化、高品质化和性能的提高,对原材料的纯度、器件工艺质量控制方法提出了更高的要求。就分析方法而言,不仅要求有高的定量分析精度,同时要求分析方法对杂质元素的分析范围广(多元素分析)、元素的探测灵敏度高。对器件工艺控制分析来说,除了基体元素成分、杂质元素的定量分析外,还要求分析方法能在横向和纵向分析,并有相当的空间分辨率。就上述要求给出了碲镉汞材料提纯、CMT(碲镉汞,Cd(?)Hg(?)Te)晶体生长及器件工艺控制分析的主要分析技术方法、特点及其进展。讨论了基体元素定量分析的精度,痕量元素定量分析的能力、灵敏度及其进行深度剖面分析的深度分辨率。
- 杨得全范垂祯
- 关键词：半导体材料红外探测器碲镉汞
- 合金电子谱定量分析中离子溅射修正因子的研究
- 1992年
- 离子溅射修正是电子谱(俄歇电子谱,AES和X射线光电子谱,XPS)、离子谱(二次离子质谱,SIMS和低能离子散射谱,ISS)定量分析中的关键问题之一。本文根据作者最近提出的离子轰击合金表面成分再分布关系,得到了表面分析中离子溅射修正因子的分析表达式,总结了近十多年来合金离子溅射修正因子的一些较普遍的实验结果,用本文报道的计算关系较好地解释了这些实验结果。讨论了溅射修正因子受轰击离子参数(入射角、能量)、组分浓度等因素的影响。同时用本文给出的分析计算关系讨论了择优溅射、离子辐照诱导偏析和增强扩散效应对溅射修正因子的影响。
- 杨得全张韶红范垂祯
- 关键词：合金
- 一种高灵敏度无水肼气体传感器被引量：1
- 1997年
- 采用Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｔｇｅｔ（ＬＢ）技术在Ａｌ平面电极上沉积制备了一种有机络合物ＬＢ膜。测试结果说明，这种敏感膜对无水肼（Ｎ２Ｈ４）气体在室温环境下具有很高的探测灵敏度：对无水肼在空气中的探测极限优于５×１０－７，其响应时间和恢复时间均不大于１０ｓ。这种高灵敏度敏感薄膜可用于制备便携式Ｎ２Ｈ４气体监测装置。
- 杨得全王润福谢舒平郭云范垂祯王海军力虎林
- 关键词：漏泄敏感器LB膜传感器推进剂
- Te、Cd材料二次离子质谱相对灵敏度因子及其规律性
- 张景闻杨得全
- 关键词：二次离子质谱聚变装置
- 平面电极薄膜气体传感器中的表面与界面
- 1997年
- 有机半导体薄膜由于具有特殊离域的。电子体系的特殊结构，特别是LB膜制备技术的采用，使得制备的有机半导体薄膜具有定向性和极高的比表面积，在气体传感器应用中显示出优异的性能．本文主要讨论了平面电极式有机半导体薄膜气体传感器研制中与表面和界面有关的技术问题及其解决的基本方法．
- 杨得全范垂祯
- 关键词：气体传感器
- 氮离子注入钢表面碳层的研究被引量：1
- 1989年
- 本文对四种相同能量、不同剂量氮离子注入的GCr15钢表面形成的石墨碳层进行了Auger研究。Auger剖面谱图的结果表明此碳层厚度与氮离子的注入剂量成正比。与摩擦磨损实验结果比较,发现摩擦系数在随时间变化曲线的初期,小于0.20,即离子注入过程中钢表面形成的碳层有助于减小摩擦系数。
- 余镇江杨得全谢燮阎荣鑫范垂祯
- 关键词：GCR15
- 表面分析标准的研究概况
- 1989年
- 表面分析正逐步变成广泛使用的常规分析测试技术。为使分析的实验精度、准确度和可靠性较好,建立在各国之间一致的表面分析标准是十分必要的。首先介绍了美国材料测试学会的表面分析E—42组织工业发达国家先进材料和标准Versailles组织的表面化学分析组织。以及国际纯碎和应用化学组织的表面分析组织在近期开展的表面分析标准的研究活动和计划,最后就我国表面分析标准的研究提出了一些看法。
- 杨得全
- 导电原子力显微镜及其应用被引量：1
- 1999年
- 简要介绍了导电原子力显微镜的产生和应用的历史，讨论了导电原子力显笛镜的特点、工作原理以及工作方式，对近几年来利用导电原子和实际应用的情况进行了介绍。
- 郭云杨得全
- 关键词：原子力显微镜
- 金属硅化物的离子溅射修正被引量：2
- 1991年
- 低能离子溅射金属硅化物是制备半导体器件的重要工艺过程。本文总结了文献报道的Cr-Si、Mo-Si、V-Si、Ti-Si、Co-Si和Cu-Si金属硅化物经低能惰性离子轰击后表面成分变化的一些实验现象,用我们提出的理论修正模型计算了离子溅射修正因子,发现得到的理论修正关系能够较好的解释全部实验结果。此外,用本文的理论修正关系讨论了影响离子溅射修正因子的一些因素,给出了溅射修正因子随原子表面升华能的变化曲线,可望用于金属硅化物离子溅射的定量修正。
- 杨得全张韶红范垂祯
- 关键词：修正因子硅化物离子轰击表面偏析离子辐照
- 覆氧或氧离子轰击下固体表面二次正离子发射的研究被引量：2
- 1994年
- 通过对离子轰击下固体表面电离过程重新考虑认为，在固体表面覆氧或氧离子轰击下除表面原子的直接电离外，激发态双原子间电子交换和断键亦起重要作用。在此基础上修正了局部热力学平衡模型，得到了一个包含各类离子内配分函数、电离能、金属－氧原子键断键能以及表面金属原子与氧原子结合份数等参数决定的新电离几率分析表达式。应用该分析表达式解释了金属表面覆氧、氧离子轰击金属、化合物半导体表面二次离子发射中氧增强效应、充氧量对二次离子发射的影响及其基体效应等实验现象。并由此得到了元素相对灵敏度因子的分析表达式，对化合物半导体及一些陶瓷材料表面二次离子质谱分析中元素灵敏度因子随元素电离能变化曲线给予了相应的物理解释。
- 杨得全范垂祯
- 关键词：氧离子轰击
