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来强涛

作品数:16 被引量:31H指数:3
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信航空宇航科学技术电气工程更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 6篇专利

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 5篇电路
  • 5篇稳压
  • 4篇带隙基准
  • 4篇陀螺
  • 4篇稳压电路
  • 3篇抑制比
  • 3篇跨阻放大器
  • 3篇放大器
  • 3篇感器
  • 3篇MEMS陀螺
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇电流负反馈
  • 2篇电源
  • 2篇增益
  • 2篇锁相
  • 2篇锁相环
  • 2篇偏置
  • 2篇偏置电压
  • 2篇频率综合器

机构

  • 15篇中国科学院微...
  • 5篇中国科学院大...
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇南开大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 16篇郭桂良
  • 16篇来强涛
  • 10篇郭江飞
  • 8篇刘生有
  • 8篇陈华
  • 8篇姜宇
  • 7篇韩荆宇
  • 6篇阎跃鹏
  • 2篇谢勇
  • 1篇戴宇杰
  • 1篇罗超
  • 1篇张润曦
  • 1篇倪侃
  • 1篇张龙
  • 1篇姜宇

传媒

  • 5篇微电子学与计...
  • 2篇现代电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇湖南大学学报...

年份

  • 1篇2020
  • 6篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2014
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
MEMS谐振器中高增益跨阻放大器设计被引量:2
2016年
微机械(MEMS)圆盘谐振器的振荡器具有相位噪声低,抖动小,温漂小等特点.采用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计实现了一款用于驱动MEMS圆盘谐振器的高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器.该放大器采用低功耗宽带电流预放大和电流电压转换级输入技术,结合基于Cherry-Hooper反相器电压放大的电路结构,实现了增益、带宽、噪声、低电源电压和动态范围等指标间的折衷,成功驱动了MEMS圆盘谐振器.Spectre仿真表明,单端跨阻增益高达115dBΩ,-3dB带宽超过500MHz,等效输入噪声电流平均值为25pA/槡Hz,功耗仅为17.6mW,芯片面积(包括所有PAD)为620μm×620μm.
谢勇来强涛陈华姜宇郭桂良阎跃鹏
高线性度的电压自举开关
本公开提供了一种高线性度的电压自举开关,包括:电压自举开关电路和电荷补偿电路;其中电荷补偿电路包括:第三PMOS管,第十一NMOS管,第十二NMOS管,第十三NMOS管,第四电容,第五电容,第六电容。本公开在第一NMOS...
郭桂良王成龙来强涛郭江飞刘生有韩荆宇姜宇
文献传递
基于正交误差对准的MEMS陀螺测控电路设计被引量:1
2017年
传统MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)陀螺的相干检测基于驱动位移和科氏位移的相位关系,依赖于陀螺的工作模式,解调载波相位抖动大,不易相位对准.为解决此问题,本文提出了一种基于正交误差对准的不依赖陀螺工作模式的相干解调系统.解调载波取自驱动电路的PLL(Phase-Locked Loop)输出,相位抖动小,仅作载波使用,不代表驱动位移信息.检测通路插入移相器,使正交误差相位滞后解调载波90°,则科氏位移信号与解调载波同相,完成检测.为验证该方法,本文研究了陀螺器件与接口电路之间的信号传递特性并进行建模,设计了锁相环、C/V(Capacitance/Voltage)转换、移相器等核心电路,实现了一款完整的MEMS陀螺测控电路.测试结果表明:陀螺驱动正常,检测正确,刻度因数为1.415mV/(°.s),零偏不稳定度为108°/h.结果验证了该检测方法的有效性,并为后续进一步提升性能提供了基础.该检测方法也适用于其他振动式MEMS陀螺的测控系统.
陈华来强涛来强涛郭桂良郭江飞
关键词:相干检测陀螺MEMS传感器
一种全负载稳定的高PSRR LDO的设计被引量:5
2017年
提出了一种高电源纹波抑制比的低压差线性稳压器.该低压差线性稳压器通过提高带隙基准的电源抑制比以达到提高LDO(低压差线性稳压器)低频电源纹波抑制的能力.在TSMC 0.18μm CMOS工艺下进行了仿真验证,仿真结果表明,该LDO最大负载电流可以达到80mA,当负载电流在0~80mA范围内变化时,开环相位裕度均大于64°,证明了低压差线性稳压器的高稳定性.当负载电流从0mA跳变到80mA时,系统的输出电压过冲仅为15mV,环路响应时间仅为0.5μs.当负载电流为80mA,测得10kHz时的电源纹波抑制比为-60.82dB,100kHz时LDO的电源纹波抑制比为-57.66dB.
张龙来强涛刘生有郭桂良戴宇杰
关键词:线性稳压器片上系统
用于带隙基准的宽范围稳压电路
本公开提供了一种用于带隙基准的宽范围稳压电路,包括:带隙基准模块、偏置电压产生模块和电流负反馈模块;偏置电压产生模块与带隙基准模块相连,用于向带隙基准模块输出偏置电压;所述偏置电压产生模块包括:第一威尔逊电流镜电路和第二...
来强涛周志兴郭桂良韩荆宇姜宇刘生有郭江飞
文献传递
MEMS陀螺仪的闭环锁相驱动电路
一种MEMS陀螺仪的闭环锁相驱动电路,包括:MEMS陀螺敏感器件(101)、跨阻放大器(102)、反相放大器(103)、低通滤波器(104)和电阻分压器,其中,所述MEMS陀螺敏感器件(101)包括检测端和静电驱动端,所...
陈华来强涛郭桂良韩荆宇郭江飞阎跃鹏
文献传递
SRAM存储单元电路
本发明提供一种SRAM存储单元电路,包括写入单元电路和读取单元电路,写入单元电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管,读取单元电路包括第三NMOS管和第四NMOS管;第一PMOS管的栅极与写...
郭桂良赵佳宁郭江飞刘生有韩荆宇姜宇来强涛
文献传递
应用于MEMS谐振器的跨阻放大器设计及实现被引量:2
2016年
基于微机械系统(MEMS)圆盘谐振器工作时阻抗大、振荡频率高以及寄生电容大的特点,设计实现了一款用于驱动MEMS圆盘谐振器的宽带高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。该放大器引入低功耗宽带电流预放大和电流电压转换级输入技术,实现了宽带低功耗下低噪声性能。并结合改进型Cherry-Hooper反相器电压放大的电路结构以获得高增益带宽积,采用4~16译码控制电流、电压偏置技术,提高调试通过率及成品率。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺流片后,测试结果表明,跨阻增益高达73 d BΩ,-3 d B带宽为163 MHz,功耗为21.6 m W,等效输入噪声电流谱密度为14 p A/Hz,芯片面积为1 538μm×680μm。
谢勇来强涛陈华郭江飞郭桂良阎跃鹏
关键词:跨阻放大器CMOS工艺
用于带隙基准的宽范围稳压电路
本公开提供了一种用于带隙基准的宽范围稳压电路,包括:带隙基准模块、偏置电压产生模块和电流负反馈模块;偏置电压产生模块与带隙基准模块相连,用于向带隙基准模块输出偏置电压;所述偏置电压产生模块包括:第一威尔逊电流镜电路和第二...
来强涛周志兴郭桂良韩荆宇姜宇刘生有郭江飞
文献传递
一种高电源抑制比带隙基准源被引量:10
2019年
介绍了一种高电源抑制比的带隙基准电路.本文采用改进的威尔逊电流镜结构和负反馈技术设计了一种新型的稳压电路,为带隙基准提供电源和偏置,实现了高电源抑制比.结果表明,在-40℃~150℃温度范围、3.5 V~6 V的电源电压范围内,该带隙基准的温度系数为15 ppm/℃.带隙基准源的电源抑制比在直流处和1 kHz处分别为-125 dB、-106 dB.
周志兴来强涛姜宇郭江飞王成龙陈腾郭桂良
关键词:带隙基准源电源抑制比稳压电路
共2页<12>
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