杜辉
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 高分子辅助沉积法在镍基片上制备的钛酸钡薄膜的漏电机制
- 2014年
- 采用高分子辅助沉积法在多晶镍衬底上,以氧化镍作为缓冲层,生长了多晶钛酸钡(BaTiO3,BTO)薄膜。对其漏电特性测试及分析发现,在测试电压区间和极性不同时,分别具有不同的漏电机制,可分别用Frankel-Pool emission,space charge limited current(SCLC)与Schottky emission等机制来描述。由于界面缓冲层分解以及界面扩散等原因,BTO/Ni界面呈现Ohmic接触,而Au/BTO界面呈现Schottky势垒接触。通过测量不同温度下的漏电流大小,得到Au/BTO界面的有效势垒为0.32eV,从而得到Au/BTO/Ni能带结构图。利用一阶线性电路模型对其界面电阻与体电阻进行计算,得到的界面电阻与体电阻大小及变化趋势与实验及理论相符合。
- 李洋高敏杜辉张胤林媛
- 化学计量比对BaTiO_3/Ni集成结构性能的影响
- 2015年
- 该文采用化学溶液沉积法——高分子辅助沉积(PAD)法在多晶镍基片上成功制备了钛酸钡(BaTiO3)薄膜,并研究了前驱体溶液化学计量比对BaTiO3/Ni集成结构漏电特性和介电性能的影响。实验表明,钛过量的薄膜样品可能出现二氧化钛相,适宜浓度的钛过量可以降低BaTiO3/Ni集成结构1个数量级的漏电流密度,减少介电损耗约50%,并能有效提高集成结构的介电常数。对BaTiO3薄膜的漏电流导电机制进行了分析,并对钛过量影响集成结构的漏电特性和介电性能的原因进行了讨论。
- 杜辉李洋梁伟正高敏张胤林媛
- 关键词：钛酸钡介电性能漏电流
