李进喜
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>
- 电子束蒸发挖坑效应膜厚均匀性的计算新方法被引量：2
- 2018年
- 环形锥面蒸发源模型对沉积膜厚均匀性计算有局限性。针对电子束蒸发镀膜挖坑效应设计一种新的小圆锥体蒸发模型,提出一种新的公式计算沉积膜厚均匀性。采用相同工艺条件,不同时间蒸镀二氧化硅薄膜,验证了小圆锥体模型计算电子束蒸发挖坑膜厚均匀性准确可靠,并成功解释了随着蒸发时间的延长,均匀性变差的原因。该方法可以用于实验教学,真空镀膜工艺以及真空镀膜设备生产领域。
- 付学成张洪波权雪玲王凤丹李进喜
- 关键词：电子束蒸发真空镀膜设备膜厚
- 运用选择性发射极以及二次印刷工艺的太阳能电池工艺优化
- 进入21世纪以来,在国家重视环保、大力开发新能源和可再生能源的政策背景下,我国太阳能电池的发展日新月异。在世界能源日趋紧张的形势下,太阳能行业的发展变得尤其重要。同时,最近5年以来,国内太阳能行业的发展也蒸蒸日上,行业的...
- 李进喜
- 关键词：选择性发射极多孔硅太阳能电池
- 电子束蒸镀金膜表面黑颗粒物问题的研究被引量：2
- 2018年
- 分别用钨坩埚和玻璃碳涂层坩埚蒸镀金膜,采用EDS分析金膜表面黑色颗粒的主要成分。对比金膜表面黑色颗粒分布的密度;根据两种坩埚蒸金膜时的物理学特征不同,研究黑色颗粒产生的机理,解释碳玻璃涂层坩埚蒸金黑色颗粒较多的原因;并利用玻璃碳坩埚采取不同的工艺条件进行对比试验,成功减少了金膜表面的黑色颗粒,为教学实验、真空镀膜工艺和集成电路生产领域蒸镀高质量的金膜提供帮助。
- 付学成权雪玲王凤丹李进喜王英
- 关键词：电子束蒸发金膜
- 负偏压功率对溅射沉积钛、铜薄膜电阻的影响被引量：3
- 2018年
- 为了研究负偏压功率对直流溅射沉积铜、钛两种金属薄膜电阻率的影响,在采用相同的工艺条件溅射沉积两种金属薄膜的同时分别加上0、50、150 W的负偏压功率,发现随着偏压功率由0增加到150 W,制备的钛薄膜厚度下降了25%,电阻率下降到原来的18%,而对于铜薄膜随着偏压功率由0增加150 W,厚度下降了5%,电阻率却增加到原来的4倍。用原子力显微镜和X射线衍射仪器分析了不同负偏压功率下制备的两种金属薄膜的表面粗糙度和两种金属薄膜的结晶情况,并用Fuchs-Sondheimer理论和Mayadas-Shatzkes理论解释偏压功率引起两种金属电阻变化的原因。这为教学实验、真空镀膜工艺和集成电路生产领域沉积不同结构及电阻的金属薄膜提供参考。
- 付学成王英沈赟靓李进喜权雪玲
- 关键词：磁控溅射铜薄膜电阻率
