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李耀义

作品数:6 被引量:7H指数:2
供职机构:上海交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信农业科学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇农业科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇扫描隧道显微...
  • 2篇导体
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体量子点
  • 1篇单光子
  • 1篇单光子发射
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硼
  • 1篇氮化硼薄膜
  • 1篇振荡
  • 1篇三能级
  • 1篇三能级系统
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇石墨烯纳米带
  • 1篇双激子

机构

  • 3篇上海交通大学
  • 2篇武汉大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇清华大学

作者

  • 6篇李耀义
  • 2篇刘绍鼎
  • 2篇王取泉
  • 2篇贾金锋
  • 2篇薛其坤
  • 2篇周慧君
  • 2篇刘灿华
  • 2篇程木田
  • 2篇管丹丹
  • 2篇钱冬
  • 1篇殷俊
  • 1篇王观勇
  • 1篇郭万林
  • 1篇葛剑峰
  • 1篇刘志龙
  • 1篇姚钢
  • 1篇徐丹

传媒

  • 4篇物理学报

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2010
  • 2篇2006
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
双激子和浸润层泄漏以及俄歇俘获对量子点Rabi振荡衰减的影响被引量:2
2006年
研究了脉冲激光激发下半导体量子点激子Rabi振荡中多能级过程引起的退相干特性.运用多能级粒子数运动方程组,分别计算和分析了三种多能级过程(双激子、浸润层泄漏以及俄歇俘获过程)对量子点中Rabi振荡衰减的影响.分析表明,双激子的影响在激发脉冲的脉宽较长时(>5ps)可以忽略;浸润层的泄漏虽然使得激子基态上粒子数振荡的振幅随着激发场的增强而减小,但是同时也导致了振荡平均值的减小;分析和讨论了两种俄歇俘获方式对激子振荡和复合发光的影响.
刘绍鼎程木田周慧君李耀义王取泉薛其坤
关键词:RABI振荡半导体量子点退相干
脉冲激发三能级体系半导体量子点的单光子发射效率被引量:4
2006年
研究了脉冲激发下单个半导体量子点中单光子发射的统计特性.在旋转波近似条件下,由系统粒子数演化主方程并结合量子回归理论推导了二阶相关函数的运动方程,利用此方程讨论了二阶相关函数随输入脉冲面积的关系.在窄脉冲宽度的脉冲激发下,单光子的发射概率p和效率η都随着强度的增强而产生振荡.研究表明,采用窄脉冲宽度,当输入脉冲面积在π附近时可以得到较高的单光子发射效率.
李耀义程木田周慧君刘绍鼎王取泉薛其坤
关键词:半导体量子点单光子发射三能级系统
铜箔上生长的六角氮化硼薄膜的扫描隧道显微镜研究
2016年
利用扫描隧道显微镜研究了采用化学气相沉积法在铜箔表面生长出的高质量的六角氮化硼薄膜.大范围的扫描隧道显微镜图像显示出该薄膜具有原子级平整的表面,而扫描隧道谱则显示,扫描隧道显微镜图像反映出的是该薄膜样品的隧穿势垒空间分布.极低偏压的扫描隧道显微镜图像呈现了氮化硼薄膜表面的六角蜂窝周期性原子排列,而高偏压的扫描隧道显微镜图像则呈现出无序和有序排列区域共存的电子调制图案.该调制图案并非源于氮化硼薄膜和铜箔衬底的面内晶格失配,而极有可能来源于两者界面处的氢、硼和/或氮原子在铜箔表面的吸附所导致的隧穿势垒的局域空间分布.
徐丹殷俊孙昊桦王观勇钱冬管丹丹李耀义郭万林刘灿华贾金锋
关键词:氮化硼扫描隧道显微镜
应变岛双稳态及拓扑绝缘体薄膜分子束外延生长研究
低维纳米结构的可控生长和新奇量子效应是纳米科学与技术的核心研究内容之一。在本篇博士论文中,我们用分子束外延方法制备了形状规则的纳米岛以及高质量的拓扑绝缘体薄膜,利用扫描隧道显微镜和角分辨光电子能谱分别对应变岛的形状变化以...
李耀义
关键词:双稳态拓扑绝缘体分子束外延扫描隧道显微镜角分辨光电子能谱
文献传递
SrTiO3(001)衬底上多层FeSe薄膜的分子束外延生长被引量:1
2016年
近几年,由于用分子束外延法在SrTiO_3衬底表面制备的单层FeSe具有很高的超导转变温度而引发了极大的研究热潮,随之而来的是对多层FeSe薄膜日益增长的研究兴趣.但目前还没有对成功生长高质量多层FeSe薄膜的详细报道.本文利用高能电子衍射仪(RHEED)实时监控在不同生长条件下制备的多层FeSe薄膜,发现在FeSe薄膜的生长初期,RHEED图像的强度演化基本符合台阶密度模型的描述特征,即台阶密度ρ正相关于衍射条纹强度.FeSe(02)衍射条纹的强度在第一生长周期内呈现稳定而明显的峰型振荡,而且不受高能电子掠射角的影响,最适合用来标定FeSe薄膜的厚度.结合扫描隧道显微镜对FeSe薄膜质量的原位观察,确定了制备多层FeSe薄膜的最佳生长条件,为FeSe薄膜的物性研究提供了重要的材料基础.
张马淋葛剑峰段明超姚钢刘志龙管丹丹李耀义钱冬刘灿华贾金锋
关键词:FESE分子束外延
锯齿型石墨烯纳米带电子性质研究
早期的理论计算表明锯齿型石墨烯纳米带具有自旋极化的边缘态,自旋相互作用还可以使石墨烯纳米带打开能隙,在自旋电子器件的应用方面有潜在的前景。然而实验制备石墨烯纳米带非常困难,也就是最近几年才有报道,但是这些方法都无法得到锯...
李耀义
关键词:石墨烯纳米带扫描隧道显微镜
共1页<1>
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