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李景

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低压
  • 1篇淀积
  • 1篇砷化铟
  • 1篇砷化镓
  • 1篇汽相沉积
  • 1篇汽相外延
  • 1篇汽相外延生长
  • 1篇化学汽相沉积
  • 1篇化学汽相淀积
  • 1篇GAALAS...
  • 1篇HBT材料
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇LP-MOC...
  • 1篇MOCVD生...

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇关兴国
  • 2篇李景
  • 1篇刘英斌
  • 1篇袁风波
  • 1篇任永一
  • 1篇刘燕飞
  • 1篇章其麟

传媒

  • 1篇第四届全国固...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇1994
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
MOCVD生长GaAlAs/GaAs HBT材料
章其麟关兴国李景刘英斌任永一袁风波刘燕飞孙进民等
1.成果内容简介：该成果采用MOCVD生长HBT材料，解决了GaAs体材料的纯度，找到了克服GaAlAs氧沾污的方法，尤其是采用最新的P-GaAs掺C技术，满足了异质结与P-N结的陡峭分布，做到了基区很薄(80纳米)且P...
关键词：
关键词：化学汽相淀积汽相外延生长GAALAS/GAASHBT材料
ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱
李景关兴国
关键词：低压化学汽相沉积砷化镓砷化铟
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