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李晓娜

作品数：16 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院电工研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇电子束
  • 4篇硼化镁
  • 4篇二硼化镁
  • 3篇扫描探针显微...
  • 3篇套刻
  • 3篇超导
  • 2篇带材
  • 2篇单质
  • 2篇导线
  • 2篇电子束曝光
  • 2篇对准标记
  • 2篇压电
  • 2篇压电陶瓷
  • 2篇掩膜
  • 2篇氧化锌薄膜
  • 2篇原子力显微镜
  • 2篇溶胶
  • 2篇溶胶凝胶
  • 2篇扫描器
  • 2篇数据格式

机构

  • 16篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇兰州大学
  • 1篇清华大学

作者

  • 16篇李晓娜
  • 14篇韩立
  • 8篇孔祥东
  • 7篇许壮
  • 6篇李艳丽
  • 5篇张雪娜
  • 2篇张今朝
  • 2篇初明璋
  • 2篇刘伟
  • 1篇左燕生
  • 1篇孙红三
  • 1篇魏淑华
  • 1篇李辉
  • 1篇奚爽

传媒

  • 3篇微细加工技术
  • 1篇发光学报
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇压电与声光

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2009
  • 4篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇1900
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
电子束退火法制备Li-N共掺杂多晶ZnO薄膜
2018年
为研究电子束退火对Li-N共掺杂Zn O薄膜性能的影响,首先利用溶胶-凝胶旋涂法在p型Si(111)衬底上制备Li-N共掺杂的Zn O前驱膜,然后用电子束对前驱膜进行退火。退火时,电子束加速电压10 k V,退火时间5 min,聚焦束流123 m A,束流为0.7~1.9 m A,最后得到Li-N共掺杂的Zn O薄膜。XRD谱分析表明,当束流高于1.5 m A之后,薄膜为六方Zn O和立方Zn O的混合多晶薄膜,且有金属Zn生成,导致薄膜有较强的绿光发射。SEM图片分析显示,薄膜的晶粒尺寸随束流增加而增大,当束流高于1.5 m A后,晶粒尺寸变化不大,约为60 nm。光致发光(PL)谱和激光拉曼谱的分析结果证实Li、N元素已掺入Zn O晶格中,PL谱中观察到Li元素掺杂引起的紫光发射,拉曼散射光谱中观察到N替代O位的缺陷振动模式。
李艳丽李辉孔祥东李辉孔祥东
关键词：掺杂多晶ZNO薄膜
二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法
一种二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法，该方法采用电子束在真空中对夹层式（三明治型）二硼化镁约瑟夫森结先驱膜进行退火。所述的夹层式二硼化镁约瑟夫森结先驱膜为采用二次掩膜法制备的[Mg/B]‑X‑[Mg/B]结构先...
孔祥东李晓娜韩立初明璋许壮
文献传递
电子束曝光数据格式的改进设计与实现被引量：2
2006年
根据中国科学院电工研究所研制的DY-2000型实用化电子束曝光系统对曝光图形数据格式的要求及用户的需要,对原曝光文件格式(EDF)进行了改进,利用VC++6.0开发环境实现了EDF格式文件的图形创建、结构体引用以及文件保存,同时增加了多层图形套刻和邻近效应修正数据处理的功能。实验结果表明,改进后的电子束曝光图形文件格式可满足用户的需求,便于用户新建版图文件,同时也提高了文件传输速度及曝光的效率。
魏淑华刘伟李晓娜张今朝韩立
关键词：电子束曝光图形发生器图形文件格式套刻
一种利用原子力显微镜的套刻对准方法及装置
一种利用原子力显微镜的套刻对准方法及装置，其方法包括以下步骤：(1)在第一层图形写入的同时写入套刻对准标记；(2)在第二层图形刻写之前对其工作区域扫描成像，根据扫描成像的结果对第二层图形结构的坐标进行修正；(3)以修正后...
李晓娜韩立
文献传递
电子束退火制备二硼化镁超导线材或带材的方法
本发明公开了一种电子束退火制备二硼化镁超导线材或带材的方法，该方法采用电子束在真空中对原位粉末套管法制备的未成相MgB2线材或带材前驱体进行退火，在几秒到几分钟的退火时间内使线材或带材前驱体中的镁硼混合粉末发生化学反应最...
孔祥东韩立李晓娜许壮桂漓江李艳丽张雪娜
电子束退火法制备MgB_2薄膜的温度场模拟
2017年
利用ANSYS软件模拟电子束退火MgB_2薄膜过程的温度场分布,退火样品与样品台之间的接触热阻对退火温度影响很大,且此接触热阻会随退火参数(电子束能量和退火时间)发生变化,这给模拟工作带来很大困难。本文先通过热阻串联对样品进行等效简化,再利用热传导近似计算把接触热阻的效应等效在样品模型中,并将接触热阻随退火参数的变化转化为电子束能量转化效率的变化,得到修正后的热源模型,仿真所得温度值与实测温度值基本相符,这为电子束退火制备薄膜材料的研究提供了温度参考。
李艳丽许壮张雪娜李晓娜孔祥东韩立
关键词：ANSYS温度场
电子束退火制备二硼化镁超导线材或带材的方法
本发明公开了一种电子束退火制备二硼化镁超导线材或带材的方法，该方法采用电子束在真空中对原位粉末套管法制备的未成相MgB2线材或带材前驱体进行退火，在几秒到几分钟的退火时间内使线材或带材前驱体中的镁硼混合粉末发生化学反应最...
孔祥东韩立李晓娜许壮桂漓江李艳丽张雪娜
文献传递
Study of SPM Oxidation and Its Overlay Lithography
李晓娜
关键词：扫描探针显微镜
一种新型电子束曝光文件格式设计及其应用被引量：2
2005年
提出一种新型的电子束曝光数据格式,引入了面向对象的设计和适应于矢量型电子束扫描方式的设计,提高了对通用图形数据格式转换的精确度和效率,同时更便于对电子束曝光机的曝光控制。该设计已在电工所的科研项目“纳米级电子束曝光系统”中得到应用,被称之为EDF数据格式。
李晓娜张今朝刘伟孙红三韩立
关键词：电子束曝光机数据格式转换
基于AFM的多图层图形加工被引量：1
2007年
基于AFM阳极氧化加工理论,对AFM阳极氧化加工技术在多图层图形结构加工制造中的应用开展研究。提出一种新型的基于标记对准的套刻对准方法,并应用具有高分辨率的游标对图形的套刻对准精度进行直观、可靠的测量。实验结果证明,利用所提出的AFM套刻对准方法,能够在不引入复杂光学对准设备的条件下,实现25 nm左右的套刻对准精度,完成具有多图层的纳米级图形结构制备。
李晓娜韩立
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