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李振声

作品数:5 被引量:2H指数:1
供职机构:天津理工学院自动化与能源工程学院更多>>
发文基金:天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇渗流
  • 2篇霍耳效应
  • 2篇SIO
  • 1篇电隔离
  • 1篇电输运
  • 1篇电源
  • 1篇氧化硅
  • 1篇渗流理论
  • 1篇输运
  • 1篇纹波
  • 1篇稳压
  • 1篇稳压电源
  • 1篇量子
  • 1篇量子干涉
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇开关稳压
  • 1篇开关稳压电源
  • 1篇控制电路
  • 1篇光电隔离

机构

  • 5篇天津理工学院

作者

  • 5篇李振声
  • 4篇邬祥忠
  • 2篇刘晖
  • 1篇刘毅
  • 1篇张晓光

传媒

  • 4篇天津理工学院...
  • 1篇河北工业大学...

年份

  • 1篇2003
  • 2篇2001
  • 2篇2000
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
Cu:SiO_2渗流系统电输运特性研究
2000年
研究了Cu与SiO2 组成的渗流系统的电阻率、霍尔系数等电输运特性 ,该体系临界指数t高于经典渗流理论的预测数值 ,不同于其它渗流系统 .并且在Cux(SiO2 ) 1 -x这一非磁性金属系统中 ,发现了巨霍尔效应 (GHE) ,其数值高于普通金属近 3个数量级 ,为霍尔传感器材料研究提供了新途径 .
李振声邬祥忠
关键词:渗流纳米材料
铜—二氧化硅体系巨霍耳效应研究
2001年
研究了体积比为 0 .45≤x≤ 0 .8的Cux(SiO2 ) 1 -x 样品的霍耳系数与成份的关系 ,随着金属体积比的降低 ,霍耳系数R迅速增加 ,并在x=0 .51时达到最大 ,其值为x =0 .8的样品霍耳系数的 70 0倍 ,远超过经典渗流理论计算数值 .本研究表明 ,这种非磁性金属系统中的巨霍耳效应 (GHE)
邬祥忠李振声刘晖
关键词:渗流量子干涉
磁性金属-绝缘体颗粒薄膜被引量:2
2003年
介绍了磁性金属 绝缘体颗粒薄膜的结构特征与电阻率的关系 ,评述了作为磁传感器件、高密度记录介质和读出磁头潜在应用相关的磁阻效应、巨霍尔效应、高矫顽力特性 .
刘晖李振声刘毅张晓光邬祥忠
关键词:渗流
Cu_x(SiO_2)_(1-x)巨霍耳效应研究
2000年
本文研究了体积比为 0 .45≤ x≤ 0 .8的 Cux( Si O2 ) 1 -x样品的霍耳系数与成份的关系 ,随着金属体积比的降低 ,霍耳系数 R迅速增加 ,并在 x=0 .5 1时达到最大 ,其值为 x=0 .8的样品霍耳系数的 70 0倍 ,远超过经典渗流理论计算数值。本研究表明 ,这种非磁性金属系统中的巨霍耳效应 ( GHE)
邬祥忠李振声
关键词:氧化硅磁性金属渗流理论
高性能开关稳压电源的研究
2001年
设计一种目前较先进的零电流切换技术的开关稳压电源 .控制电路采用了脉冲调频技术 ,并在输出输入间使用了光电隔离管 ,因而整机较普通开关电源 ,不仅具有较好的纹波特性 ,而同时具有高效率、体积小等线性电源无法比拟的优越特性 .
李振声
关键词:纹波控制电路
共1页<1>
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