李建立
- 作品数：9 被引量：21H指数：3
- 供职机构：长春光学精密机械学院更多>>
- 发文基金：吉林省科技厅科技发展计划项目黑龙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- KBr单晶生长及光学性能的研究被引量：4
- 1999年
- 本文采用提拉法生长KBr单晶 ,设计了合理的温场 ,探索了最佳的生长工艺条件 ,生长出了具有高透过、低吸收和光学均匀性高的Φ1 2 0× 1 2 0mm大尺寸的单晶 ,同时讨论了影响其光学性能的各种因素 ,以及提高透过、消除吸收峰的各种方法。
- 李建立刘景和李艳红邢洪言周稳锁姚兰芳
- 关键词：红外窗口材料提拉法生长CO2激光器
- Li_2B_4O_7材料制备及性能的研究被引量：6
- 2001年
- 采用Cz法生长出优质的Li2 B4O7(LBO)单晶 ,开展了压电性能及应用的研究 ,同时用Maker条纹测量了晶体的二次谐波系数d31和d33。用温梯法制备了LBO微晶玻璃 ,开展了热激发电子发射 (TSEE)性能的研究。
- 李红艳刘景和李建立邢洪岩张亮徐斌
- 关键词：压电性能微晶玻璃压电晶体
- Nd∶NaBi(WO_4)_2晶体生长被引量：5
- 2003年
- 采用Czochralski法生长出尺寸为 8mm× 2 0mm的掺钕的钨酸铋钠 [分子式 :Nd∶NaBi(WO4) 2 ,简称 :Nd∶NBW ]激光晶体 ,研究了生长工艺参数对Nd∶NBW晶体结构完整性的影响 ,确定了最佳的生长工艺参数 :轴向温度梯度为 0 .7～ 1℃ /mm ,生长速率 0 .2～ 0 .5mm/h ,晶体转速 1～ 4r/min。并利用了X射线衍射确定了Nd∶NBW晶体属于四方晶系 ,I41 /a空间群 ,其晶格常数为a =0 .5 2 75nm ,c=1.14 93nm。通过TG -DTA分析了Nd∶NBW晶体的相关物理、化学性质 ,确定了其熔点为 936.2℃ ,并与纯的钨酸铋钠晶体 (分子式 :NaBi(WO4) 2 ,简称 :NBW)
- 刘景和易里成容孙晶王英伟李建立张亮于亚勤
- 关键词：提拉法晶体生长激光晶体
- 掺钕钨酸钾钆晶体的光谱研究被引量：3
- 2001年
- 本文采用助熔剂籽晶提拉法生长出了Ｎｄ：ＫＷＧ激光晶体。化学组成和结构分析认为，所得的晶体是β－ＫＧｄ（ＷＯ４）２。通过红外光谱和喇曼光谱判断了它的振动归属，通过紫外可见吸收光谱的测定得到了它的峰值吸收截面值。
- 洪元佳刘景和李建立周稳锁洪广言
- 关键词：激光晶体TSSG光谱化学组成
- 激光晶体Nd:KGW晶体的表面缺陷观察被引量：3
- 2000年
- 本文采用助熔剂籽晶提拉法生长出了Nd :KGW激光晶体。利用光学显微镜对晶体表面进行观察、并拍摄到晶体裂缝、生长丘、生长条纹和包裹物等缺陷的照片。分析其原因 ,是由于晶体生长工艺的不稳定 ,尤其是晶体生长过程中的温度梯度不够合适、提拉速度过快、降温速率偏快等所致。并由于生长体系粘度较大 ,容易形成包裹 ,晶体包裹物经XRD分析认为其中主要是熔体。
- 洪元佳李建立刘景和李卫青王唯邢洪言洪广言郭俊
- 关键词：包裹物激光晶体
- YBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的制备与半导体性能的研究
- 2000年
- 采用高温固相反应法制备6 0mmYBa2 Cu3O7-x(YBCO)靶材 ;通过直流磁控溅射后退火法制备具有不同过渡层 (SiO2 /Si,ZrO2 /SiO2 /Si)的薄膜 .对于Si为衬底的YBa2 Cu3O7-x薄膜 ,当x >0 .5时 ,薄膜的导电性由超导态转向半导体态 .进行了X射线衍射(XRD)分析 ,电阻温度系数 (RTC)和Hall系数测试 ,并进行Raman散射的微观分析实验 ,认为该半导体薄膜可用作室温工作的红外测辐射热计 (Bolometer)灵敏元 .
- 刘景和孙强李建立刘向东谢彪李国桢黄宗坦黄承彩李丹黄江平
- 关键词：半导体薄膜过滤层电阻温度系数YBA2CU3O7-X
- 钇钡铜氧半导体薄膜的宽光谱响应特性
- 2001年
- 对以 Si为衬底的钇钡铜氧 (分子式 :Y1 Ba2 Cu3O7-δ δ≥ 0 .5 ,简称 :YBCO)半导体薄膜的宽光谱响应特性进行了研究 .采用该薄膜作灵敏元的单元测辐射热计分别对红外波段 (1— 15μm)、亚毫米波段 (5个波长 )及毫米波 (3m m )进行光谱响应测试 ,结果表明这种半导体探测器不仅在红外波段 ,而且在亚毫米波甚至毫米波段都有良好的响应特性 .该薄膜是继 VO2
- 万春明刘向东孙强李艳红刘景和李建立李国栋黄宗坦黄承彩李丹黄江平
- 关键词：测辐射热计
- Y_1Ba_2Cu_3O_(7-x)半导体薄膜的研究
- 2000年
- 对于以Si为衬底的Y1Ba2 Cu3O7-x薄膜 ,当x >0 .5时 ,薄膜的导电性由超导态转向半导体态。我们采用了直流溅射法在Si,SiO2 /Si和 /SiO2 /Si三种基片做衬底制备了Y1Ba2 Cu3O7-x半导体薄膜。进行了温度电阻系数(TCR)测试、X射线衍射分析物相的测定、开展了霍尔系数和拉曼衍射 (Ramanshift)的微观分析实验 ,并进行了Y1Ba2 Cu3O7-x半导体多晶薄膜在室温下的黑体辐射的响应实验。通过我们的实验验证了这种薄膜的氧含量 ,与国外文献资料报道的实验结果相符合。发现了有过渡层的Y1Ba2 Cu3O7-x;半导体多晶薄膜优于没有过渡层的Y1Ba2 Cu3O7-x半导体多薄膜 ,并且适用于制造室温下工作的红外探测器的敏感元。
- 孙强刘景和李建立邢宏岩刘玲徐斌李国桢黄江平李丹黄宗坦
- 关键词：半导体薄膜
- 铌酸钾锂晶体的生长与极化的研究
- 1999年
- 采用不同成分配比，以 Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ 法生长铌酸钾锂（ Ｋ Ｌ Ｎ） 晶体，研究生长工艺和成分配比对 Ｋ Ｌ Ｎ 晶体性能的影响。选用的轴向温度梯度为２８ ～３５ ℃／ｃｍ ，晶体的旋转速度为５ ～１０ｒ／ｍｉｎ ；晶体的生长速度与 Ｋ Ｌ Ｎ 的生长原料的成分有关。采用场冷法对 Ｋ Ｌ Ｎ 晶体进行极化处理。极化电流密度为２ｍ Ａ／ｃｍ３ ，极化温度为４６０ ～３４０ ℃。生长出透明的没有裂纹的 Ｋ Ｌ Ｎ 晶体。
- 赵业权杨鑫宏徐悟生王春义李建立
- 关键词：非线性光学晶体引上法晶体生长铌酸钾锂晶体
