李亚文
- 作品数：22 被引量：16H指数：2
- 供职机构：云南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省应用基础研究基金云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理理学核科学技术更多>>
- 超大规模集成电路的无损内窥显微分层体视检测被引量：1
- 1998年
- 当今世界已进入信息时代。信息时代的主要基础是计算机、通讯和自动化设备及其软件。而这些设备又是以微电子器件为基础。面对信息爆炸时代，每日每时都在产生着的数量巨大的信息，需要对其进行处理、传输、存储、显示、打印和应用，这就需要研制和生产集成度更高的集成电...
- 胡问国李萍徐晓华李亚文肖玲周开邻朱世秋Э.И.РАУ
- 关键词：集成电路无损检测
- 基于感知价值的康养旅游游客满意度研
——以洪雅县为例
- 随着旅游市场竞争日趋激烈,提升游客满意度就成为康养旅游目的地竞争取胜、持续发展的重要途径,因而从游客感知价值入手来了解康养旅游游客的满意度,可更为深刻地分析游客满意度的结构和产生的原因,进而寻求提升游客满意度的途径,为打...
- 李亚文
- 关键词：旅游动机感知价值游客满意度
- 高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备被引量：2
- 2015年
- 通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件,最大亮度可达20000 cd/m^2。其起亮电压为2.6 V,亮度从20 cd/m^2到20000 cd/m^2的驱动电压摆幅为2.7 V,最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 m A/cm^2时,色坐标CIEX=0.286、CIEY=0.665。该器件在1000 cd/m^2和500 cd/m^2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。
- 段瑜张筱丹孙浩朱亚安王光华宋立媛于晓辉万锐敏季华夏李亚文
- 关键词：OLED微显示器件
- 老化条件对OLED黑点缺陷的影响研究被引量：4
- 2010年
- 有机电致发光(OLED)器件中工艺的缺陷导致了黑点的产生,通过环境加速老化能够加速黑点的生长,在一定的环境老化条件下观察了黑点的变化,总结出了黑点尺寸的变化与老化时间的函数关系,并用扩散理论进行了初步的解释。
- 李竑志唐利斌郑云李亚文季华夏姬荣斌
- 关键词：OLED环境老化
- 扫描电镜透过表面绝缘层透视检测半导体和集成电路及真空微电子器件的新技术
- 本文在这里首次公布在扫描电子显微镜SEM中应用我们研制成功的能透过表面绝缘层透视检测半导体和集成电路IC及真空微电子器件VMD被掩盖在绝缘层表面下的微结构及缺陷的新检测法(简称透表法)和新检测仪(简称透表仪)观测IC样品...
- 王建李亚文肖玲梁竹关周开邻李萍徐晓华Pay Э.И.胡问国
- 关键词：半导体集成电路真空微电子器件扫描电镜
- 文献传递
- 透表面显微内窥半导体和集成电路的新方法
- 李亚文梁竹关肖玲李萍徐晓华王建周开邻РАУЗ.И.胡问国
- 文献传递
- 半导体和集成电路无损显微分层内窥的新方法
- 肖玲李亚文梁竹关李萍徐晓华王建周开邻РАУЭ.И.胡问国
- 文献传递
- 用SEM无损显微分层透视半导体和集成电路及真空微电子器件新检测技术
- 本文首次分布应用我们研究成功的在SEM中能无损分层透视内窥检测半导体和集成电路及真空微电子器件的新检测法(简称分层法)和新检测仪(简称分层仪)观察和测量到在亚表面层中各层半导体的缺陷和多层结构微电子器件各层的微结构的测量...
- 王建李亚文肖玲梁竹关周开邻李萍徐晓华Pay Э.И.胡问国
- 关键词：半导体集成电路真空微电子器件
- 文献传递
- 检测半导体材料内部缺陷的红外装置
- 本实用新型公开了一种检测装置，主要用于禁带宽度大于1.12eV的半导体材料内部缺陷的检测。其主要技术方案是：由光学显微镜、红外CCD摄像头、视频电缆、模拟图像监视器、数字图像采集卡、计算机、分析处理和显示软件，组成一个完...
- 李亚文姬荣斌赵增林莫玉东卢德明朱颖峰
- 文献传递
- 半导体和集成电路无损显微分层内窥的新方法被引量：2
- 2000年
- 肖玲李亚文梁竹关李萍徐晓华王建周开邻РАУЭ.И.胡问国
- 关键词：半导体材料集成电路
