曹磊
- 作品数：19 被引量：19H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金高等学校科技创新工程重大项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生一般工业技术更多>>
- 异质栅全耗尽应变硅金属氧化物半导体模型化研究被引量：3
- 2012年
- 为了进一步提高小尺寸金属氧化物半导体(MOSFET)的性能,在应变硅器件的基础上,提出了一种新型的异质栅MOSFEET器件结构.通过求解二维Poisson方程,结合应变硅技术的物理原理,建立了表面势、表面电场以及阈值电压的物理模型,研究了栅金属长度、功函数以及双轴应变对其的影响.通过仿真软件ISE TCAD进行模拟仿真,模型计算与数值模拟的结果基本符合.研究表明:与传统器件相比,本文提出的异质栅应变硅新器件结构的载流子输运效率进一步提高,可以很好地抑制小尺寸器件的短沟道效应、漏极感应势垒降低效应和热载流子效应,使器件性能得到了很大的提升.
- 曹磊刘红侠王冠宇
- 关键词：应变硅异质栅阈值电压解析模型
- 高k栅介质应变Si SOI MOSFET的阈值电压解析模型被引量：2
- 2010年
- 在结合应变Si,高k栅和SOI结构三者的优点的基础上,提出了一种新型的高k栅介质应变Si全耗尽SOIMOSFET结构.通过求解二维泊松方程建立了该新结构的二维阈值电压模型,在该模型中考虑了影响阈值电压的主要参数.分析了阈值电压与弛豫层中的Ge组分、应变Si层厚度的关系.研究结果表明阈值电压随弛豫层中Ge组分的提高和应变Si层的厚度增加而降低.此外,还分析了阈值电压与高k栅介质的介电常数和应变Si层的掺杂浓度的关系.研究结果表明阈值电压随高k介质的介电常数的增加而增大,随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大.研究了该结构的短沟道效应SCE(short channel effect)和漏致势垒降低DIBL(drain induced barrier lowering)效应,结果表明该结构能够很好地抑制SCE和DIBL效应.
- 李劲刘红侠李斌曹磊袁博
- 关键词：应变SI短沟道效应
- 基于动态假名的位置隐私保护方法
- 本发明公开了一种基于动态假名的位置隐私保护方法，主要解决现有位置匿名方法基于位置服务中的位置隐私保护程度过低的缺陷。其实现步骤为：建立由用户、可信机构、服务运营商组成的通信系统；可信机构初始化系统；用户向可信机构在线注册...
- 朱晓妍池浩田雷小三刘洁师双双陈增宝姜顺荣曹磊苏阳高曼飞
- 文献传递
- IC中多余物缺陷对信号串扰的定量研究被引量：1
- 2010年
- 该文研究了铜互连线中的多余物缺陷对两根相邻的互连线间信号的串扰,提出了互连线之间的多余物缺陷和互连线之间的互容、互感模型,用于定量的计算缺陷对串扰的影响。提出了把缺陷部分单独看作一段RLC电路模型,通过提出的模型研究了不同互连线参数条件下的信号串扰,主要研究了铜互连线的远端串扰和近端串扰,论文最后提出了一些改进串扰的建议。实验结果证明该文提出的信号串扰模型可用于实际的电路设计中,能够对设计人员设计满足串扰要求的电路提供指导。
- 周文刘红侠匡潜玮高博曹磊
- 关键词：集成电路信号串扰铜互连可靠性
- 移动医疗中隐藏访问结构的云外包属性基加密
- 近些年智能手机的普及为可穿戴设备的发展提供了支撑，谷歌眼镜、智能手环、智能手表等等智能可穿戴设备正飞速的走进我们的视野。这些可穿戴设备的广泛应用正逐步改变传统的医疗方式。 可穿戴设备为人们带来了更健康的生活方式，同时也...
- 曹磊
- 基于MEMS电容式加速度计宽输入动态范围的研究
- 由于物联网等相关技术的发展，使得包括MEMS电容式加速度计在内的MEMS传感器在可穿戴设备中有广泛的应用，所以加速度计在设计过程中受到尺寸与功耗的限制。同时，制造MEMS传感器的CMOS工艺与MEMS工艺中的特征尺寸为了...
- 曹磊
- 关键词：MEMS传感器读出电路SIGMA-DELTA调制器
- 文献传递
- 基于矩阵变换算法的隐私匹配方法
- 本发明公开了一种基于矩阵变换算法的隐私匹配方法，主要解决现有社交网中关于隐私匹配中的未能高效的寻求最佳好友的缺陷，其实现步骤为：（1）建立用户与证书管理机构CA的通信系统框架；（2）证书管理机构CA为用户提交的属性进行验...
- 朱晓妍刘洁师双双雷小三池浩田陈增宝姜顺荣曹磊苏阳高曼飞
- 文献传递
- 基于动态假名的位置隐私保护方法
- 本发明公开了一种基于动态假名的位置隐私保护方法，主要解决现有位置匿名方法基于位置服务中的位置隐私保护程度过低的缺陷。其实现步骤为：建立由用户、可信机构、服务运营商组成的通信系统；可信机构初始化系统；用户向可信机构在线注册...
- 朱晓妍池浩田雷小三刘洁师双双陈增宝姜顺荣曹磊苏阳高曼飞
- GaN基p-i-n型紫外探测器光生载流子屏蔽效应模型
- 2010年
- 通过求解光生载流子连续性方程,得出GaN基p-i-n型紫外探测器耗尽层中的光生载流子密度分布.根据泊松方程计算了光生载流子屏蔽电场,并通过数值计算方法将光生载流子屏蔽电场引入器件模型,建立了光生载流子屏蔽效应模型.在此基础上,讨论了光生载流子屏蔽效应对p-i-n型探测器耗尽区光生载流子密度分布的影响,并分析了外加偏压、入射光功率以及载流子寿命对光生载流子屏蔽效应模型的影响.结果表明光生载流子屏蔽效应对器件性能的影响是非单调的,且通过调节外置偏压可以得到最大载流子漂移速度和最小器件响应时间.
- 高博刘红侠匡潜玮周文曹磊
- 关键词：GANP-I-N紫外探测器
- 基于矩阵变换算法的隐私匹配方法
- 本发明公开了一种基于矩阵变换算法的隐私匹配方法，主要解决现有社交网中关于隐私匹配中的未能高效的寻求最佳好友的缺陷，其实现步骤为：（1）建立用户与证书管理机构CA的通信系统框架；（2）证书管理机构CA为用户提交的属性进行验...
- 朱晓妍刘洁师双双雷小三池浩田陈增宝姜顺荣曹磊苏阳高曼飞
