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文献类型

  • 12篇专利
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  • 1篇标准

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇低温共烧
  • 5篇低温共烧陶瓷
  • 5篇封装
  • 4篇多层陶瓷
  • 4篇陶瓷
  • 3篇倒装焊
  • 3篇倒装焊接
  • 3篇金属化
  • 3篇焊盘
  • 2篇电子领域
  • 2篇陶瓷外壳
  • 2篇微电子领域
  • 2篇微系统
  • 2篇金属
  • 2篇金属化布线
  • 2篇混合导体
  • 2篇封装密度
  • 2篇封装外壳
  • 2篇高温扩散
  • 2篇瓷件

机构

  • 14篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 14篇戴雷
  • 6篇庞学满
  • 5篇严蓉
  • 4篇王子良
  • 2篇程凯
  • 2篇曹坤
  • 1篇张韧
  • 1篇崔岩
  • 1篇涂传政
  • 1篇樊正亮
  • 1篇周昊
  • 1篇杨建
  • 1篇张魁
  • 1篇曹常胜
  • 1篇刘世超

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2021
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2007
  • 1篇2005
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种采用混合导体结构的低温共烧陶瓷的方法
本发明是一种采用混合导体结构的低温共烧陶瓷的方法,包括如下工艺步骤:1)制出所需要的生瓷件;2)通过箱式低温烧结设备,采用复合型承烧板低温烧结成型出混合导体低温共烧陶瓷基板;3)在低温共烧陶瓷基板的表面采用金导体;4)在...
戴雷严蓉庞学满
文献传递
一种基于低温共烧陶瓷的倒装焊接的表贴型外壳结构
本实用新型提供了一种基于低温共烧陶瓷的倒装焊接的表贴型外壳结构,其特征是在低温共烧陶瓷外壳底部成型焊接金属化焊盘区,通过与陶瓷基体在低温共烧过程中形成,包括陶瓷腔区、陶瓷布线区和可焊接金属化焊盘。本实用新型的有益效果:本...
严蓉戴雷王子良
文献传递
一种基于低温共烧陶瓷的倒装焊接的表贴型外壳结构
本发明提供了一种基于低温共烧陶瓷的倒装焊接的表贴型外壳结构,其特征是在低温共烧陶瓷外壳底部成型焊接金属化焊盘区,通过与陶瓷基体在低温共烧过程中形成,包括陶瓷腔区、陶瓷布线区和可焊接金属化焊盘。本发明的有益效果:本结构可以...
严蓉戴雷王子良
文献传递
一种采用混合导体结构的低温共烧陶瓷的方法
本发明是一种采用混合导体结构的低温共烧陶瓷的方法,包括如下工艺步骤:1)制出所需要的生瓷件;2)通过箱式低温烧结设备,采用复合型承烧板低温烧结成型出混合导体低温共烧陶瓷基板;3)在低温共烧陶瓷基板的表面采用金导体;4)在...
戴雷严蓉庞学满
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一种应用于低温共烧陶瓷烧结的承烧板
本发明是一种应用于低温共烧陶瓷烧结的承烧板,其特征是该承烧板为带腔结构类平板;采用高温陶瓷成型,具体实现方法包括采用常规的多层陶瓷制作工艺,采用常规的冲裁及磨制工艺;表面粗糙度低于1.6,表面平整度小于15μm,上下平面...
戴雷曹常胜庞学满张魁
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一种具有异质集成双面腔结构的微系统封装外壳及制作方法
本发明涉及一种具有异质集成双面腔结构的微系统封装外壳及制作方法,包括外壳本体,其中间安装金属底板,将外壳本体形成双面腔结构,还包括上金属框以及下金属框,金属底板中间镂空,且在镂空处嵌设多层陶瓷基板,多层陶瓷基板的表面、底...
庞学满曹坤戴雷陈雨钊
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一种具有三维堆叠形式的多通道微系统封装组件及其制作方法
本发明涉及一种具有三维堆叠形式的多通道微系统封装组件及其制作方法,包括外壳以及嵌设在外壳内的陶瓷基板;外壳包括陶瓷底座,在陶瓷底座内设置多个并列排布的镂空腔体,每个镂空腔体内四个侧壁位置均设置台阶状结构,台阶的表面布设B...
庞学满戴雷曹坤陈雨钊刘世超
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多层陶瓷封装外壳的微波设计被引量:12
2005年
随着微电子器件的发展,集成度越来越高,不断向高频、高功率应用迈进,对其封装技术的发展也提出了更高要求。本文以一个场效应管封装外壳的微波设计为例,探讨了微波三维结构仿真技术在封装外壳设计上的应用,证明对封装外壳进行合理的微波设计,可以有效地提高器件的微波性能。
戴雷樊正亮程凯涂传政
关键词:微波封装HFSS
多层共烧陶瓷 生瓷块排胶工艺技术要求
本标准规定了多层共烧陶瓷生瓷块排胶工艺的环境、材料、设备、人员、安全、环保、工艺流程、工艺控制和质量检验要求。本标准适用于高温/低温多层共烧陶瓷生瓷块单独排胶的工艺过程。
戴雷陈骏董一鸣程凯李虹曹坤陈晓勇毕大鹏胡永芳
GaN器件封装用底座结构及其制造方法
本发明针对目前半导体器体中普遍采用的钨铜(W/Cu)、钼铜(Mo/Cu)等封装合金所存在的散热性不能满足要求的现状,公开了一种利用SiC/Al作为底装基体同时镶嵌有金刚石散热片的新型GaN器件封装用底座结构及其制造方法,...
王子良崔岩程凯杨建张韧戴雷
文献传递
共2页<12>
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