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徐碧野
作品数:
4
被引量:1
H指数:1
供职机构:
浙江大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
何乐年
浙江大学电气工程学院超大规模集...
宁志华
浙江大学
王煊
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付大伟
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陈帅
浙江大学
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2011
1篇
2010
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一种低温度系数高阶温度补偿的带隙基准电压源
本发明公开了一种低温度系数高阶温度补偿的带隙基准电压源,通过将具有高阶负温度系数的电流注入一个PNP型三极管,得到具有高阶温度系数的电压,并将该电压通过双差分对运算放大器耦合到最终的输出基准电压之中,补偿三极管带隙电压中...
何乐年
宁志华
付大伟
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徐碧野
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高性能流水线模数转换器的关键电路研究
随着电子科技技术在社会中的不断进步,模数转换器(ADC)作为模拟世界和数字世界之间的桥梁,被广泛的应用在各个领域,包括射频无线局域网络、图像成型技术以及各类传感器,当今最流行的3G手机技术的核心部分之一也是模拟信号和数字...
徐碧野
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流水线模数转换器
时钟电路
占空比
比较器电路
一种低温度系数高阶温度补偿的带隙基准电压源
本发明公开了一种低温度系数高阶温度补偿的带隙基准电压源,通过将具有高阶负温度系数的电流注入一个PNP型三极管,得到具有高阶温度系数的电压,并将该电压通过双差分对运算放大器耦合到最终的输出基准电压之中,补偿三极管带隙电压中...
何乐年
宁志华
付大伟
王煊
徐碧野
陈帅
陆燕锋
佀鸿伟
文献传递
Ge组分对SiGe HBT主要电学特性的影响
被引量:1
2008年
采用SiGe异质结结构提高晶体管的性能,分析了Ge对器件电流增益和频率特性提高的物理机制。综合考虑了Si1-xGex薄膜的稳定性、工艺特点和器件结构对Ge含量以及分布的要求和Ge组分的设计及其对器件电学特性的影响。从理论上推算了SiGe HBT的β和fT等主要特性参数,Ge的引入以及Ge的分布情况对提高这些参数有着显著的影响。Ge的引入对晶体管主要特性参数的提高使得SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域可以有更重要的应用前景。
王煊
徐碧野
何乐年
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