张胜坤
- 作品数：15 被引量：43H指数：4
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金上海市青年科技启明星计划更多>>
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- 用导纳谱研究锗量子点的能级结构
- 1998年
- 提出变偏压的导纳谱可用来研究量子点的能级结构以及其中载流子的库仑相互作用。对Ge/Si量子点结构进行了变偏压的导纳谱测试,探测到了5个空穴的填充过程,其中2个填入类s态的基态,束缚能约为432meV,3个填入类p态的第一激发态,束缚能约为338meV。Ge量子点获1个空穴所需要克服的库仑势能约为30meV。
- 张胜坤朱海军蒋最敏胡冬枝徐阿妹林峰陆昉
- 关键词：量子点锗能级结构
- 导纳谱研究两类Si基量子阱基态子能级的性质
- 1998年
- 用导纳谱技术研究了两类Ｓｉ基量子阱样品基态子能级的性质．基于量子阱中载流子的热激发模型，从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空穴基态位置到阱顶的距离．对于ＳｉＧｅ合金和Ｓｉ形成的组分量子阱，主要研究了退火对重空穴基态子能级的影响．发现样品的退火温度为８００℃时，随退火时间延长，激发能增加．对此现象的解释是，由于Ｓｉ，Ｇｅ互扩散，导致界面展宽，量子限制效应降低，重空穴基态位置下降，从而激发能增加．９００℃下退火，由于扩散系数增大和应变弛豫加强，激发能值单调下降，量子限制效应引起的变化被掩盖．对于Ｂ高浓度超薄层掺杂形成的量子阱结构样品，观察到在掺杂层掺杂浓度不变情况下，掺杂厚度的增加会导致量子阱中基态子能级位置下降，从而导致载流子激发能增加．
- 林峰盛篪柯炼朱建红龚大卫张胜坤俞敏峰樊永良王迅
- 关键词：硅基基态
- 磁控溅射制备Ta_2O_5/TiO_2薄膜及其光学与电学性能的研究被引量：7
- 1999年
- 用直流平面磁控溅射沉积薄膜的方法在Si和玻璃基片上制备了Ta2O5／TiO5混合薄膜。薄膜的透射光谱研究结果表明，在TiO2掺入浓度为0到17％，薄膜的折射率从2.08到2.23。薄膜折射率与掺入TiO2的浓度是近线性关系。薄膜的MOS电容器的I—V和C－V测量表明，经过退火处理能够提高Ta2O5／TiO2混合薄膜的介电常数。
- 傅正文张胜坤秦启宗章壮健
- 关键词：二氧化钛磁控溅射
- 自组织生长锗量子点的库仑荷电效应被引量：8
- 1998年
- 将导纳谱应用于半导体ＧｅＳｉ量子点的研究，观察到了典型直径为１３ｎｍ的Ｇｅ量子点的库仑荷电效应及其分立能级结构．
- 张胜坤蒋最敏王迅
- 关键词：量子点自组织生长半导体
- 短波HgCdTe光电二极管中缺陷能级对器件性能的影响
- 1999年
- 利用变频导纳谱研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．６）ｎ＋－ｏｎ－ｐ结中的深能级缺陷，得到其缺陷能级位置在价带上０．１５ｅＶ，同时给出了其俘获截面和缺陷密度，初步认为是Ｈｇ空位或与其相关的复合缺陷．根据深能级的有关参数，估算了器件的少子寿命和器件优值参数Ｒ０Ａ．
- 胡新文李向阳王勤陆慧庆赵军方家熊张胜坤
- 关键词：汞镉碲光电二极管红外器件
- 存在集中分布界面态的异质结的C-V特性研究
- 1997年
- 提出用高频C－V法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能级位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响．用这一方法对GaS／GaAs和Znse／GaAs两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态，其能级位置分别为Ec-0.41eV,Ec-0．51eV．
- 张胜坤陆昉陈溪滢孙恒慧
- 关键词：异质结界面态密度
- GaS/GaAs界面电学性质研究被引量：4
- 1997年
- 报道了微波放电法在ＧａＡｓ表面生长ＧａＳ薄膜．用电容电压法（ＣＶ）、伏安法（ＩＶ）以及深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）等测试手段对ＧａＳ／ＧａＡｓ界面的电学性质进行了研究．ＧａＳ／ＧａＡｓ界面的ＣＶ特性反映此处的界面特性比较好，界面态密度约为１０１２／（ｃｍ２·ｅＶ）．ＤＬＴＳ的测试得到了与其一致的结果．另外，从ＩＶ曲线中漏电流的大小。
- 陈溪滢丁训民张胜坤张博陆方曹先安朱炜侯晓远
- 关键词：砷化镓器件
- 导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应被引量：2
- 1998年
- 利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及单量子阱Ｓｉ／Ｓｉ０．７５Ｇｅ０．２５／Ｓｉ中原子互扩散的热激活能１．０８ｅＶ．
- 柯炼林峰张胜坤谌达宇陆昉王迅
- 关键词：锗硅单量子阱退火效应
- 脉冲激光沉积Ta_2O_5薄膜的Al/Ta_2O_5/n-Si结构的C-V和DLTS研究
- 1998年
- Ta_2O_5是一种性能优良的绝缘体材料,相对于传统MOS工艺中的SiO_2,Si_3N_4而言,它具有很高的介电常数(ε_(Ta_2O_5)=25,ε_(SiO_2)=4,ε(Si_3N_4)=7),高阻抗,低内应力,及耐高压等优点。因此,它在未来的Si集成电路工艺中具有潜在的应用前景。迄今为止,人们尝试了用许多方法来制备Ta_2O_5薄膜,其中包括反应性溅射沉积,低压化学气相沉积(LPCVD),等离子体增强化学气相沉积(PECVD),光诱导化学气相沉积等,并对薄膜的结构和电学特性做了大量的研究工作。然而,对脉冲激光沉积的Ta_2O_5薄膜的电学性质的研究还未见报道。
- 张胜坤付正文柯炼秦启宗陆昉王迅
- 关键词：脉冲激光沉积电学性质DLTS
- 同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究被引量：15
- 1999年
- 首次利用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）研究了铟锡氧化物（ＩＴＯ）薄膜表面的化学状态．发现ＩＴＯ表面的铟和锡分别具有多种价态．对比真空退火前后ＩＴＯ样品的电阻率与透射率，结合对ＩＴＯ导电机理的分析讨论。
- 来冰丁训民袁泽亮周翔廖良生张胜坤袁帅侯晓远陆尔东徐彭寿张新夷
- 关键词：铟锡氧化物ITO
