张玲艳
- 作品数：11 被引量：11H指数：2
- 供职机构：北京科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 一种制备碳化钛陶瓷粉末的方法
- 一种制备碳化钛陶瓷粉末的方法，属于陶瓷粉末制备领域。钛源包括可溶性钛盐四氯化钛或四溴化钛；碳源包括葡萄糖、蔗糖、柠檬酸、可溶性淀粉；氧化剂为硝酸；燃料为尿素；硝酸铵为调配剂。钛源和碳源的摩尔比Ti∶C＝1∶(4～16)。...
- 曲选辉秦明礼王建欧阳明亮张玲艳贾宝瑞
- 文献传递
- 一种制备氮化钛陶瓷粉末的方法
- 一种制备氮化钛陶瓷粉末的方法，属于陶瓷粉末制备领域。钛源包括可溶性钛盐四氯化钛或四溴化钛；碳源包括葡萄糖、蔗糖、柠檬酸、可溶性淀粉；氧化剂为硝酸；燃料为尿素；硝酸铵为调配剂；钛源和碳源的摩尔比Ti∶C＝1∶(4～16)；...
- 曲选辉秦明礼王建欧阳明亮张玲艳贾宝瑞
- 文献传递
- AlN陶瓷与可伐合金的活性封接被引量：5
- 2009年
- 采用Ag-Ti3活性焊料在真空条件下对AlN陶瓷与可伐合金进行了活性封接。采用SEM-EDX,XRD,EBSD方法分析了焊接层的显微组织结构和相组成。测定了焊接力学性能,并对断裂表面进行了组织结构和相分析。在1240 K真空条件下焊接性能良好,抗弯强度σb=205.89 MPa,剪切强度στ=176.10 MPa。
- 张玲艳秦明礼曲选辉陆艳杰张小勇
- 关键词：显微结构封接强度
- AlN与Mo-Ni-Cu活性封接的微观结构和性能分析被引量：1
- 2009年
- AlN陶瓷是一种性能优良的电子封装材料,但不容易与金属直接连接在一起.实验采用98(Ag28Cu)2Ti活性焊料,在真空条件下实现了AlN陶瓷与Mo-Ni-Cu合金的活性封接.利用EBSD、EDS、XRD方法研究了焊接区域以及剪切试样断裂表面的微观结构和相组成,测定了焊区的力学性能和气密性.研究结果显示:在AlN陶瓷界面上有TiN生成,说明陶瓷与焊料之间是一种化学键合,而在Mo-Ni-Cu合金的界面上有少量的Ni-Ti金属间化合物存在.剪切后试样的断裂面上有TiN和AlN,说明断裂发生在靠近陶瓷的焊层区域.焊接试样性能优良:气密性达到1.0×10-11Pa.m3/s,平均抗弯强度σb=78.55MPa,剪切强度στ=189.58MPa.
- 张玲艳秦明礼曲选辉陆艳杰张小勇
- 氮化铝陶瓷的活性封接技术研究
- 张玲艳
- 关键词：氮化铝陶瓷可伐合金
- 一种制备碳化钛陶瓷粉末的方法
- 一种制备碳化钛陶瓷粉末的方法，属于陶瓷粉末制备领域。钛源包括可溶性钛盐四氯化钛或四溴化钛；碳源包括葡萄糖、蔗糖、柠檬酸、可溶性淀粉；氧化剂为硝酸；燃料为尿素；硝酸铵为调配剂。钛源和碳源的摩尔比Ti∶C＝1∶(4～16)。...
- 曲选辉秦明礼王建欧阳明亮张玲艳贾宝瑞
- 文献传递
- AlN陶瓷活性封接技术的研究概况被引量：5
- 2010年
- AlN陶瓷具有优异的热、电、力学等综合性能,在许多高技术领域具有广泛的应用前景。但由于AlN陶瓷的一些固有特性限制,通常需要与其他材料封接后才能使用。AlN陶瓷与其他材料封接的方法很多,在诸多的封接方法中,活性金属法以其适用面广、连接强度高、工艺简单、高效可靠等优点引人注目。该文主要介绍近年来AlN陶瓷活性封接技术的研究状况,包括在活性钎料、反应润湿、界面反应、连接强度及与其他材料封接等方面的研究状况,指出有待进一步研究的问题。
- 李慧秦明礼钟小婧张玲艳贾宝瑞曲选辉
- 关键词：ALN陶瓷活性钎料钎焊工艺
- AlN陶瓷与可伐合金的活性封接
- 采用Ag-Ti3活性焊料在真空条件下对AlN陶瓷与可伐合金进行了活性封接.采用SEM-EDX,XRD,EBSD方法分析了焊接层的显微组织结构和相组成.测定了焊接力学性能,并对断裂表面进行了组织结构和相分析.在1240 K...
- 张玲艳秦明礼曲选辉陆艳杰张小勇
- 关键词：ALN陶瓷可伐合金显微结构封接强度
- 文献传递
- AlN陶瓷与可伐合金的活性封接
- 采用Ag-Ti3活性焊料在真空条件下对AlN陶瓷与可伐合金进行了活性封接。采用SEM-EDX,XRD,EBSD方法分析了焊接层的显微组织结构和相组成。测定了焊接力学性能,并对断裂表面进行了组织结构和相分析。在1240 K...
- 张玲艳秦明礼曲选辉陆艳杰张小勇
- 关键词：显微结构封接强度
- 文献传递
- AlN/Mo-Ni-Cu的活性封接研究被引量：2
- 2009年
- 采用Ag70-Cu28-Ti2活性焊料在真空条件下对A1N陶瓷和Mo-Ni—Cu合金进行活性封焊。分析焊区的显微组织形态、相组成，测定焊区力学性能和气密性。结果表明：在焊料层与合金的界面处Cu的含量相对较高，而在A1N陶瓷与焊料层的界面处形成了厚度为1～2gm的富Ti层；经XRD分析发现，AIN陶瓷与焊料层的界面上有TiN存在，表明在A1N陶瓷与焊料层的界面处形成了化学键合。焊接后试样的气密性达到1．0×10^-11Pa．m^3／s，抗弯强度σb=78．55MPa，剪切强度στ=189．58MPa。
- 张玲艳秦明礼曲选辉陆艳杰张小勇
- 关键词：封接强度
