张江勇
- 作品数：6 被引量：15H指数：2
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- 氮化硅薄膜中纳米非晶硅颗粒的键合结构及光致发光被引量：5
- 2008年
- 采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术以N2/SiH4/H2为反应气体制备了镶嵌有纳米非晶硅颗粒的氢化氮化硅薄膜,通过改变N2流量实现了薄膜从红到蓝绿的可调谐光致发光.傅里叶红外透射和紫外-可见光吸收特性分析表明,所生长薄膜具有较高的氢含量,N2流量增加使氢的键合结构发生变化,非晶硅颗粒尺寸减小,所对应的薄膜的光学带隙逐渐增加和微观结构有序度减小.可调光致发光(PL)主要来源于纳米硅颗粒的量子限制效应发光,随N2流量增加,PL的谱线展宽并逐渐增强.
- 于威李亚超丁文革张江勇杨彦斌傅广生
- 关键词：光吸收谱光致发光
- 镶嵌在氮化硅薄膜中纳米硅发光机制研究
- 本工作采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术制备了富硅氮化硅薄膜,利用拉曼散射谱(Raman)、傅立叶变换红外吸收(FTIR)谱、透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见光吸收谱、光致发光(PL)和光致发光激发(PLE)谱技术对...
- 张江勇
- 关键词：纳米硅氮化硅光吸收光致发光发光机制
- 文献传递
- 具有粗糙表面的氮化硅薄膜光热偏折谱分析
- 2006年
- 给出了一种分析表面粗糙度对氮化硅(SiNx)薄膜光热偏折谱(PDS)影响的简单方法.得出了光散射影响下,由PDS实验测得的薄膜的吸收系数与表面粗糙度的函数关系式.在此基础上,对PDS测得的具有纳米量级表面粗糙度的SiNx薄膜的吸收系数进行了修正,并进一步给出了不同薄膜厚度和表面粗糙度情况下,PDS测量结果的偏差.结果表明,在较低能量区域,PDS实验测得的薄膜吸收系数偏差较大,这种偏差不仅取决于薄膜的表面粗糙度,而且与薄膜的厚度相关,较大的表面粗糙度和较小的薄膜厚度将使其偏差显著增加;而在高能区域,这种偏差很小,可以忽略.
- 丁文革张江勇马立彬于威傅广生
- 关键词：光散射
- 镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜键合特性分析被引量：9
- 2006年
- 采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术制备了非化学计量比的氢化氮化硅薄膜,对所沉积样品及氮气环境中920℃退火样品的微观结构及键合特性进行了分析。Raman散射结果表明,薄膜中过量硅以非晶纳米粒子形式存在,退火样品呈现纳米晶硅和氮化硅的镶嵌结构。红外吸收和可见光吸收特性比较结果显示,薄膜样品的微观结构依赖于化学计量比以及退火过程,硅含量较低样品因高的键合氢含量而表现出低的纳米硅表面缺陷态密度;退火过程将引起Si—H和N—H键合密度的减少,因晶态纳米颗粒的形成,退火样品表现出更高的结构无序度。
- 丁文革于威杨彦斌张江勇傅广生
- 关键词：RAMAN谱光吸收谱
- 纳米硅/氮化硅发光薄膜微结构调控研究
- 丁文革于威李文博路万兵韩理张江勇齐文皓王晓菲傅广生
- 硅基纳米材料是近年迅速发展起来的一类新型光电信息功能材料，在未来的发光二极管和光电子集成技术中都具有潜在的重要应用。该课题利用螺旋波等离子体化学气相沉积技术，设计了不同方案制备镶嵌在氮化硅介质中的纳米硅微结构(纳米硅/氮...
- 关键词：
- 关键词：硅基纳米材料光电信息功能材料发光器件
- 纳米非晶硅薄膜的界面发光特性被引量：1
- 2007年
- 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术沉积了不同氢稀释比的富硅氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并利用光致发光(PL)和光致发光激发(PLE)谱技术对其发光特性进行了研究.结果显示,所有样品发光均表现为两个带的叠加:一个发光带随氢稀释比增大而发生蓝移,另一个发光带则固定在2.9eV左右.前者关联于镶嵌在a-SiNx:H基质内非晶纳米硅颗粒的界面发光,后者来源于a-SiNx:H基质相关的局域态中电子和空穴对的辐射复合.并结合所沉积薄膜的吸收特性,分析了缺陷态和界面态对薄膜中非晶纳米硅界面发光特性的影响.
- 傅广生张江勇丁文革吕雪芹于威
- 关键词：PLPLE吸收谱
