张安邦
- 作品数：8 被引量：2H指数：1
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- 相关领域：理学自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 发光二极管阵列芯片结构及其制备方法
- 本发明公开了一种发光二极管阵列芯片结构，包括衬底，其特征在于：在衬底上设有缓冲层，在缓冲层的顶面设有n型层，在缓冲层与n型层之间设有线状平行排列的n型层引线；在n型层的顶面设有RGB发光层，在RGB发光层、n型层及缓冲层...
- 邓朝勇李绪诚王新张安邦杨利忠
- 发光二极管阵列芯片结构及其制备方法
- 本发明公开了一种发光二极管阵列芯片结构，包括衬底，其特征在于：在衬底上设有缓冲层，在缓冲层的顶面设有n型层，在缓冲层与n型层之间设有线状平行排列的n型层引线；在n型层的顶面设有RGB发光层，在RGB发光层、n型层及缓冲层...
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- 文献传递
- 叠片式金属化薄膜电容及其制备方法
- 本发明公开了一种叠片式金属化薄膜电容，包括绝缘基板，在绝缘基板上设有金属薄膜电极<Image file="2011103862656100004DEST_PATH_IMAGE001.GIF" he="5" imgCont...
- 邓朝勇马亚林石健张安邦
- 文献传递
- 阵列式真彩发光二极管芯片
- 本实用新型公开了一种阵列式真彩发光二极管芯片，包括衬底，其特征在于：在衬底上设有缓冲层，在缓冲层的顶面设有n型层，在缓冲层与n型层之间设有线状平行排列的n型层引线；在n型层的顶面设有RGB发光层，在RGB发光层、n型层及...
- 邓朝勇李绪诚王新张安邦杨利忠
- 文献传递
- 复合陶瓷BaTiO_3/Ni_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4的常温巨介电特性研究被引量：2
- 2014年
- 采用传统的固相反应法和氧化物陶瓷工艺制备了无铅磁电复合陶瓷(1–x)BaTiO3/x Ni0.5Zn0.5Fe2O4(质量配比,x=0,0.2,0.5,0.8)(BTO/NZF),研究了NZF含量对复合陶瓷的物相组成、微观形貌、致密度和介电性能的影响。结果表明:当NZF含量较低(x=0,0.2,0.5)时,NZF对复合陶瓷有介电稀释效应;当NZF含量较高(x=0.8)时,复合陶瓷晶粒尺寸、致密度及两相间接触面积增大,其NZF含量达到复合陶瓷渗流阈值,产生Maxwell-Wagner(M-W)表面极化效应,使得复合陶瓷在低频(f=40 Hz)下具有高的巨介电常数(ε′=312 238)和较低的介电损耗(tanθ=0.40)。
- 任丽张荣芬李峥张安邦邓朝勇
- 关键词：钛酸钡镍锌铁氧体复合陶瓷巨介电常数介电损耗
- 用于铁电BaTiO_3薄膜的Ta_2O_5隔离埋层(英文)
- 2013年
- BaTiO3薄膜的铁电性通常会受到界面效应的影响而衰减。提出了使用Ta2O5作为隔离层能够有效抑制界面效应。利用脉冲激光沉积技术,在(100)晶向的SrTiO3衬底上成功制备了BaTiO3/Ta2O5/SrRuO3三层复合薄膜结构。样品的XRD结果表明所得到的薄膜为四角结构的BaTiO3,样品的三层膜结构能够在场发射扫描电镜(FESEM)中清楚观察到。实验所测的电滞回线表明该三层BaTiO3/Ta2O5/SrRuO3薄膜的饱和极化强度、剩余极化强度和矫顽电压分别是58.7μC/cm2,20.6μC/cm2,20.3 V。与两层的BaTiO3/SrRuO3薄膜相比,该BaTiO3/Ta2O5/SrRuO3三层复合薄膜能够表现出更加优异的铁电性。因而,提供了一个能使BaTiO3薄膜的集成变得简单可行的方法,并且可以用作提升相关铁电器件的性能。
- 张安邦祁小四邓朝勇
- 关键词：铁电陶瓷铁电性
- 叠片式金属化薄膜电容及其制备方法
- 本发明公开了一种叠片式金属化薄膜电容，包括绝缘基板，在绝缘基板上设有金属薄膜电极Ⅰ及金属薄膜电极Ⅱ，在金属薄膜电极Ⅰ与金属薄膜电极Ⅱ之间设有将它们完全分隔的介质薄膜，金属薄膜电极Ⅰ、金属薄膜电极Ⅱ及介质薄膜组成叠片式结构...
- 邓朝勇马亚林石健张安邦
- 叠片式金属化薄膜电容
- 本实用新型公开了一种叠片式金属化薄膜电容，包括绝缘基板，在绝缘基板上设有金属薄膜电极I及金属薄膜电极I，在金属薄膜电极I与金属薄膜电极I之间设有将它们完全分隔的五氧化二钽介质薄膜，金属薄膜电极I、金属薄膜电极I及五氧化二...
- 邓朝勇马亚林石健张安邦
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