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常新安

作品数:83 被引量:209H指数:8
供职机构:北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金青年科技基金更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 63篇期刊文章
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  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

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主题

  • 65篇晶体
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  • 6篇倍频
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  • 5篇双掺
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机构

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作者

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传媒

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年份

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  • 5篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2003
  • 3篇2002
  • 2篇2001
83 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
DKDP晶体的柱面形貌与缺陷分析
2005年
采用原子力显微镜观测全方位生长的DKDP晶体的{100}面形貌,发现有螺旋位错,由此推断DKDP晶体{100}面以螺旋位错机制生长;利用同步辐射X射线白光形貌术观测了DKDP晶体缺陷,探讨了不同生长条件及生长阶段对晶体完整性的影响。
郝秀红常新安臧和贵陈学安田玉莲
关键词:DKDP晶体螺旋位错
尾矿酸浸液除硅以及制备高纯铁红的研究被引量:3
2012年
金川公司尾矿酸浸液中除含有较高含量的铁之外,还含有一定量的杂质硅。以氧化钙为中和剂,聚丙烯酰胺为絮凝剂,通过正交设计与实验,得出了从该酸浸液中除硅的较佳工艺条件;随后,以氧化镁为中和剂,空气和双氧水为氧化剂,将除硅后滤液在85℃搅拌加热,制得针铁矿沉淀;最后将沉淀在800℃煅烧2 h并经过5%稀硝酸洗涤得到了高纯铁红,其主成分质量分数为99.2%,符合HG/T 2574—2009工业氧化铁国家标准。
廖攀陈学安常新安肖卫强王少华
关键词:絮凝除硅铁红
砷酸对ZTS溶液稳定性及晶体生长的影响
2017年
以提高ZTS溶液稳定性和进一步探索其晶体生长的较佳条件为目的,选择砷酸为添加剂,通过溶液亚稳区宽度和诱导期的测定探索了砷酸对ZTS溶液稳定性的影响,采用水溶液降温法在砷酸不同添加浓度条件下进行了ZTS晶体生长实验。结果表明,ZTS溶液稳定性随着砷酸浓度的增大而增大,且砷酸的添加使ZTS晶体的a轴向生长速度明显加快,晶体形貌也有很大变化,晶面数目大幅减少,但晶体的晶胞参数会因微量的砷酸根离子的掺入略微增大。
禹化健常新安陈学安肖卫强涂衡
关键词:砷酸诱导期晶体生长
Nb^(5+)对KTNP单晶生长的影响研究
2000年
KTP晶体是一种优良的非线性光学晶体 ,若掺入激活离子Nd3 +可望其成为激光自倍频晶体。我们的前期工作表明 ,采用高温溶液籽晶降温法生长单掺Nd3 +的KTP(即KTNP)晶体时 ,Nd3 +的分配系数极小 ,且当溶液中Nd3 +浓度≥ 1 2 % (mol% )时即会析出紫红色NdPO4晶相 ,故无法进一步提高KTNP晶体中的Nd3 +浓度而达到激光自倍频的要求。为此 ,我们选择Nd5 +作为协同离子掺入KTNP晶体中部分取代Ti4+,以期补偿由于Nd3 +取代Ti4+时带来的电荷不平衡。结果发现这种协同作用非常显著。例如 ,掺Nd5 +1 %后 ,Nd3 +的分配系数比单掺Nd3 +增大了一个数量级以上 (约 1 2倍 ) ,同时NdPO4在体系中的溶解度也略有增大。掺Nd5 +后晶体生长习性变化很大 ,a向生长速率几乎为零 ,同属 [0 1 0 ]晶带的所有晶面均被平行于 [0 1 0 ]方向的细密台阶所代替 ,经细致观测这些台阶发现 ,每个台阶均由 {1 0 0 }、{6 0 1 }和 {2 0 1 }面族窄细的相应晶面组成。根据以上结论 ,我们采用a向尺寸较大的籽晶 ,在Nb5 +浓度达 1 %~ 3% ,Nd3 +浓度达1 0 %~ 1 3%的KTP溶液中生长了优质厘米级掺Nb5 +KTNP系列晶体。晶体的掺杂浓度和晶体性能测试工作正在进行中。
常新安张克从臧和贵肖卫强江少林王希敏
关键词:倍频晶体掺杂
非线性光学晶体多功能测试系统被引量:8
1998年
采用现代激光技术和光电子技术,根据晶体光学原理与非线性光学晶体的习性,设计了非线性光学晶体多功能测试系统。本系统具有结构紧凑,稳定可靠,一机多能的测试功能。
臧和贵张红肖卫强常新安王希敏张克从
关键词:测量系统
异价双掺KTP型系列晶体生长与性能研究
2000年
采用高温溶液缓慢降温籽晶法生长了一系列异价双掺KTP系列晶体。所选用的异价双掺离子分别为三价稀土离子 (Tm3 +、Yb3 +)和协同离子Nb5 +Ge4+。我们系统地研究了异价双掺KTP系列晶体的生长习性与其变化规律 ,发现掺Nb5 +系列的异价双掺KTP晶体都存在 ( 1 0 0 )晶面楔化现象 ;掺Ge4+系列的异价双掺KTP晶体均有利于提高 [1 0 0 ]方向的生长速率 ,对生长优质完整晶体有利。同时测定了异价双掺KTP系列晶体中各种掺质离子的浓度 ,并计算出相应的分配系数 ,发现各种掺质离子掺入晶体的能力各不相同 ,Nb5 +、Ge4+的掺入能力明显地高于Tm3 +、Yb3 +,Nb5 +的掺入能力高于Ge4+;Yb3 +的掺入能力高于Tm3 +;而且Nb5 +有利于提高Yb3 +、Tm3 +掺入晶体中的能力 ,起到了协同的作用 ,而Ge4+对此作用不大。测定了异价双掺KTP系列晶体的晶胞参数与激光Raman光谱 ,并与纯KTP晶体的作了对比均变化不大 ,此况说明了各种掺质离子均进入了KTP晶格格位 ,同时也说明了所生长的系列晶体均为KTP型晶体。测量了异价双掺KTP系列晶体的粉末倍频效应 ,测量结果表明 :Nb :Yb :KTP、Nb :Tm :KTP系列晶体的SHG效应均比纯KTP晶体的有所提高 ,但Ge :Yb :KTP、Ge :Tm :KTP系列晶体的SHG效应却均有明显的下降。今后拟进一步研究这些掺质离子进?
姚文生张克从常新安臧和贵江少林王希敏
关键词:掺杂
优质大尺寸ADP晶体生长研究
张克从王希敏常新安刘福强
优质大尺寸ADP晶体生长研究本项目围绕ADP晶体质量、 晶体生长尺寸和生长速率这三个主要问题,着重进行了以下几个方面的研究:(1) 系统地进行了杂质对晶体质量、生长习性影响的实验, 分析了这些影响的成因,提出了消除杂质不...
关键词:
关键词:晶体生长晶体质量生长速率溶液法
KTNNP晶体的倍频效应研究
1999年
采用激光粉末倍频法,对掺入相同浓度Nb5+ 离子(1% )和不同浓度Nd3+ 离子的KTP- K6体系中生长的KTNNP晶体进行了倍频效应测试。结果发现,KTNNP晶体的倍频效应较KTP晶体增强了4% ~5%
臧和贵常新安肖卫强江少林王希敏张克从
关键词:倍频效应
新的NLO化合物Ce(MoO_2)(OH)(IO_3)_4的合成和晶体结构被引量:1
2005年
新的NLO化合物Ce(MoO2)(OH)(IO3)4由水热法在170℃下制备得到。X射线单晶结构分析表明,该化合物以极性空间群P21结晶,晶体学参数为:a=0.70144(8)nm,b=1.41554(10)nm,c=0.70969(6)nm,β=115.318(7),°V=0.6369(1)nm3,Z=2。Ce(MoO2)(OH)(IO3)4的晶体结构是由八配位的Ce3+阳离子,高度畸变的MoO66-八面体,和碘酸根阴离子基团组成的复杂三维网所构成。分析其结构表明,含有I(3)和I(4)的碘酸根基团的孤电子对的合成方向指向极化轴b,从而导致晶体结构具有非中心对称性。此外,红外光谱进一步证实了MoO6-6,IO-3基团和Mo-OH作用的存在。
张莉陈学安常新安臧和贵肖卫强
优质DKDP晶体的点状籽晶生长及其表征研究被引量:7
2003年
本文在研究DKDP溶液稳定性的基础上 ,采用Z切点状籽晶 (5mm× 5mm× 3mm)生长了多块DKDP晶体 ,在2 5 0ml和 10 0 0ml生长瓶中分别获得了在 [10 0 ]和 [0 0 1]向生长速度可达到 3mm/d和 4 5mm/d的点状籽晶生长优质DKDP晶体的生长条件。通过等离子体发射光谱 (ICP)和紫外可见光谱分析发现DKDP晶体柱面的金属离子含量比锥面高 ,柱面的紫外可见吸收比锥面大。性能测试结果表明 ,点状籽晶全方位生长的DKDP晶体的激光损伤阈值约为 5GW/cm2 、半波电压约为 4kV、动态消光比约为 16 0 0∶1。
刁立臣常新安臧和贵
关键词:DKDP晶体点状籽晶晶体生长
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