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安春霞

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：哈尔滨师范大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇气相沉积
  • 1篇线阵列
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇纳米线阵列
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇ZNO纳米
  • 1篇ZNO纳米线
  • 1篇ZNO纳米线...

机构

  • 1篇哈尔滨师范大...

作者

  • 1篇姜威
  • 1篇安春霞
  • 1篇魏平

传媒

  • 1篇哈尔滨师范大...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
ZnO纳米线阵列的生长机制被引量：1
2009年
通过化学气相沉积方法在Si衬底上制备了规则排列的ZnO纳米线阵列.利用扫描电子显微镜观察了合成的氧化锌纳米结构的形貌,表明当In在前驱物中引入超过0.3 g时,在Si衬底上合成的纳米结构都是纳米线阵列;高分辨透射电子显微镜图像、X射线图谱和X射线能谱均表明合成的ZnO纳米线阵列具有纤锌矿结构,择优沿(001)方向生长.提出了在Si衬底上生长ZnO纳米线阵列的机制.
安春霞姜威魏平
关键词：ZNO纳米线阵列化学气相沉积
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共1页<1>
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