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一种在高硼硅玻璃上镀制高纯Ni/Cu双层靶膜的方法: 本发明属于核靶制备技术领域，公开了一种在高硼硅玻璃上镀制高纯Ni/Cu双层靶膜的方法。该方法是利用金属蒸汽真空弧离子源——过滤阴极真空弧——电阻加热真空蒸发组合设备进行该双层靶膜的镀制的。采用本发明提供的方法能够成功制备...; 樊启文王华胡跃明孟波张榕

HI-13串列加速器高压锻炼: HI-13串列加速器进行加速管技术改造,采用分段和整体锻炼的方法分别完成绝缘支柱和新加速管的高压锻炼.绝缘支柱和新加速管的高压值分别达到15.56MV和15.07MV.; 胡跃明阚朝新杨丙凡方玉庆夏清良张秋红金春生王美燕陈楠刘春江隗永学孟波魏蒙存范宏盛; 关键词：绝缘支柱加速管 HI-13串列加速器; 文献传递

一种氘化聚乙烯纳米线阵列靶的制备方法: 本发明属于核技术应用技术领域，公开了一种氘化聚乙烯((CD2)n)纳米线阵列靶的制备方法。该方法是先采用溶解—聚合法制备(CD2)n...; 樊启文王华孟波; 文献传递

HI-13串列加速器加速管技术改造被引量：2: 2003年; HI 13串列加速器加速管技术改造已经完成。用1根243 8cm和7根223 5cm的加速管替代了已使用16年之久的8根182 9cm加速管。为配合新加速管的安装,对加速器的主体布局进行了调整,对加速器的死区结构、充电系统、电阻分压系统进行了改造,重新设计制作了加速管入口栅网透镜及供电和控制系统,研制了新的输电梯死区惰轮。改造后的加速器头部电压达15 07MV。; 杨丙凡秦久昌张桂莲苏胜勇黄青华胡跃明关遐令杨志仁杨涛阚朝新范宏盛彭朝华隗永学张秋红方玉庆夏清良刘德中杨宝君侯德义孟波陈楠金春生刘春江任印周立鹏; 关键词：串列加速器加速管

一种用于铁、钴、镍、钛同位素材料的凝结装置: 本公开属于同位素材料凝结技术领域，具体涉及一种用于铁、钴、镍、钛同位素材料的凝结装置。该凝结装置包括真空室、冷凝器、加热器及收集器。其中冷凝器、加热器、收集器都位于真空室内。所述的真空室的形状为钟罩型，对真空室抽真空使室...; 樊启文胡跃明王华孟波张榕; 文献传递

类金刚石碳剥离膜的制备及其寿命研究: 2024年; 采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)技术,结合交流碳弧(ACCA)技术和松弛技术,制备了~5μg/cm^(2)的自支撑类金刚石碳(DLC)剥离膜。采用XP2U电子天平测试DLC膜的均匀性。结果显示,在Φ100 mm范围内,DLC膜最大不均匀性为8.82%。采用扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)谱仪和X光电子谱(XPS)仪测试分析DLC膜的微观结构。SEM图像显示,通过双90°过滤后的DLC膜表面光滑,基本不含液滴。Raman光谱显示,DLC膜为典型的非晶DLC膜。XPS能谱显示,DLC膜中的sp^(3)杂化键超过70%。通过北京HI-13串列加速器提供的系列重离子束测试研究DLC剥离膜的寿命。结果显示,松弛后的DLC剥离膜寿命约为松驰前的3倍;对于^(63)Cu^(-)和^(197)Au^(-)离子束(加速电压9 MV、低能端流强1μA),DLC剥离膜寿命分别为碳弧碳剥离膜寿命的4倍和13倍;对于^(107)Ag^(-)、^(70)Ge^(-)、^(48)Ti^(-)、^(28)Si^(-)和^(127)I^(-)离子束,DLC剥离膜寿命为碳弧碳剥离膜寿命的2.6~10.0倍,并且离子越重、束流越强,DLC剥离膜的寿命对比碳弧碳剥离膜寿命的优势就越大;DLC剥离膜寿命与基衬偏压有一定关系,目前的测试结果显示,随基衬偏压的加大,剥离膜寿命呈现先升高后降低的大概趋势,-400 V左右的基衬偏压下DLC剥离膜寿命最长。; 樊启文孟波王华张榕

一种6LiF靶膜的制备工艺: 本发明属于同位素靶材制备技术领域，公开了一种6LiF靶膜的制备工艺。该工艺是将6LiF制备成团聚状后，利用电子轰击设备将其沉积在底衬上，该工艺制备的6Li...; 樊启文杜英辉王华胡跃明孟波张榕

氧同位素靶的制备方法: 本发明属于靶材制备技术领域，公开了氧同位素靶的制备方法。该方法包括：将气体状态的氧气同位素17O2或18O2与钨粉发生氧化还原反应生...; 樊启文孟波王华; 文献传递

同位素10B材料的烧结方法: 本发明属于同位素靶材制备技术领域，公开了一种同位素10B材料的烧结方法。该方法是将10B材料压制成型后置入碳坩埚内，在真空条件下，利用间歇式静电聚焦微调电子轰击法轰击...; 樊启文孟波王华

一种松弛装置: 本申请属于加速器应用技术领域，公开了一种松弛装置。该装置包括：松弛室，用于为待松弛剥离膜提供支撑及松弛空间；供气室，用于提供压缩空气以及为储气室提供负压环境，其位于松弛室下方。该装置可将剥离膜在垂直方向向下延伸以松弛剥离...; 王华樊启文孟波; 文献传递

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孟波