您的位置： 专家智库 > >

孟宪国

作品数：14 被引量：44H指数：4
供职机构：北京交通大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 5篇理学
  • 4篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程

主题

  • 9篇发光
  • 8篇电子俘获
  • 7篇光激励
  • 7篇光激励发光
  • 5篇光存储
  • 4篇稀土
  • 3篇色心
  • 2篇陶瓷
  • 2篇稀土离子
  • 2篇离子
  • 2篇光学
  • 2篇发光学
  • 2篇EU^2+
  • 2篇玻璃陶瓷
  • 2篇掺杂
  • 2篇EU
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷传输
  • 1篇电流
  • 1篇电压

机构

  • 11篇北京交通大学
  • 3篇北方交通大学

作者

  • 14篇孟宪国
  • 9篇王永生
  • 6篇孙力
  • 4篇靳辉
  • 3篇侯延冰
  • 3篇滕枫
  • 2篇何志毅
  • 2篇徐征
  • 2篇何大伟
  • 1篇董金凤
  • 1篇徐叙瑢
  • 1篇邓朝勇
  • 1篇王丽辉
  • 1篇王欣姿
  • 1篇刘俊峰
  • 1篇李海玲
  • 1篇张琳
  • 1篇何志毅

传媒

  • 2篇光谱学与光谱...
  • 2篇中国稀土学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇光电子技术与...
  • 1篇光学学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇激光与红外
  • 1篇北京交通大学...

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇2000
共 14 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
锰掺杂对CaS∶Eu光激励发光性能的影响被引量：9
2004年
采用硫化助熔剂法制备了CaS∶Eu,Mn荧光粉。通过测量样品的荧光光谱和紫外光辐照下的光激励发光谱,发现Mn离子的掺入使CaS∶Eu的发光性能明显增强,存在于基质材料中的陷阱分布因掺入Mn杂质而改变,形成了新的俘获中心,引起能量转移。增大了电子俘获过程中电子和空穴复合的几率,有利于提高材料的存储性能。比较了不同浓度下发射光谱的差异,探讨了掺杂浓度对发光特性的影响。通过比较光激励发光衰减曲线,进一步表明了Mn掺杂对CaS∶Eu光激励发光性能的改善。
张琳王永生孙力孟宪国
关键词：发光学光激励发光电子俘获
一种X射线影像存储用功能材料及其制备方法
一种X射线影像存储用功能材料，涉及一种光电子材料。其表达式：BaBr<Sub>x</Sub>Cl<Sub>2－x</Sub>: a Eu<Sup>2+</Sup>，式中，0.8＜x＜1.2，0.0001＜a≤0.05摩尔...
王永生何大伟孟宪国
文献传递
BaBrCl:Ce^(3+)光存储性能的研究
2006年
采用高温固相反应法制备了Ce3+掺杂的BaBrCl材料.研究了样品的荧光光谱,经X射线辐照前后的吸收光谱及差吸收谱(DAS).首次在BaBrCl:Ce3+中发现光激励发光.发射峰及光激励发光峰均位于~390 nm;DAS为500~750 nm的宽带谱,与BaFX:Eu2+(X=Cl,Br)相比,该吸收带与He_Ne激光器(633 nm),或廉价、小巧、使用方便的半导体激光器的波长更为匹配.表明BaBrCl:Ce3+有望成为一类新型的X射线存储材料.
董金凤王永生孟宪国王丽辉
关键词：光存储电子俘获稀土
红外光激励下稀土共掺杂SrS中的光存储被引量：2
2000年
研究了 Sr S∶ Eu,Sm,Ce在紫外和蓝光辐照下的光激励发光 ,分析了不同写入光激发下光激励发射谱的差异 ,发现空穴束缚对其起决定性的作用。对电子发生转移的途径和光激励过程中电子的释放过程以及基质中不同稀土离子的作用进行了探讨。与双掺杂的 Sr S∶Eu,Sm及 Sr S∶Ce,Sm相比 ,Sr S∶ Eu,Sm,Ce的存储密度有进一步的提高。
孟宪国何志毅孙力王永生
关键词：光存储稀土离子掺杂SRS
电子俘获光存储材料的最新研究进展被引量：6
2005年
电子俘获材料是一类有着巨大应用潜力的光存储材料,它能将写入光照射材料后产生的电子(空穴)束缚在材料的某些稳定的高能级(陷阱)上。只有经过合适的读出光照射,被束缚住的电子(空穴)才能脱离陷阱复合发光。发光在空间的强度分布与写入光的分布一致,即再现了写入光的信息。电子俘获材料的种类很多,研究进展各不相同。其中,以作为X光影像存储材料的BaFBr:Eu为代表的碱土金属氟卤化物已经广泛应用于医疗诊断方面。本文分类介绍了近年来几种典型的电子俘获材料在发光机理和应用方面的最新进展,尤其重点介绍了新兴的玻璃陶瓷型电子俘获材料的研究工作情况。
王欣姿王永生孙力孟宪国
关键词：电子俘获光激励发光光存储玻璃陶瓷
新型X射线影像存储屏的研究
2009年
室温下在Eu2+掺杂的BaBrCl中,发现经X射线辐照后的光激励发光(PSL).光激励谱和差吸收谱(DAS)基本相同,均为峰值波长位于550和675nm处的宽带谱,表明经X射线辐照后F心形成.这使得用半导体激光器代替气体激光器作为读出光源成为可能.PSL强度与X射线辐照剂量呈线性关系,转化效率为BaFBr:Eu富士IP板的29%.
王永生孟宪国何大伟
关键词：光激励发光色心电子俘获
用吸收差谱研究电子俘获材料的光激励发光被引量：4
2005年
以SrS:Eu,Sm为例说明可以利用电子俘获材料在光激发前后的吸收谱的差别来获取电子俘获材料光激励发光的信息。电子俘获材料在激发后的吸收光谱同时包含了不同陷阱(杂质)对光激励的吸收情况。因此激发前后的吸收光谱差(吸收差谱)除了能给出与光激励谱相同的信息外,还包含空穴陷阱的激励,光存储总量等信息,因此有助于更全面地了解材料的光激励发光过程。
孙力王永生何志毅孟宪国
关键词：电子俘获材料吸收光谱光激励发光
聚合物/TiO_2分层光电导型器件的电荷传输特性被引量：2
2003年
研究了聚合物PVK与TiO2分层光电导器件的电荷传输特性,分别比较了两种器件:器件S1(ITO/TiO2/PVK/Al)和器件S2(ITO/PVK/TiO2/Al)。实验发现,器件S1的暗电流远小于器件S2的暗电流,S1的正向峰值光电流约是其反向峰值光电流的4倍,而S2的正向和反向峰值光电流都基本与S1的反向峰值光电流相近。这是由于PVK/TiO2界面处有效的电荷转移、恰当的电荷传输层、器件各层间能级匹配及其与电极功函数的匹配影响了光电流的强度大小。由此判断,器件S1的性能要优于器件S2。随电压的增大,S1结构的光电导响应谱在短波区域的拖尾增大,而S2结构几乎没有拖尾,这可能是两种结构的吸收和陷阱能级的差别造成的。
靳辉滕枫孟宪国侯延冰徐征
关键词：电荷传输暗电流电致发光半导体材料拖尾
电子俘获光存储材料的性质及一些机理问题的研究
为了更深入地了解电子俘获光存储材料的光学性质、电子俘获机制,进一步提高它们的光存储性能,我们研究了一些电子俘获材料的光存储性质及其电子陷阱的形成和俘获机理.其中着重讨论了BaFCl:Eu<'2+>光激励发光材料的光致荧光...
孟宪国
关键词：光存储色心紫外线光激励发光
文献传递
LiF层对MEH-PPV:C_(60)掺杂系统光伏特性的影响被引量：1
2007年
将氟化锂(LiF)层引入MEH-PPV:C60掺杂系统的有源层与Al电极层之间,会使MEH-PPV:C60器件的光伏特性发生改变。实验发现,对于未掺杂的MEH-PPV器件,LiF层可以同时提高开路电压和短路电流;对于MEH-PPV:C60掺杂器件,LiF层可以提高器件的开路电压,却减小了短路电流。因为,LiF在电荷产生层与Al电极层之间形成了一个偶极层,它相当于降低了阴极的功函数,因此可以提高器件的内建电势和开路电压。LiF对于掺杂和未掺杂器件的不同影响是C60和MEH-PPV不同的LUMO能级造成的。
靳辉侯延冰孟宪国滕枫
关键词：光伏开路电压短路电流
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0