周铖
- 作品数：11 被引量：20H指数：4
- 供职机构：昆明理工大学材料与冶金工程学院新材料科学与工程制备与加工重点实验室更多>>
- 发文基金：云南省自然科学基金云南省教育厅科学研究基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- 磁控溅射沉积Cu-Nb薄膜的特征及热退火的影响被引量：5
- 2011年
- 用磁控共溅射法制备含铌1.16%～27.04%(原子分数)的Cu-Nb合金薄膜,运用EDX,XRD,SEM,TEM,显微硬度仪和电阻仪对沉积态和热退火态薄膜的成分、结构和性能进行了研究。结果表明,Nb添加显著影响Cu-Nb合金薄膜微结构,使Cu-Nb薄膜晶粒细化,含铌1.82%～15.75%的Cu-Nb膜呈纳米晶结构,存在Nb在Cu中的fcc Cu(Nb)非平衡亚稳过饱和固溶体,固溶度随薄膜Nb浓度增加而上升,最大值为8.33%Nb。随Nb含量增加,薄膜中微晶体尺寸减小,Cu-27.04%Nb膜微结构演变至非晶态。与纯Cu膜对比表明,Nb添加显著提高沉积态Cu-Nb薄膜显微硬度和电阻率,总体上二者随膜Nb含量上升而增高。Nb含量高于4.05%时显微硬度增幅趋缓,非晶Cu-Nb膜硬度低于晶态膜,电阻率则随铌含量上升而持续增加。经200,400及650℃退火1h后,Cu-Nb膜显微硬度降低、电阻率下降,降幅与退火温度呈正相关。XRD和SEM显示,650℃退火后晶态Cu-Nb膜基体相发生晶粒长大,并出现亚微米级富Cu第二相,非晶Cu-27.04%Nb膜则观察到晶化转变和随后的晶粒生长。Nb添加引起晶粒细化效应以及退火中基体相晶粒度增大是Cu-Nb薄膜微观结构和性能形成及演变的主要原因。
- 郭中正孙勇段永华周铖彭明军
- 关键词：纳米晶结构热退火显微硬度
- Mg-12Gd-3Y-0.5Zr(wt.％)合金力学性能及变形孪生研究
- 镁是所有结构用金属及其合金材料中密度最低的，被称为21世纪的绿色工程材料，拥有广阔的应用空间。但镁合金强度低、塑性差限制了其大量应用。稀土镁合金具有很高的强度和抗高温蠕变能力，本课题选用性能优异的Mg-12Gd-3Y-0...
- 周铖
- 关键词：静液挤压力学性能
- 文献传递
- 高导高硬铜-难熔金属薄膜及其制备方法
- 高导高硬铜-难熔金属薄膜及其制备方法。本发明属于电子工业中所用的金属互联薄膜材料及其制备技术。本发明是以铜为基体，将铜与难熔金属构成的非晶材料，该难熔金属为Nb，W或Mo中的一种或多种，且薄膜中难熔金属所占的原子百分比为...
- 孙勇郭中正周铖刘国涛
- 文献传递
- 高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜及其制备方法
- 高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜及其制备方法。本发明属于电子工业中所用的金属互联薄膜材料及其制备技术。本发明是将铜与难熔金属Nb，W或Mo中的一种或多种制备成复合靶材，以复合靶材为溅射源，用离子束辅助的磁控共溅射法沉积铜-...
- 孙勇郭中正周铖刘国涛
- 文献传递
- 溅射沉积Cu-Mo薄膜的结构和性能被引量：6
- 2011年
- 用磁控溅射法制备含钼2.19%-35.15%（摩尔分数）的Cu-Mo合金薄膜,运用能谱仪（EDX）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）、扫描电镜（SEM）、显微硬度仪和电阻计对薄膜成分、结构和性能进行研究。结果表明：Mo添加使Cu-Mo薄膜晶粒显著细化,Cu-Mo膜呈纳米晶结构,存在Mo在Cu中的FCC Cu（Mo）非平衡亚稳过饱和固溶体;随Mo含量的增加,Mo固溶度逐渐增加,而薄膜微晶体尺寸则逐渐减小,Mo的最大固溶度为30.6%。与纯Cu膜对比表明,Cu-Mo膜的显微硬度和电阻率随Mo含量的上升而持续增加。经200、400和650℃热处理1 h后,Cu-Mo膜的显微硬度和电阻率均降低,降幅与热处理温度呈正相关;经650℃退火后,Cu-Mo膜基体相晶粒长大,并出现亚微米-微米级富Cu第二相。在Cu-Mo膜的XRD谱中观察到Mo（110）特征峰,Cu-Mo薄膜结构和性能形成及演变的主要原因是添加Mo引起的晶粒细化效应以及热处理中基体相晶粒的生长。
- 郭中正孙勇周铖沈黎殷国祥
- 关键词：纳米晶结构显微硬度电阻率
- 磁控共溅射Al-Pb合金薄膜中固溶度的扩展被引量：1
- 2010年
- 利用磁控共溅射法在液氮冷却的衬底(LNCs)上制备了Al-Pb合金薄膜,运用EDX、XRD、TEM和SEM对薄膜成分、结构及形貌进行了研究。结果表明,Al-Pb薄膜在Pb含量为7.38%～2.73%(原子分数,下同)的宽范围内,均存在Al在Pb中的fccPb(Al)亚稳过饱和置换固溶体,固溶度与膜成分相关,随薄膜Pb含量的变化,固溶度在3.03%～5.31%Al之间变化,Al-48.9%Pb膜扩展固溶度最大(5.31%Al),薄膜Pb含量降低或升高时,fccPb(Al)固溶体的固溶度下降。此结果与Miedema理论计算的Al-Pb系混合焓随Pb含量的变化趋势相似。低温衬底下Pb的体扩散弱化并导致相分离倾向降低是固溶延展的动力学原因。
- 郭中正孙勇李玉阁周铖彭明军
- 关键词：磁控共溅射
- Cu-W、Cu-Mo非混溶合金均质薄膜的结构与性能研究
- Cu-W、Cu-Mo均属典型二元难混溶合金,由于具有较大的正混合焓(铜钨体系AHmix>+35.5KJ/mol,铜钼体系AHmix>+28KJ/mol),很难通过常规工艺制备出高度均质化的、实用性强的Cu-W和Cu-Mo...
- 周铖
- 关键词：合金薄膜晶粒细化微晶结构显微硬度
- 文献传递
- Cu-W、Cu-Mo薄膜的微观结构及显微硬度分析被引量：2
- 2013年
- 采用磁控共溅射方法分别制备了含有W和Mo两种不同成分的铜系薄膜,用EDX、XRD、SEM和纳米压痕仪对薄膜成份、结构、形貌和显微硬度进行了分析。结果表明,制备出的Cu-W和Cu-Mo薄膜均呈晶态结构,Cu-W和Cu-Mo形成了均匀的固溶体;经650℃热处理1 h后,Cu-W和Cu-Mo薄膜中晶粒长大,有富W和富Mo相从基体Cu相中弥散析出;Cu-W薄膜的显微硬度随W成分的增加先增加后降低;Cu-Mo薄膜的显微硬度随Mo成分的增加而持续升高,薄膜退火态的显微硬度低于沉积态。分析认为,以上结果的产生均因添加W、Mo所引起的晶粒细化效应和薄膜的热稳定性较差所致。
- 王丽郭诗玫周应强朱志军周铖刘国涛
- 关键词：微观结构
- 磁控溅射沉积Cu-W薄膜的特征及热处理的影响被引量：5
- 2011年
- 采用磁控共溅射法制备含钨1.51％～14．20％（原子分数，下同）的Cu-W合金薄膜，并用EDX、XRD、SEM、显微硬度仪和电阻仪研究了其成分、结构及性能。结果表明，添加W可显著细化Cu-W薄膜基体相晶粒，晶粒尺寸随W含量的增加而减小，Cu-W薄膜呈纳米晶结构。Cu-W薄膜中存在W在Cu中形成的fcc Cu（W）非平衡亚稳过饱和目溶体，固溶度随W含量的增加而提高，最大值为10．65％。与纯Cu膜对比发现，薄膜的显微硬度和电阻率总体上随W含量的增加而显著增大。经200℃、400℃及650℃热处理1h后，Cu—W薄膜基体相晶粒长大，EDX分析显示晶界处出现富W第二相；薄膜显微硬度降低，电阻率下降，降幅与退火温度呈正相关。添加W引起的晶粒细化效应以及退火中基体相晶粒度增大分别是Cu—W薄膜微观结构和性能形成及演变的主要原因。
- 周铖孙勇郭中正殷国祥彭明军
- 关键词：纳米晶结构显微硬度电阻率
- 钨含量对磁控溅射铜钨合金薄膜结构和性能的影响被引量：4
- 2011年
- 用磁控溅射法制备铜钨合金薄膜，采用能谱仪、X射线衍射仪、透射和扫描电镜、电阻计和显微硬度仪等对合金薄膜的成分、结构和性能进行了表征，探讨了钨原子分数的影响。结果表明：含原子分数31．8％～54．8％钨的铜钨膜呈非晶态，表面较平整；含18％和609／6钨的膜为晶态，且出现固溶度扩展，分别存在fcc Cu（W）亚稳过饱和固溶体和bccW（Cu）固溶体，铜钨膜电阻率高于纯铜膜的，非晶铜钨膜电阻率较晶态膜高1．9倍以上；铜钨膜硬度与钨含量呈正相关，非晶及晶态铜钨膜硬度分别低于和略高于Voigt公式的计算值。
- 郭中正孙勇周铖段永华彭明军
- 关键词：固溶度电阻率显微硬度
