周伟
- 作品数：74 被引量：30H指数：3
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金嘉兴市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理机械工程更多>>
- 三层交换机自动化测试系统的设计与实现
- 三层交换机主要是为电信运营商和网络设备厂商的软件测试部门设计的。非常适用于各种局域网环境内的路由与交换设备的功能及性能测试。为了加快大型局域网内部的数据交换，出于安全和管理方便的考虑，必须把大型局域网按功能或地域等因素划...
- 周伟
- 关键词：通信网络三层交换机数据传输网络测试
- GaN基HEMT器件的表面陷阱电荷输运过程实验研究
- 2006年
- 基于特制的无台面AlGaN/GaN HEMT,设计了一种实验方法,用以研究AlGaN/GaN外延表面陷阱态间的电荷输运过程。经实验证实,在器件电流崩塌效应中,存在表面陷阱电荷输运,并确定了相关时间常数。针对应力后电流崩塌驰豫过程,实验监测到小于0.1 s和大于10 s两类时间常数,其中较大的常数对应于表面陷阱电荷的输运过程。此结论可望用于对AlGaN/GaNHEMT电流崩塌效应进一步的理论探索和相关的器件研究。
- 罗谦杜江锋靳翀龙飞周伟夏建新杨谟华
- 关键词：GANHEMT电荷输运表面态电流崩塌
- 一种无运放电流模式带隙基准设计被引量：4
- 2010年
- 为满足集成电路中低功耗/低温度系数的要求,基于负反馈钳位原理,采用分段线性补偿技术,通过在高低温度段分别插入非线性电流修正项对基准进行了曲率补偿,得到一种新型的无需运放的曲率补偿电流模式带隙电压基准源。仿真得到典型工艺下电路在室温27℃,工作电压4.5V下输出电压1.25062V,工作电流小于38μA,功耗小于170μW。在-40～+150℃。宽温度范围内,基准电压在1.25018～1.25086V之间变化,温度系数约为2.86ppm/℃。
- 胡养聪周伟周长胜
- 关键词：带隙电压基准源电流模式
- 一种高取光率的高压LED芯片结构
- 本发明提供了一种高取光率的高压LED芯片结构，属于光电子发光器件领域。包括多个微晶粒单元，每个微晶粒单元包括衬底以及衬底上依次生长的N型氮化物层、发光层、P型氮化物层和透明导电层，所述N型氮化物层连接N型电极，所述透明导...
- 周伟张小六刘志强赵建明赵国周汉知
- 文献传递
- 应用于无线输电的类F-P腔体超材料微带天线设计方法
- 本发明公开了一种应用于无线输电的类F‑P腔体超材料微带天线设计方法，包括以下步骤：S1：构建加载超材料的谐振腔天线；S2：利用散射参量提取法，计算超材料的S参数；S3：基于超材料的S参数，对谐振腔天线进行观测，得到合格的...
- 李晓宁方俊洋张紫东周伟李祥泽申世军刘洋宫大为代小林叶小龙
- 文献传递
- 一种高电子迁移率晶体管
- 本发明属于半导体器件领域，特别涉及一种高电子迁移率晶体管。针对氮化镓基高电子迁移率晶体管的自热效应进行优化设计，其技术方案为：一种高电子迁移率晶体管，包括衬底、衬底以上依次生长的成核层、沟道层、势垒层，以及势垒层上的源极...
- 周伟吴杰刘绍斌
- 文献传递
- 基于二极管链的LED开路保护集成芯片及其制造方法
- 本发明公开了一种基于二极管链的LED开路保护集成芯片及其制造方法，所述基于二极管链的LED开路保护集成芯片包括由结构完全相同的若干个二极管正向串联而形成的正向二极管链，还包括一个与正向二极管链反向并联的反向并联二极管，正...
- 赵建明徐开凯冯占卫廖智黄平周伟赵国钟思翰王威徐彭飞陈勇夏建新
- 一种具有上电启动快速响应通道的LDO电路结构
- 该发明公开了一种具有上电启动快速响应通道的LDO电路结构，属于电路结构领域。本发明使用具有快速响应通道误差放大器的LDO，解决现有技术中芯片内部LDO电路启动过慢的问题。与现有技术相比，本发明提出的改进误差放大器电路结构...
- 樊华谢一帆褚积震周伟
- 某型S波段固态推前向波管雷达发射机设计与实现
- 电真空放大器件作为最早在雷达发射机中得到成功应用的微波功率器件,其管型众多。相继出现了以真空三极管、磁控管为代表的功率振荡型器件,以及以速调管、行波管、前向波管为代表的功率放大型器件。以上这些实用的微波功率器件的诞生,也...
- 周伟
- 关键词：发射机高压开关电源
- 自然氧化对MOCVD生长的In0.13Al0.87N外延层表面电子特性的影响
- 由于InAlN材料在微电子领域的发展,有必要研究其表面电子结构.利用X射线光电子能谱(XPS)和微曲Raman谱,研究了未掺杂的In0a3Al0.87N外延层的表面电子特性与势垒厚度的关系.XPS证实了In0.13Al0...
- 周伟夏素静李祥阳杰唐武冯志红
- 关键词：薄膜生长
