吴鑫
- 作品数：4 被引量：11H指数：1
- 供职机构：北京太阳能研究所有限公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信更多>>
- 一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺
- 本发明涉及一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺，其扩散步骤主要分为两步，具体包括：(1)进行第一次扩散：将硅片放入扩散炉中，同时通入大氮、小氮、氧气，扩散温度在800～860℃，时间为15～30分钟；(2)将扩散炉温度升至8...
- 励旭东宋爽勾宪芳吴鑫孙秀菊
- 文献传递
- 一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺
- 本发明涉及一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺，其扩散步骤主要分为两步，具体包括：(1)进行第一次扩散：将硅片放入扩散炉中，同时通入大氮、小氮、氧气，扩散温度在800～860℃，时间为15～30分钟；(2)将扩散炉温度升至8...
- 励旭东宋爽勾宪芳吴鑫孙秀菊
- 文献传递
- φ200mm太阳能电池用直拉硅单晶生长中导流系统的研究被引量：1
- 2008年
- 利用数值模拟,对CZ硅单晶生长系统中导流系统调整和改进,得到不同导流系统下的氩气流场和全局温场.研究发现在导流系统中引入导流筒及冷却功能后,氩气流场得到明显的改善,晶体中纵向温度梯度均匀性改善,固液界面趋于平坦,有利于结晶潜热的散发和单晶径向电阻率的均匀性.研究表明改进导流系统能提高结晶潜热散发速率,有利于提高晶体拉速.
- 任丙彦褚世君吴鑫于建秀孙秀菊
- 关键词：数值模拟直拉硅单晶导流筒
- 背接触硅太阳电池研究进展被引量：10
- 2008年
- 高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其结构特点、制造技术及发展概况作了系统介绍,并在此基础上提出了需要改进的问题及未来的发展方向。
- 任丙彦吴鑫勾宪芳孙秀菊于建秀褚世君励旭东
- 关键词：背接触硅太阳电池少子寿命接触电极
