刘光煜
- 作品数：11 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 氟化铅晶体中300nm光吸收带的起因被引量：1
- 1999年
- 在 Ｐｂ Ｆ２ 晶体的透射光谱中常存在一个３００ｎｍ 光吸收带，其特征是吸收强度从结晶开始端向结晶结束端递减。利用原子吸收光谱分析（ Ａ Ａ Ｓ） ，发现具有３００ｎｍ 光吸收带的晶体含有比较多的杂质离子 Ｃａ 和 Ｂａ ，但根据掺杂实验及其它氟化物晶体中存在的类似吸收现象，排除了 Ｃａ 和 Ｂａ 是造成这一吸收现象的原因，而是认为 Ｃｅ３ ＋ 离子杂质的４ｆ→５ ｄ 跃迁是造成该吸收带的原因。氟化铅晶体中的微量 Ｃｅ３ ＋ 离子杂质来源于生产 Ｈ Ｆ 时所使用的天然矿物 Ｃａ Ｆ２ 。通过对 Ｈ Ｆ 这一制备 Ｐｂ Ｆ２ 原料的高度提纯可以有效地消除晶体中的３００ｎｍ 吸收带。
- 任国浩沈定中王绍华刘光煜殷之文
- 关键词：吸收带氟化铅晶体透射光谱铈离子跃迁
- 掺铊碘化铯晶体缺陷的研究被引量：1
- 1997年
- 根据美国ＳＬＡＣ公司及日本ＫＥＫ公司的要求，我们为其提供高能探测器所需的大尺寸掺铊碘化铯晶体。他们对晶体性能提出了较高的要求，要求晶体透明不着色、无云层和杂质包裹体等缺陷。由于这些缺陷的存在会导致晶体光输出下降、均匀性变差、抗辐照损伤能力下降、甚至出现开裂而影响晶体的质量。但这些缺陷在生长过程中又不可避免，为此我们对这些缺陷进行了深入的研究。在卤化物晶体生长过程中，氧的存在哪怕是ｐｐｍ级的含量都会对生长带来危害，造成晶体性能下降，所以大多采用在真空状态下生长。对于掺铊的碘化铯晶体国外更是全部采用在真空状态下生长，而我们根据掺铊碘化铯晶体的生长特性采用不同于国外的真空炉生长而使用大气下坩埚下降法，且又不同于一般的坩埚下降生长法。在我们的工艺条件下主要产生上述三种缺陷，本文阐述了这些缺陷的形成和危害。其中晶体的着色表现为顶部泛黄，这主要是生长过程中来源于水分和外界空气中氧的进入。虽然我们在装料过程中采用了真空处理，然而仍不可避免氧的进入。晶体生长是排杂过程，氧离子作为阴离子杂质不断向上排，在顶部富集与铊离子结合从而使晶体顶部发黄。同样，云层也出现在晶体的上半部，但它的产生是由于温场变化而引起。主要是加热功率起伏?
- 倪海洪刘光煜张键沈定中
- 关键词：包裹体着色半导体
- 坩埚下降法大尺寸钨酸铅晶体的制备
- 严东生殷之文廖晶莹沈炳孚邵培法童乃柱袁辉谢建军杨培志周乐平方全兴倪海洪刘光煜李培俊薛志麟熊巍展宗贵陈良朱祥宇
- 该项目设计并建造了多台能满足批量PWO晶体生长要求的多坩埚下降法晶体生长炉，一个炉次能同时生长28根大尺寸PWO晶体；通过研究杂质离子对PWO晶体闪烁性能的影响，确定了原料中的有害杂质离子，通过工艺控制，获得了高纯原料P...
- 关键词：
- 关键词：钨酸铅大尺寸
- 氟化铅晶体的透光能力及其影响因素
- 2000年
- 氟化铅 ( β PbF2 )晶体是一种性能优异的Cherenkov辐射材料 ,在高能物理和核物理实验研究中具有重要的应用价值。作为Cherenkov辐射材料 ,晶体的透光率和透光范围 ,特别是透紫外光的能力 ,是衡量其性能优劣的重要指标。利用日本岛津UV 2 5 0 1PC型Spectrophotometer和美国Bio Rad公司生产的FTS 1 85型红外光谱仪分别测量了在不同工艺参数条件下用非真空Bridgman方法生长出的氟化铅晶体从紫外区至红外区的透光率和吸收边。发现影响氟化铅晶体透光率和透光范围的因素主要有 :( 1 )所用原料的杂质种类与含量 ;( 2 )生长工艺 ;( 3)后处理方法等。测得以最佳条件所生长的氟化铅晶体在短波区的吸收边为 2 40nm ,在长波区的吸收边为1 6 .6 μm ,而且透光率都在 75 %以上。这比以前所报道的氟化铅晶体的透光范围 ( 2 90mm～1 5 0 0 0nm)拓宽很多。因此 ,它在用作各种窗口材料方面也具有很强的优势和潜力。根据Pb2 +的价电子构型 ( 6s2 6p2 )和PbF2 的晶体结构 ,提出PbF2 晶体的导带是由Pb的 6p电子构成 ,而价带则具有混合特征 ,其顶部主要由Pb的 6s电子和F的p轨道电子所构成 ,并初步计算出PbF2 晶体的禁带宽度约为 5 .6eV(相当于 2 2 1nm)。这样 ,随着原料纯度和生长工艺的不断优化 ,PbF2
- 任国浩沈定中刘光煜殷之文
- 关键词：透光率影响因素
- 非真空气氛下生长的CsI(Tl)晶体中Tl^+分布及其对晶体性能的影响被引量：1
- 1997年
- 非真空气氛下生长的ＣｓＩ（Ｔｌ）晶体中Ｔｌ＋分布及其对晶体性能的影响刘光煜沈定中倪海洪樊加荣（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０１８００）ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆＴｌ＋ｉｎＣｓＩ（Ｔｌ）ＣｒｙｓｔａｌｓＧｒｏｗｉｎｇｕｎｄｅｒＵｎｖａｃｕｕｍＡ...
- 刘光煜沈定中倪海洪樊加荣
- 关键词：闪烁晶体铊晶体生长
- 超大尺寸锗酸铋闪烁晶体的研制及面向空间暗物质粒子探测的应用
- 陈俊锋倪海洪王绍华周里华刘光煜赵鹏计志明袁兰英宋桂兰吴泓澍周学农杜勇张健齐雪君
- 该项目属于新材料领域，人工晶体材料学科。无机闪烁体是能够将入射到其中的高能粒子或射线能量转换为光脉冲的一类光功能材料。锗酸铋(Bi4Ge3O12, BGO)是一种综合性能优异的无机闪烁体，但是超大尺寸BGO晶体制备技术一...
- 关键词：
- 关键词：空间探测器光功能材料
- 阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法
- 本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到...
- 严东生殷之文廖晶莹沈炳孚童乃志邵培发袁晖谢建军叶崇志周乐萍李培俊吴泓澍杨培志倪海洪刘光煜
- 文献传递
- PbF_2:Gd晶体的发光强度与发光均匀性研究
- 2001年
- 以Ｘ射线荧光光谱分析为手段，测试了用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法生长的ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体中Ｇｄ离子沿生长方向的分布．发现该晶体在Ｘ射线激发下的发光强度与Ｇｄ在ＰｂＦ２晶体中的含量变化均从结晶开始端至结晶结束端逐渐降低，表明ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体的发光是不均匀的，这种不均匀性源于Ｇｄ离子在ＰｂＦ２晶体中的分布不均匀性．通过在ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体中掺入一定量的碱金属离子，可以比较有效地改善Ｇｄ离子在ＰｂＦ２晶体中的不均匀分布，使晶体的发光均匀性和透光率得到明显提高，其中以Ｎａ离子的均匀化效果为最好．推测Ｎａ离子的作用是消除了ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体中因Ｇｄ离子的掺杂而造成的间隙Ｆ离子，从而使晶体中的缺陷浓度大大降低．
- 任国浩沈定中王绍华刘光煜倪海洪殷之文
- 关键词：发光强度钆离子
- Tb掺杂氟化铅晶体的发光特征
- 2000年
- 用非真空Bridgman方法制备了掺有Tb杂质的氟化铅 (PbF2 ∶Tb)晶体 ,掺杂浓度从 0 0 0 8at.%至0 6at.%。在室温下测量了该晶体的吸收和发射光谱 ,发现该晶体在X 射线和紫外线激发下均能够发出比较强的荧光。PbF2 ∶Tb晶体的光吸收起源于Tb3 + 离子的 4f-4f跃迁 ,而其光发射则源于Tb3 + 离子的电子分别从其激发态5D3 和5D4 能级跃迁到基态7FJ(J=6,5,4 ,3 ,2 )。荧光强度随掺杂浓度的提高而提高 ,当Tb3 + 离子浓度较低时 ,以5D3 →7FJ 跃迁发射为主 ,当Tb3 + 离子浓度较高时 ,则以5D4 →7FJ 跃迁发射为主。在同一晶体中 ,发光强度随中心所占晶格位置的改变而改变 ,反映出Tb3 + 离子在PbF2 晶体中的分布具有分凝系数大于 1的特征。推测Tb3 + 离子在PbF2 晶体中占据Pb格位 ,同时产生间隙F-离子缺陷来平衡电价。
- 任国浩沈定中刘光煜倪海洪李泽逵殷之文
- 关键词：掺杂发光氟化铅晶体铽离子
- PbWO_4晶体中的生长层研究被引量：4
- 2000年
- 利用光学显微镜和电子探针研究了存在于钨酸铅晶体中的生长层 ,确定这些生长层的成分为固体的铂金颗粒。根据对PbO和WO3原料所做的GDMS分析结果 ,排除了这些铂金颗粒来自原料的可能性 ,而是认为它们来自生长晶体所用的铂金坩埚。并在此基础上提出 ,PbO WO3熔体在高温下对铂金坩埚的熔蚀和溶解为生长层的形成提供了物质基础 ,但由于停电、停降或温度波动而导致固液界面的暂时静止则为熔体中铂金的析出和沉降提供了机会和场所。为抑制生长层的出现 ,建议在生长过程中适当降低液相区的温度或适当缩短晶体的生长周期。
- 任国浩沈定中倪海洪蔡晓琳刘光煜殷之文
- 关键词：钨酸铅晶体铂金坩埚
